Никифоров Александр Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Изучение кинетики сближения ступеней поверхности Si(100)
   
   Физика твердого тела, 65:2 (2023),  173–179
2. Колебательные и светоизлучающие свойства гетероструктур Si/Si$_{(1-x)}$Sn$_x$
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019),  371–374
3. Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  409–413
4. Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия
   
   Письма в ЖЭТФ, 105:5 (2017),  305–310
5. Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  342–347
6. Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками
   
   Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016),  845–848
7. Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1610–1614
8. Начальные стадии роста тройных соединений Si–Ge–Sn, выращенных на Si(100) методом низкотемпературной МЛЭ
   
   Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1630–1634
9. Тонкая структура спектров сечения неупругого рассеяния электронов и поверхностный параметр Si
   
   Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  435–439
10. Спектроскопия сечения неупругого рассеяния электронов наногетероструктур Ge$_x$Si$_{1-x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  237–241
11. Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовых ямах SiGe
    
    Письма в ЖЭТФ, 97:3 (2013),  180–184
12. Антисвязывающее основное состояние дырок в двойных вертикально связанных квантовых точках Ge/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011),  806–810
13. Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007),  549–552
14. Проявление локализации фононов в наноостровках Ge в спектрах комбинационного рассеяния света
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:7 (2005),  415–418
15. Резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GeSi/Si с квантовыми точками GeSi
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:1 (2005),  33–36
16. Правило Мейера – Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004),  367–371
17. Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003),  1077–1081
18. Бесфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003),  445–449
19. Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек
    
    Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002),  113–117
20. Фононы в сверхрешетках Ge/Si с квантовыми точками Ge
    
    Письма в ЖЭТФ, 73:9 (2001),  521–525