RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Бундакова Анна Павловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Кросс-релаксация центров, связанных с азотом, в алмазе

    Физика твердого тела, 67:11 (2025),  2158–2164
  2. NV$^-$-центры в алмазе и карбиде кремния как основа мазеров, работающих при комнатной температуре

    Физика твердого тела, 67:9 (2025),  1647–1653
  3. Метод полностью оптической векторной магнитометрии по спектроскопии антипересечений уровней спиновых центров в 4H-SiC

    Письма в ЖЭТФ, 122:5 (2025),  306–313
  4. Микроволново-оптическая спектроскопия поливалентных зарядовых состояний ионов переходных элементов в карбиде кремния

    Физика твердого тела, 65:10 (2023),  1802–1814
  5. Идентификация оптически активных квартетных спиновых центров на основе вакансии кремния в SiC, перспективных для квантовых технологий

    Письма в ЖЭТФ, 118:9 (2023),  639–648
  6. Методы диагностики локальных напряжений/деформаций в алмазе при комнатной температуре на основе оптического детектирования магнитного резонанса N$V$-дефектов

    Письма в ЖТФ, 49:1 (2023),  43–46
  7. Релаксационные процессы и когерентные спиновые манипуляции для триплетных Si-C дивакансий в карбиде кремния, десятикратно обогащенном изотопом $^{13}$C

    Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022),  763–769
  8. Проявления электронно-ядерных взаимодействий в спектрах высокочастотного ДЭЯР/ОДМР для триплетных Si-C дивакансий в SiC, обогащенном изотопом $^{13}$C

    Письма в ЖЭТФ, 116:7 (2022),  481–489
  9. Высокочастотная ЭПР-спектроскопия парамагнитных центров марганца в кристаллах GaAs : Mn

    Физика твердого тела, 63:11 (2021),  1906–1914
  10. Полностью оптическая регистрация сверхтонких электронно-ядерных взаимодействий в спиновых центрах в кристаллах 6H-SiC с модифицированным изотопным составом $^{13}$C

    Письма в ЖЭТФ, 114:8 (2021),  533–540
  11. Особенности высокочастотной ЭПР/ЭСЭ/ОДМР спектроскопии NV-дефектов в алмазе

    Физика твердого тела, 62:11 (2020),  1807–1815
  12. Сканирующий оптический квантовый магнитометр, основанный на явлении выжигания провалов

    Письма в ЖТФ, 45:10 (2019),  22–26
  13. Оптический квантовый термометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении кросс-релаксации спиновых уровней

    Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  34–41
  14. Оптический квантовый термометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней

    Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  70–77
  15. Оптический квантовый магнитометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней

    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  22–29
  16. Эффект пространственного ограничения и воздействие избыточного заряда на градиент электрического поля в ZnO

    Письма в ЖЭТФ, 95:9 (2012),  534–539
  17. Индуцированная оптическим и радиочастотным резонансным излучением спиновая поляризация вакансии Si в SiC: перспективном объекте для спектроскопии одиночных дефектов

    Письма в ЖЭТФ, 86:3 (2007),  231–235


© МИАН, 2026