|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO$_2$
Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 334–339
-
Формирование светоизлучающих наноструктур в слоях стехиометрического SiO$_2$ при облучении тяжелыми ионами высоких энергий
Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011), 1363–1368
-
Влияние состава слоев SiO$_x$ на формирование в них светоизлучающих наноструктур Si под действием быстрых тяжелых ионов
Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011), 419–424
-
Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO$_2$ при облучении быстрыми тяжелыми ионами
Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010), 544–549
-
Фазовые переходы в пленках $a$-Si:H на стекле при воздействии мощных фемтосекундных импульсов: проявление нелинейных и нетермических эффектов
Письма в ЖЭТФ, 86:2 (2007), 128–131
-
Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния:
численное моделирование
Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1977–1982
-
Рост монокристаллического $\alpha\text{-Si}_{3}\text{N}_{4}$ в захороненных слоях, полученных низкоинтенсивной имплантацией ионов N$^{+}$ в нагретый кремний
Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1390–1393
-
Леонид Степанович Смирнов к 80-летию со дня рождения (1932–2011)
Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 861–863
© , 2026