Машанов Владимир Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние Ge нанослоев и квантовых точек на фотолюминесцентные свойства гетероструктур с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si
   
   Физика твердого тела, 67:9 (2025),  1642–1646
2. Фотоэлектрические свойства структур с множественными квантовыми ямами GeSiSn|Ge и релаксированными слоями GeSiSn
   
   Физика твердого тела, 66:11 (2024),  1871–1878
3. Исследование влияния отжига и состава на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Si с множественными квантовыми ямами
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  765–769
4. Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  409–413
5. Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1610–1614
6. Начальные стадии роста тройных соединений Si–Ge–Sn, выращенных на Si(100) методом низкотемпературной МЛЭ
   
   Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1630–1634
7. Релаксация механических напряжений в массиве квантовых точек Ge, полученных в Si
   
   Письма в ЖЭТФ, 86:5 (2007),  397–400