Орешкин Андрей Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности фторирования поверхности золота Au(111) с использованием молекул фторфуллеренов
   
   Письма в ЖЭТФ, 119:3 (2024),  212–218
2. Дефторирование молекул C$_{60}$F$_{48}$, адсорбированных на поверхности Cu(001)
   
   Письма в ЖЭТФ, 111:6 (2020),  396–402
3. Особенности роста поверхностных структур, вызванных адсорбцией Ge на поверхности Au(111)
   
   Письма в ЖЭТФ, 106:4 (2017),  201–207
4. Ab initio study of surface electronic structure of phosphorus donor imputiry on Ge(111)-(2$\times$1) surface
   
   Письма в ЖЭТФ, 97:7 (2013),  458–464
5. Ab initio electronic structure of Ge(111)-(2$\times$1) surface in the presence of surface vacancy. Apllication to STM data analysis
   
   Письма в ЖЭТФ, 96:1 (2012),  33–36
6. STM/STS study of C$_{60}$F$_{36}$ molecules adsorption on $7\times 7$–Si(111) surface
   
   Письма в ЖЭТФ, 95:12 (2012),  748–750
7. Metallic glass electronic structure peculiarities revealed by UHV STM/STS
   
   Письма в ЖЭТФ, 94:1 (2011),  58–62
8. Initial stage of flourofullerene molecules adsorption on Si surface
   
   Письма в ЖЭТФ, 92:7 (2010),  495–498
9. Formation of highly crystalline $C_{60}$ molecular films on Bi(0001)/Si(111) surface
   
   Письма в ЖЭТФ, 86:8 (2007),  594–597
10. The influence of different impurity atoms on $1/f^\alpha$ tunneling current noise characteristics on InAs(110) surface
    
    Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007),  46–51
11. Ag-induced atomic structures on the Si(110) surface
    
    Письма в ЖЭТФ, 84:6 (2006),  381–384
12. Tunneling conductivity features of the new reconstructed phases on the GaN (0001) surface
    
    Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003),  1068–1072