RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Вуль Александр Яковлевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Стабильные золи карбоксилированных алмазных наночастиц в диметилсульфоксиде

    ЖТФ, 95:2 (2025),  373–384
  2. Механизм синтеза макроскопических монокристаллов из алмазных наночастиц при высоких давлениях и температурах

    Письма в ЖТФ, 51:7 (2025),  32–35
  3. Алмазные наночастицы как контрастный агент для магнитно-резонансной томографии

    ЖТФ, 94:9 (2024),  1474–1482
  4. Исследование влияния содержания водорода на проводимость нанокристаллических алмазных пленок

    Письма в ЖТФ, 48:2 (2022),  37–40
  5. Исследование нелегированных нанокристаллических алмазных пленок, выращенных из газовой фазы в плазме СВЧ разряда

    Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  49–58
  6. Теплопроводность наножидкостей: влияние формы частиц

    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  45–47
  7. Энергетический спектр электронов глубоких примесных центров в широкозонных полупроводниках мезоскопических размеров

    Письма в ЖЭТФ, 112:12 (2020),  807–812
  8. Photoand cathodoluminescence spectra of diamond single crystals formed by sintering of detonation nanodiamond

    Наносистемы: физика, химия, математика, 10:1 (2019),  12–17
  9. Эволюция триплетных парамагнитных центров в алмазах, получаемых спеканием детонационных наноалмазов при высоком давлении и температуре

    Физика твердого тела, 60:4 (2018),  719–725
  10. Chemical composition of surface and structure of defects in diamond single crystals produced from detonation nanodiamonds

    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018),  21–24
  11. Идентификация парамагнитных центров азота (Р1) в алмазных кристаллитах, получаемых спеканием детонационных наноалмазов при высоком давлении и температуре

    Физика твердого тела, 59:6 (2017),  1125–1132
  12. Рост микрокристаллов алмаза по механизму ориентированного присоединения при высоком давлении и температуре

    Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  21–29
  13. Магнитная диагностика алмазной наночастицы с поверхностью, модифицированной ионами гадолиния

    Физика твердого тела, 57:11 (2015),  2245–2250
  14. Определение содержания и энергии связи водорода в алмазных пленках

    Письма в ЖТФ, 41:11 (2015),  56–61
  15. Структура наноалмазов, полученных методом лазерного синтеза

    Физика твердого тела, 55:8 (2013),  1633–1639
  16. Оптические свойства гидрозолей детонационных наноалмазов

    Физика твердого тела, 54:3 (2012),  541–548
  17. Аэрозольное нанесение детонационных наноалмазов в качестве зародышей роста нанокристаллических алмазных пленок и изолированных частиц

    ЖТФ, 81:5 (2011),  132–138
  18. Управление шириной запрещенной зоны оксида графита дозированным восстановлением в водороде

    Письма в ЖТФ, 37:20 (2011),  1–8
  19. Прозрачные и проводящие наноалмазные пленки, легированные бором

    Письма в ЖТФ, 37:7 (2011),  64–71
  20. Свободные графеновые пленки из терморасширенного графита

    ЖТФ, 80:9 (2010),  146–149
  21. Обнаружение и идентификация азотных центров в наноалмазах методами электронного парамагнитного резонанса

    Письма в ЖЭТФ, 89:8 (2009),  473–477
  22. Рецензия на книгу Я.А.Федотова “Интегральная электроника сверхвысоких частот”

    Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1156
  23. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики кремниевых ПДП структур с толщиной диэлектрика менее 50 ангстрем

    Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  146–149
  24. Кинетика окисления кремния и структура окисных слоев толщиной менее 50 ангстрем

    Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  111–121
  25. Процессы токопрохождения сквозь туннельно-прозрачный диэлектрик ПТДП-структуры

    Физика твердого тела, 33:6 (1991),  1784–1791
  26. Полевой транзистор с $p{-}n$-переходом в качестве затвора на основе твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

    Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1718–1720
  27. Влияние потока водорода на параметры слоев GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 17:13 (1991),  76–81
  28. Стационарное лавинное умножение фототока в структурах металл$-$проводящий диэлектрик$-$полупроводник

    Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  15–18
  29. Вольт-амперная характеристика МТДП структур в режиме стационарного лавинного пробоя

    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1729–1732
  30. Фотодиоды на анизотипных кремниевых ПДП структурах

    ЖТФ, 57:4 (1987),  810–812
  31. Влияние неоднородного распределения примесей на фотоэлектрические характеристики резисторных структур на основе твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$

    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  804–809
  32. Дрейфовые барьеры в эпитаксиальных слоях нелегированных твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  662–665
  33. Фотомагнитный “нуль”-датчик на основе варизонного полупроводника

    Письма в ЖТФ, 13:10 (1987),  591–593
  34. Кинетика фотоответа и механизм протекания тока в кремниевых структурах полупроводник–тонкий диэлектрик–полупроводник

    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1444–1450
  35. Корреляционное распределение примесей в нелегированных эпитаксиальных слоях твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1227–1233
  36. Анализ обратных ветвей вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов в твердых растворах соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  451–456
  37. Прямое наблюдение высокоомных областей в эпитаксиальных слоях $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$

    Письма в ЖТФ, 12:15 (1986),  912–916
  38. Р-П структуры на основе твердых растворов $Al\,As-Ga$, $As-Ga\,Sb$ с управляемой полосой спектральной чувствительности

    Письма в ЖТФ, 12:12 (1986),  764–767
  39. Усиление фототока в кремниевых структурах полупроводник–диэлектрик–полупроводник

    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  520–524
  40. Фотопроводимость гетероструктур с квантовыми ямами

    Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  257–261
  41. Поверхностно-барьерные структуры на основе твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1081–1086
  42. Высокоселективный фоторезистор на основе твердых растворов в системе $Ga\,As-Ga\,Sb$

    Письма в ЖТФ, 11:12 (1985),  717–720
  43. Арсенид-галлиевый фотокатод с интегральной чувствительностью $3200$ мкА/лм

    Письма в ЖТФ, 11:10 (1985),  602–605
  44. Высокоэффективный быстродействующий фоторезистор большой площади на диапазон длин волн $0.9$–$1.1$ мкм

    Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  7–11
  45. Кинетика фотоответа туннельных МДП структур

    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1471–1477
  46. Фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник с туннельно-прозрачным слоем диэлектрика

    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1361–1376
  47. К вопросу о механизме пробоя $p{-}n$-переходов на основе твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  134–138

  48. Специальный выпуск по материалам Международной конференции “Наноуглерод и Алмаз” (НиА'2024)

    ЖТФ, 95:3 (2025),  437
  49. Специальный выпуск по материалам Международной конференции "Наноуглерод и Алмаз" (НиА'2024)

    ЖТФ, 95:2 (2025),  201
  50. Обнаружение методом электронного парамагнитного резонанса гигантской концентрации азотно-вакансионных дефектов в детонационных наноалмазах, подвергнутых спеканию

    Письма в ЖЭТФ, 92:2 (2010),  106–110

© МИАН, 2026