|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Кросс-релаксация центров, связанных с азотом, в алмазе
Физика твердого тела, 67:11 (2025), 2158–2164
-
NV$^-$-центры в алмазе и карбиде кремния как основа мазеров, работающих при комнатной температуре
Физика твердого тела, 67:9 (2025), 1647–1653
-
Метод полностью оптической векторной магнитометрии по спектроскопии антипересечений уровней спиновых центров в 4H-SiC
Письма в ЖЭТФ, 122:5 (2025), 306–313
-
Микроволново-оптическая спектроскопия поливалентных зарядовых состояний ионов переходных элементов в карбиде кремния
Физика твердого тела, 65:10 (2023), 1802–1814
-
Идентификация оптически активных квартетных спиновых центров на основе вакансии кремния в SiC, перспективных для квантовых технологий
Письма в ЖЭТФ, 118:9 (2023), 639–648
-
Методы диагностики локальных напряжений/деформаций в алмазе при комнатной температуре на основе оптического детектирования магнитного резонанса N$V$-дефектов
Письма в ЖТФ, 49:1 (2023), 43–46
-
Релаксационные процессы и когерентные спиновые манипуляции для триплетных Si-C дивакансий в карбиде кремния, десятикратно обогащенном изотопом $^{13}$C
Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022), 763–769
-
Проявления электронно-ядерных взаимодействий в спектрах высокочастотного ДЭЯР/ОДМР для триплетных Si-C дивакансий в SiC, обогащенном изотопом $^{13}$C
Письма в ЖЭТФ, 116:7 (2022), 481–489
-
Высокочастотная ЭПР-спектроскопия парамагнитных центров марганца в кристаллах GaAs : Mn
Физика твердого тела, 63:11 (2021), 1906–1914
-
Полностью оптическая регистрация сверхтонких электронно-ядерных взаимодействий в спиновых центрах в кристаллах 6H-SiC с модифицированным изотопным составом $^{13}$C
Письма в ЖЭТФ, 114:8 (2021), 533–540
-
Особенности высокочастотной ЭПР/ЭСЭ/ОДМР спектроскопии NV-дефектов в алмазе
Физика твердого тела, 62:11 (2020), 1807–1815
-
Сканирующий оптический квантовый магнитометр, основанный на явлении выжигания провалов
Письма в ЖТФ, 45:10 (2019), 22–26
-
Оптический квантовый термометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении кросс-релаксации спиновых уровней
Письма в ЖТФ, 44:17 (2018), 34–41
-
Оптический квантовый термометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней
Письма в ЖТФ, 43:7 (2017), 70–77
-
Оптический квантовый магнитометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней
Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 22–29
-
Эффект пространственного ограничения и воздействие избыточного
заряда на градиент электрического поля в ZnO
Письма в ЖЭТФ, 95:9 (2012), 534–539
-
Индуцированная оптическим и радиочастотным резонансным излучением спиновая поляризация вакансии Si в SiC: перспективном объекте для спектроскопии одиночных дефектов
Письма в ЖЭТФ, 86:3 (2007), 231–235
© , 2026