Кюрегян Александр Суренович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Возбуждение лазеров на парах меди прямым разрядом накопительного конденсатора через быстродействующие фототиристоры
   
   Оптика и спектроскопия, 126:4 (2019),  471–476
2. Высоковольтные диффузионные диоды с резким восстановлением. II. Теория
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  985–990
3. Высоковольтные диффузионные диоды с резким восстановлением. I. Численное моделирование
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  978–984
4. Мощные оптоэлектронные коммутаторы нано- и пикосекундного диапазона на основе высоковольтных кремниевых структур с $p$–$n$-переходами III. Эффекты саморазогрева
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  528–532
5. Ударная электромагнитная волна большой амплитуды в нелинейной линии передачи на основе распределенного полупроводникового диода
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  520–527
6. Оптимальное легирование диодных прерывателей тока
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  359–365
7. Мощные оптоэлектронные коммутаторы нано- и пикосекундного диапазона на основе высоковольтных кремниевых структур с $p$–$n$-переходами. II. Энергетическая эффективность
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1263–1266
8. Мощные оптоэлектронные коммутаторы нано- и пикосекундного диапазона на основе высоковольтных кремниевых структур с $p$–$n$-переходами. I. Физика процесса переключения
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1257–1262
9. Влияние инжекционной способности анодного эмиттера на характеристики комбинированных СИТ–МОП транзисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  973–978
10. Об измерениях коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок в 4$H$-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  293–297
11. Лавинный режим переключения перенапряженных высоковольтных $p^+$–$i$–$n^+$-диодов в проводящее состояние при импульсном освещении
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  989–993
12. Пикосекундное переключение высоковольтных обратносмещенных $p^+$–$n$–$n^+$-структур в проводящее состояние при импульсном освещении
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1686–1692
13. Теория стационарных плоских волн туннельно-ударной ионизации
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  970–978
14. Краевые инверсионные каналы и поверхностные токи утечки в высоковольтных полупроводниковых приборах
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  372–378
15. О максимальной толщине области пространственного заряда обратносмещенных $p^+$–$n$-переходов с положительной фаской
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  67–69
16. Численное моделирование эволюции электронно-дырочных лавин и стримеров в кремнии в однородном электрическом поле
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1310–1317
17. Влияние диффузии на скорость распространения стационарных волн ударной ионизации в полупроводниках
    
    Письма в ЖЭТФ, 86:5 (2007),  360–364
18. Влияние крупномасштабных флуктуаций распределения примесей на туннелирование и электропоглощение в обратно смещенных $p{-}n$-переходах
    
    Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1162–1168
19. Ударная ионизация в кремнии, выращенном различными методами
    
    Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  560–563
20. Напряжение лавинного пробоя $p{-}n$-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1819–1827
21. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя $p{-}n$-переходов с глубокими уровнями
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1164–1172
22. Прыжковая генерация носителей заряда в истощенных слоях полупроводников с непрерывным спектром локализованных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  110–116
23. Функция распределения электронов в одномерных металлах в сильных электрических полях
    
    Физика твердого тела, 30:1 (1988),  236–238
24. Поперечный перенос электронов и дырок при лавинном умножении в полупроводниковых приборах
    
    ЖТФ, 58:1 (1988),  172–174
25. Ударная ионизация и лавинное умножение в классических полупроводниковых сверхрешетках
    
    Письма в ЖТФ, 14:24 (1988),  2278–2282
26. Дифференциальное сопротивление $p{-}n$-переходов с глубокими уровнями при лавинном пробое
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  941–944
27. Статическая электропроводность кремния в сильном электрическом поле, вызванная прямолинейными дислокациями
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  362–364
28. Исследование механизмов снижения напряжения пробоя кремниевых высоковольтных многослойных структур
    
    ЖТФ, 55:7 (1985),  1419–1425


29. Исправление к статье «Статическая электропроводность кремния в сильном электрическом поле, вызванная прямолинейными дислокациями»
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  957