Тарасов Михаил Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности сопротивления, критической температуры и микроструктуры криогенных тонких пленок алюминия
   
   Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1241–1246
2. Термометры на основе НИС переходов диапазона температур 1.5–9.0 K
   
   ЖТФ, 95:9 (2025),  1800–1807
3. Изготовление туннельных сверхпроводниковых структур селективным химическим травлением алюминия
   
   ЖТФ, 95:9 (2025),  1793–1799
4. Морфология и электрические параметры тонких алюминиевых пленок, осаждаемых на подложки при температурах от 77 до 800 K
   
   Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  42–45
5. Влияние внешних воздействий на низкотемпературную проводимость туннельных структур сверхпроводник–изолятор–нормальный меалл–изолятор–сверхпроводник
   
   УФН, 195:7 (2025),  759–765
6. Тонкие пленки алюминия, нанесенные на охлаждаемые жидким азотом подложки
   
   Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1038–1041
7. Изготовление и исследование структур нормальный металл-изолятор-сверхпроводник Al/AlO$_x$/Nb
   
   ЖТФ, 94:7 (2024),  1079–1086
8. Предельные параметры СИС-переходов в теории и технологические возможности их достижения
   
   Физика твердого тела, 65:7 (2023),  1140–1147
9. Сверхпроводящие пленки и туннельные переходы на основе алюминия
   
   Физика твердого тела, 64:10 (2022),  1369–1372
10. Разработка джозефсоновского параметрического усилителя бегущей волны нa основе алюминиевых СИС-переходов
    
    Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1223–1227
11. Спектральный отклик матриц полуволновых и электрически малых антенн с СИНИС-болометрами
    
    Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1440–1446
12. СИНИС-болометр с микроволновым считыванием
    
    Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1415–1419
13. Квантовый отклик болометра на основе структуры СИНИС с подвешенным абсорбером
    
    Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1403–1406
14. Отклик на субмиллиметровое излучение СИНИС приемника с электронным охлаждением
    
    Письма в ЖЭТФ, 111:10 (2020),  641–645
15. Влияние продольного магнитного поля на андреевскую проводимость структуры сверхпроводник–изолятор–нормальный металл
    
    Письма в ЖЭТФ, 103:7 (2016),  547–551
16. Влияние магнитного поля на проводимость туннельных переходов сверхпроводник–изолятор–нормальный металл
    
    Письма в ЖЭТФ, 101:11 (2015),  836–839
17. Семейство сверхпроводниковых устройств на основе графена
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:4 (2011),  353–356
18. Оптический отклик цепочки болометров на холодных электронах
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:6 (2010),  460–464
19. Цепочки болометров на холодных электронах
    
    Письма в ЖЭТФ, 89:12 (2009),  742–745
20. Температурная чувствительность и шумы ВТСП джозефсоновского детектора на сапфировой бикристаллической подложке при температуре 77 К
    
    Письма в ЖЭТФ, 86:11 (2007),  828–831
21. Сверхпроводниковый субтерагерцовый быстродействующий нанопереключатель
    
    Письма в ЖЭТФ, 86:4 (2007),  307–310
22. Болометр на основе углеродных нанотрубок
    
    Письма в ЖЭТФ, 84:5 (2006),  325–328
23. Концепция смесителя на основе болометра на холодных электронах
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005),  661–664
24. Терагерцовая спектроскопия с джозефсоновским излучателем и СИНИС болометром
    
    Письма в ЖЭТФ, 79:6 (2004),  356–361
25. Электронное охлаждение в болометре на горячих электронах в нормальном металле
    
    Письма в ЖЭТФ, 78:11 (2003),  1228–1231
26. Экспериментальное исследование болометра на горячих электронах в нормальном металле с емкостной связью
    
    Письма в ЖЭТФ, 76:8 (2002),  588–591


27. Влияние гомобуферного слоя на морфологию, микроструктуру и твердость пленок Al/Si(111)
    
    ЖТФ, 93:7 (2023),  897–906