Галицын Юрий Георгиевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2327–2332
2. Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1407–1413
3. Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN
   
   Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  643–650
4. Нитридизация нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака
   
   Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  925–931
5. Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-$\beta(2\times 4)$
   
   Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007),  553–557
6. Асимметричный реконструкционный фазовый переход $c(4\times4)\to\gamma(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 84:9 (2006),  596–600
7. Критические явления в реконструкционном переходе $\beta$-$(2\times 4)$ $\to$ $\alpha$-$(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 81:12 (2005),  766–770