Мансуров Владимир Геннадьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Химическая кинетика процесса нитридизации поверхности Si(111) при температурах ниже структурного фазового перехода (7$\times$7)$\to$(1$\times$1)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  349–357
2. Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al$_2$O$_3$(0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  734–741
3. Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2327–2332
4. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
   
   Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
5. Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1407–1413
6. Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN
   
   Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  643–650
7. AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  395–402
8. Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1059–1063
9. Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  191–194
10. Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN
    
    Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  72–79
11. Синтез AlGaN/GaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    ЖТФ, 85:4 (2015),  67–73
12. Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1329–1334
13. Нитридизация нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  925–931
14. Линейно поляризованная фотолюминесценция ансамбля вюрцитных GaN/AlN квантовых точек
    
    Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010),  498–500
15. Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-$\beta(2\times 4)$
    
    Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007),  553–557
16. Асимметричный реконструкционный фазовый переход $c(4\times4)\to\gamma(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 84:9 (2006),  596–600
17. Критические явления в реконструкционном переходе $\beta$-$(2\times 4)$ $\to$ $\alpha$-$(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:12 (2005),  766–770
18. Кинетика фотолюминесценции вюрцитных GaN квантовых точек в матрице AlN
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:2 (2005),  70–73
19. Квазибаллистический квантовый интерферометр
    
    УФН, 165:2 (1995),  227–229