RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Володин Владимир Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Электронная структура и природа мелких ловушек в обогащенном кремнием SiO$_x$N$_y$: ab initio моделирование

    Физика твердого тела, 67:1 (2025),  126–131
  2. Оптические свойства нестехиометрических оксидов титана

    Оптика и спектроскопия, 133:1 (2025),  57–64
  3. Механизм транспорта заряда в МДП-структурах ITO/[GeO$_x$]$_{(z)}$[SiO$_2$]$_{(1-z)}$ (0.25 $\le z\le1$)/$n^+$-Si

    Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  363–369
  4. Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов

    Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  298–301
  5. Структура и кинетика диспропорционирования тонких пленок GeO

    Физика твердого тела, 66:9 (2024),  1585–1590
  6. Особенности спектров комбинационного рассеяния света гибридными полимерными комплексами поливинилового спирта (ПВС) с CuCl$_2$ и Cu(OH)$_2$/CuO

    Физика твердого тела, 66:6 (2024),  1000–1004
  7. Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF$_2$/Si(111), модифицированных электронным облучением

    Письма в ЖЭТФ, 119:9 (2024),  692–696
  8. Изменение сопротивления тонких пленок Bi$_2$Se$_3$ и гетероструктур Bi$_2$Se$_3$ на графене при растягивающих деформациях

    ЖТФ, 94:2 (2024),  261–266
  9. Определение энергии активации реакции диспропорционирования аморфной пленки GeO$_x$ на кварцевой подложке с использованием спектроскопии комбинационного рассеяния света

    ЖТФ, 93:8 (2023),  1209–1215
  10. Состав и оптические свойства аморфного плазмохимического оксинитрида кремния переменного состава a-SiO$_x$N$_y$ : H

    ЖТФ, 93:4 (2023),  575–582
  11. Основание для пересмотра интерпретации полос в спектрах комбинационного рассеяния сопряженных полимеров

    Оптика и спектроскопия, 131:2 (2023),  260–263
  12. Влияние плотности тока на структуру тонких пленок аморфного субоксида кремния при электронно-пучковом отжиге

    Прикл. мех. техн. физ., 64:5 (2023),  52–58
  13. Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF$_2$

    Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  608–613
  14. Формирование нанокристаллов и аморфных нанокластеров германия в пленках GeO[SiO] и GeO[SiO$_2$] с использованием электронно-пучкового отжига

    ЖТФ, 92:9 (2022),  1402–1409
  15. Структурные и оптические свойства двумерных слоев Si и Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CаF$_2$/Si(111)

    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  748–752
  16. Диффузия германия из захороненного слоя SiO$_2$ и формирование фазы SiGe

    Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  192–198
  17. Высокотемпературный отжиг тонких пленок субоксида кремния, полученных методом газоструйного химического осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой

    Прикл. мех. техн. физ., 63:5 (2022),  33–41
  18. Atomic structure and optical properties of plasma enhanced chemical vapor deposited SiCOH Low-k dielectric film

    Оптика и спектроскопия, 129:5 (2021),  618
  19. Атомная структура и оптические свойства слоев CaSi$_{2}$, выращенных на CaF$_{2}$/Si-подложках

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  725–728
  20. Формирование нанокристаллов германия в пленках GeO[SiO$_{2}$] и GeO[SiO]

    Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  507–512
  21. Золото-индуцированная кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния

    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  35–38
  22. Вертикальное упорядочение аморфных нанокластеров Ge в многослойных гетероструктурах $a$-Ge/$a$-Si:H

    Письма в ЖТФ, 47:12 (2021),  13–16
  23. Электронно-пучковая кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния

    Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  26–28
  24. Проявление квантоворазмерных эффектов в нанокристаллах и аморфных нанокластерах германия в плeнках GeSi$_x$O$_y$

    Физика твердого тела, 62:3 (2020),  434–441
  25. О структуре тонких пленок монооксида германия

    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1296–1301
  26. О влиянии гетерограниц и толщины на кинетику кристаллизации пленок аморфного германия

    Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  643–647
  27. Формирование аморфных нанокластеров и нанокристаллов германия в пленках GeSi$_{x}$O$_{y}$ на кварцевой подложке с использованием печных и импульсных лазерных отжигов

    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  251–258
  28. Индий-индуцированная кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния

    Письма в ЖТФ, 46:12 (2020),  14–17
  29. Фемтосекундный лазерный отжиг многослойных тонкопленочных структур на основе аморфных германия и кремния

    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  43–46
  30. Наноразмерные флуктуации потенциала в SiO$_{x}$, синтезированном плазмохимическим осаждением

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2528–2535
  31. Колебательные и светоизлучающие свойства гетероструктур Si/Si$_{(1-x)}$Sn$_x$

    Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019),  371–374
  32. Использование спектральной эллипсометрии и спектроскопии комбинационного рассеяния света в скрининговой диагностике колоректального рака

    Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  170–176
  33. Люминесцентные свойства высокоомного кремния, облученного тяжелыми ионами высоких энергий

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1467–1470
  34. Комбинационное рассеяние света в сферических нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в пленках оксида кремния

    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  502–507
  35. Кристаллизация плeнок аморфного германия и многослойных структур $a$-Ge/$a$-Si под действием наносекундного лазерного излучения

