Иконников Антон Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Одновременное наблюдение циклотронного резонанса дырок и электронов в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe в условиях эффекта “оптического затвора”
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:11 (2023),  860–868
2. $PT$-симметричная фотопроводимость, стимулированная микроволновым излучением, в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  341–345
3. Природа структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTe
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:8 (2022),  535–543
4. Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  705–710
5. Температурная зависимость уровня Ферми в узкозонных объемных пленках HgCdTe при различной концентрации вакансий ртути
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  465–471
6. Роли элементов гетероструктуры на основе топологической фазы Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te в эффекте $PT$-симметричной терагерцовой фотопроводимости
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021),  548–552
7. Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:6 (2021),  399–405
8. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах магнитопоглощения квантовых ям HgTe/CdHgTe с инвертированной зонной структурой
   
   Письма в ЖЭТФ, 112:8 (2020),  541–546
9. Зондирование состояний двухзарядного акцептора в гетероструктурах на основе CdHgTe с помощью оптического затвора
   
   Письма в ЖЭТФ, 111:10 (2020),  682–688
10. Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb$_{0.74}$Sn$_{0.26}$Te(In) с модифицируемой поверхностью
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  896–901
11. Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ во внешних магнитных полях
    
    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1573–1578
12. Магнитопоглощение в квантовых ямах HgCdTe/CdHgTe в наклонных магнитных полях
    
    Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  184–190
13. Особенности спектров примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) при изменении температуры
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1303–1308
14. Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1297–1302
15. Поляризационно-чувствительная фурье-спектроскопия квантовых ям HgTe/CdHgTe в дальнем ИК диапазоне в магнитном поле
    
    Письма в ЖЭТФ, 108:5 (2018),  352–358
16. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1486–1490
17. Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1274–1279
18. Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1263–1267
19. THz stimulated emission from simple superlattice in positive differential conductivity region
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  463
20. Магнитопоглощение дираковских фермионов в бесщелевых “трехслойных” квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 106:11 (2017),  696–701
21. Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1621–1629
22. Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1588–1593
23. Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  40–44
24. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах
    
    Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  86–94
25. Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1713–1719
26. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1697–1700
27. Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1554–1560
28. Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  932–936
29. Перестройка частоты излучения терагерцового квантового каскадного лазера
    
    Письма в ЖТФ, 42:5 (2016),  15–23
30. Обменное усиление $g$-фактора электронов в двумерном полуметалле в квантовых ямах HgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1676–1682
31. Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se и их использование для спектроскопии твердого тела
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1672–1675
32. Исследование магнитопоглощения при различных температурах в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1660–1664
33. Магнитопоглощение в узкозонных эпитаксиальных слоях HgCdTe в терагерцовом диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1569–1574
34. Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1446–1450
35. Циклотронный резонанс в узкозонных гетероструктурах на основе HgTe/CdTe(013) в квантующих магнитных полях
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012),  452–456
36. Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010),  837–841
37. Спиновое расщепление в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с квантовыми ямами
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010),  65–68
38. Латеральный транспорт и дальнее инфракрасное излучение электронов в гетероструктурах In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами в сильном электрическом поле
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1543–1546
39. Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1539–1542
40. Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона с высоким спектральным разрешением
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1514–1518
41. Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  642–648