Дмитриев Дмитрий Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электрохимическое профилирование структур $n^+/n$ GaAs для полевых транзисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  53–61
2. Определение потока и энергии активации десорбции фосфора при отжиге в потоке мышьяка подложки InP(001) в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  646–650
3. Определение концентрации донорной примеси в тонких слоях $i$-InGaAs
   
   Письма в ЖТФ, 48:21 (2022),  40–42
4. Гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для ключевых pHEMT-транзисторов
   
   Письма в ЖТФ, 48:17 (2022),  20–23
5. Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs для электроабсорбционного модулятора
   
   Письма в ЖТФ, 48:13 (2022),  37–41
6. GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей
   
   ЖТФ, 91:11 (2021),  1727–1731
7. Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   ЖТФ, 91:7 (2021),  1158–1163
8. Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  877–881
9. Исследование плотности интерфейсных состояний на границах раздела диэлектрик/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As
   
   Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  10–13
10. Неклассические источники света на основе селективно позиционированных микролинзовых структур и (111) In(Ga)As квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1338–1342
11. Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  52–54
12. Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)
    
    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  59–62
13. Спектроскопия одиночных AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1326–1330
14. Квантовые точки AlInAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 105:2 (2017),  93–99
15. Сверхминиатюрные излучатели на основе одиночной (111) In(Ga)As квантовой точки и гибридного микрорезонатора
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1451–1455
16. Особенности протекания тока в структурах на основе барьера Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs
    
    Письма в ЖТФ, 43:12 (2017),  83–89
17. Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  35–40
18. Экситон-плазмонное взаимодействие в гибридных структурах квантовые точки–металлические кластеры, полученных методом МЛЭ
    
    Письма в ЖЭТФ, 99:4 (2014),  245–249
19. Индуцированные терагерцовым излучением осцилляции магнитосопротивления двумерного электронного газа с высокой концентрацией и подвижностью
    
    Письма в ЖЭТФ, 97:1 (2013),  45–48
20. Транспортное время релаксации и квантовое время жизни в селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012),  467–471
21. Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов
    
    Письма в ЖТФ, 38:1 (2012),  27–36
22. Безызлучательный перенос экситонов по механизму Фёрстера в гибридных структурах КТ InAs/AlAs – молекулы красителя
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011),  828–831
23. Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100)
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011),  647–652
24. Рекомбинация носителей заряда в арсенид-галлиевом $p$–$i$–$n$-диоде
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1407–1410
25. Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-$\beta(2\times 4)$
    
    Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007),  553–557
26. Асимметричный реконструкционный фазовый переход $c(4\times4)\to\gamma(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 84:9 (2006),  596–600
27. Критические явления в реконструкционном переходе $\beta$-$(2\times 4)$ $\to$ $\alpha$-$(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:12 (2005),  766–770