    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  423–429
  36. Строение и электронная структура нестехиометрического обогащенного металлом ZrO$_x$

    Письма в ЖЭТФ, 108:4 (2018),  230–235
  37. Оптические свойства нестехиометрического оксида тантала TaO$_{x}$ ($x<$ 5/2) по данным спектроэллипсометрии и комбинационного рассеяния

    Оптика и спектроскопия, 124:6 (2018),  777–782
  38. Формирование светоизлучающих в ИК-диапазоне нанокристаллов германия в плeнках Ge:SiO$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1056–1065
  39. Запрещенное резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GaAs/AlAs: эксперимент и расчеты

    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  569–574
  40. New method of porous Ge layer fabrication: structure and optical properties

    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  517
  41. Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiO$_{x}$N$_{y}$ при отжиге под высоким давлением

    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  280–284
  42. Локальные колебания связей кремний–кремний в нитриде кремния

    Письма в ЖТФ, 44:10 (2018),  37–45
  43. Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия

    Письма в ЖЭТФ, 105:5 (2017),  305–310
  44. Формирование и исследование $p$–$i$–$n$-структур на основе двухфазного гидрогенизированного кремния со слоем германия в $i$-области

    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1420–1425
  45. Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1289–1294
  46. Оптические свойства $p$–$i$–$n$-структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния, сформированными с применением наносекундных лазерных отжигов

    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  952–957
  47. Длинноволновый сдвиг края поглощения в растянутых слоях Ge

    Письма в ЖЭТФ, 101:6 (2015),  455–458
  48. Анизотропия длинноволновых оптических фононов в сверхрешетках GaAs/AlAs

    Письма в ЖЭТФ, 99:7 (2014),  463–466
  49. Эффект гидростатического давления в процессе отжига пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода

    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1339–1343
  50. Сравнение разных способов переноса графена и мультиграфена, выращенных методом химического газофазного осаждения, на изолирующую подложку SiO$_2$/Si

    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  827–823
  51. Комбинационное рассеяние света в пленках PbTe и PbSnTe: фазовые трансформации in situ в процессе измерений

    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  185–189
  52. Кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием термических миллисекундных импульсов

    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  591–597
  53. Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO$_2$

    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  334–339
  54. Anomalous temperature dependence of photoluminescence in GeO$_{x}$

    Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012),  472–476
  55. Свертка ветвей акустических фононов в направлении, перпендикулярном нанофасеткам, в сверхрешетках GaAs/AlAs (311)А

    Письма в ЖЭТФ, 95:2 (2012),  76–79
  56. Квантово-размерный эффект в пленках кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1309–1313
  57. Анизотропия фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs (311)

    Физика твердого тела, 53:2 (2011),  377–379
  58. Femtosecond pulse crystallization of thin amorphous hydrogenated films on glass substrates using near ultraviolet laser radiation

    Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011),  665–668
  59. Формирование светоизлучающих наноструктур в слоях стехиометрического SiO$_2$ при облучении тяжелыми ионами высоких энергий

    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1363–1368
  60. Кристаллизация пленок аморфного гидрогенизированного кремния с применением фемтосекундных лазерных импульсов

    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  268–273
  61. Формирование нанокристаллов кремния в пленке SiN$_x$ на лавсане с применением фемтосекундных импульсных обработок

    Письма в ЖТФ, 37:13 (2011),  62–69
  62. Формирование и кристаллизация нанокластеров кремния в пленках SiN$_x$:H с применением фемтосекундных импульсных отжигов

    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1660–1665
  63. Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев, полученных совместным распылением разнесенных в пространстве источников SiO$_2$ и Si

    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  550–555
  64. Модификация нанокластеров Ge в пленках GeO$_x$ при изохронных печных и импульсных отжигах

    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  102–110
  65. Экспериментальное обнаружение анизотропии фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs (100)

    Письма в ЖЭТФ, 89:8 (2009),  483–485
  66. Quasi-direct optical transitions in Ge nanocrystals embedded in GeO$_2$ matrix

    Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  84–88
  67. Фазовые переходы в пленках $a$-Si:H на стекле при воздействии мощных фемтосекундных импульсов: проявление нелинейных и нетермических эффектов

    Письма в ЖЭТФ, 86:2 (2007),  128–131
  68. Электрон-фононное взаимодействие в легированных бором нанокристаллах кремния: влияние интерференции Фано на спектр комбинационного рассеяния света

    Письма в ЖЭТФ, 82:2 (2005),  91–94
  69. Проявление локализации фононов в наноостровках Ge в спектрах комбинационного рассеяния света

    Письма в ЖЭТФ, 81:7 (2005),  415–418
  70. Видимая фотолюминесценция нанопорошков кремния, созданных испарением кремния мощным электронным пучком

    Письма в ЖЭТФ, 80:8 (2004),  619–622
  71. Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si

    Письма в ЖЭТФ, 79:7 (2004),  411–415
  72. Фотолюминесценция в пленках GeO2, содержащих нанокристаллы германия

    Письма в ЖЭТФ, 77:8 (2003),  485–488
  73. Точное решение релятивистского волнового уравнения Клейна–Гордона

    Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 31:6 (1991),  877–886

© МИАН, 2026