RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Рябова Людмила Ивановна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. $PT$-симметричная фотопроводимость, стимулированная микроволновым излучением, в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te

    Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  341–345
  2. Оптимизация параметров фотостимулированных резистивных переключений в пленках фталоцианинов

    Письма в ЖЭТФ, 114:11 (2021),  742–748
  3. Роли элементов гетероструктуры на основе топологической фазы Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te в эффекте $PT$-симметричной терагерцовой фотопроводимости

    Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021),  548–552
  4. Эволюция электронного транспорта при резистивных переключениях в пленках порфиразинов

    Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  224–228
  5. Радиочастотная фотопроводимость в гетероструктурах на основе Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te

    Письма в ЖЭТФ, 112:4 (2020),  263–267
  6. Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb$_{0.74}$Sn$_{0.26}$Te(In) с модифицируемой поверхностью

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  896–901
  7. Особенности транспорта в топологической фазе Hg$_{0.87}$Cd$_{0.13}$Te в условиях терагерцового фотовозбуждения

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  873–877
  8. Особенности спектров примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) при изменении температуры

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1303–1308
  9. Оптически индуцированный зарядовый обмен в композитных структурах на основе ZnO с внедренными нанокристаллами CsPbBr$_{3}$

    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  824–828
  10. Фотоэлектромагнитный эффект, индуцированный терагерцовым излучением, в топологических изоляторах (Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$)$_{2}$Te$_{3}$

    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  41–45
  11. Особенности терагерцовой фотопроводимости в YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ вблизи температуры сверхпроводящего перехода

    Письма в ЖЭТФ, 107:12 (2018),  810–813
  12. Модификация спектров фотопроводимости в композитных структурах ZnO-квантовые точки CdSe под действием дополнительного фотовозбуждения

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  763–767
  13. Терагерцовая фотопроводимость в Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te вблизи перехода от прямого к инверсному спектру

    Письма в ЖЭТФ, 106:3 (2017),  156–160
  14. Терагерцовая фотогенерация в PbTe(Ga), индуцированная магнитным полем

    Письма в ЖЭТФ, 104:1 (2016),  64–67
  15. Влияние примеси олова на энергетический спектр и фотоэлектрические свойства наноструктурированных пленок In$_2$O$_3$

    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  467–470
  16. Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца

    УФН, 184:10 (2014),  1033–1044
  17. Зондирование локальных электронных состояний в узкощелевых полупроводниках Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) с помощью лазерного терагерцового излучения

    Письма в ЖЭТФ, 97:12 (2013),  825–831
  18. Влияние электрического тока и магнитного поля на терагерцовую фотопроводимость в Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In)

    Письма в ЖЭТФ, 97:9 (2013),  607–610
  19. Фотопроводимость композитных структур на основе пористого SnO$_2$, сенсибилизированного нанокристаллами CdSe

    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  360–363
  20. Фотопроводимость теллурида свинца, легированного ванадием, в терагерцовом спектральном диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  293–297
  21. Фотопроводимость пленок PbTe(In) с варьируемой микроструктурой

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1533–1537
  22. Фотопроводимость узкощелевых полупроводников Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) в терагерцовой спектральной области

    Письма в ЖЭТФ, 91:1 (2010),  37–39
  23. Особенности примесных состояний ванадия в теллуриде свинца

    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1591–1595
  24. Проблема примесных состояний в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца

    Письма в ЖЭТФ, 80:2 (2004),  143–149
  25. Crystallite size effect on the conductivity of the ultradisperse ceramics of SnO2 and In2O3

    Mendeleev Commun., 14:4 (2004),  167–169
  26. Неорганические структуры как материалы для газовых сенсоров

    Усп. хим., 73:10 (2004),  1019–1038
  27. Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца

    УФН, 172:8 (2002),  875–906
  28. Характер изменения свойств PbTe$\langle{\text{Ga}}\rangle$ при изменении степени легирования

    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  264–269
  29. Влияние Tm на свойства теллурида свинца

    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  342–344
  30. Энергетический спектр и фотопроводимость твердых растворов Pb$_{1-x}$Mn$_{x}$Te(Ga)

    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  250–254
  31. Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением

    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1349–1353
  32. Переход металл$-$диэлектрик в твердых растворах Рb$_{1-x}$Мn$_{x}$Те(In)

    Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1019–1024
  33. Осцилляции Шубникова$-$де-Гааза в PbTe(Cr)

    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  244–249
  34. Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te(In) (${x\sim0.22}$) с различным содержанием индия

    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  248–254
  35. Влияние давления на энергетический спектр и проводимость в магнитном поле сплавов In$_{1-x}$Tl$_{x}$Te

    Физика твердого тела, 29:1 (1987),  16–22
  36. Перестройка энергетического спектра в сплавах Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle$Cd$\rangle$ под действием давления

    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1588–1593
  37. Кинетические явления и перколяционная проводимость в твердых растворах In$_{1-x}$Tl$_{x}$Te

    Физика твердого тела, 28:9 (1986),  2680–2687
  38. Фотопроводимость в Pb$_{0.75}$Sn$_{0.25}$Te(In) с изовалентными примесями замещения

    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  629–633
  39. Модуляция рельефа зон в монокристаллических сплавах 2РbТе$-$TlВiТе$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  251–256
  40. Фотоэлектрические явления в сплавах Pb$_{0.75}$Sn$_{0.25}$Те с различным содержанием индия

    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1778–1783
  41. Фотоэлектрические явления в PbTe, легированном индием

    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1604–1608
  42. Особенности электрофизических свойств комбинированно легированных сплавов Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1003–1008
  43. Примесные состояния Ga и фотоэлектрические явления в сплавах PbTe(Ga)

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  87–92

© МИАН, 2026