|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние конструкции и условий роста метаморфных гетероструктур In(Ga,Al)As/GaAs на электрофизические параметры двумерного канала In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/InAlAs
Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024), 142–148
-
Низкотемпературные электрические свойства CVD графена на LiNbO$_3$: акустические исследования
Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022), 120–127
-
Нелинейные AC и DC проводимости в двухподзонной структуре $n$-GaAs/AlAs
Письма в ЖЭТФ, 112:1 (2020), 54–61
-
AC и DC проводимость в структуре $n$-GaAs/AlAs с широкой квантовой ямой в режиме целочисленного квантового эффекта Холла
Письма в ЖЭТФ, 110:1 (2019), 62–67
-
Стационарный и высокочастотный дырочный транспорт в гетероструктурах $p$-Si/SiGe в ультраквантовом пределе
Письма в ЖЭТФ, 86:4 (2007), 274–278
-
Переход металл$-$диэлектрик в магнитном поле в сильно легированном антимониде индия
Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1446–1461
-
Поглощение ультразвука в слаболегированном компенсированном $n$-InSb при сверхнизких температурах
Физика твердого тела, 32:9 (1990), 2579–2585
-
Кинетические явления в компенсированном $n$-InSb при низких
температурах (Обзор)
Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 3–24
-
Индуцированный магнитным полем переход металл–диэлектрик в легированном сильнокомпенсированном $n$-InSb
Физика твердого тела, 30:10 (1988), 3118–3125
-
Поглощение ультразвуковых волн в компенсированном $n$-InSb
Физика твердого тела, 29:8 (1987), 2374–2379
-
Определение концентрации свободных электронов в компенсированном
$n$-InSb по поглощению ультразвука
Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 124–128
-
Влияние примесного пробоя на поглощение ультразвука в компенсированном $n$-InSb
Физика твердого тела, 28:11 (1986), 3374–3379
-
Прыжковый механизм электронного поглощения звука в сильно компенсированном $n$-InSb
Физика твердого тела, 28:3 (1986), 701–707
-
Нелинейное поглощение ультразвука в сильно компенсированном $n$-InSb
Физика твердого тела, 27:2 (1985), 499–503
-
Поглощение ультразвука в компенсированном $n$-InSb при низких температурах
Физика твердого тела, 26:7 (1984), 2048–2052
-
О возможности получения и использования эффекта усиления ультразвука полупроводниками в магнитном поле
УФН, 98:4 (1969), 738–739
© , 2026