Спирин Кирилл Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Дисперсия двойного металлического волновода квантово-каскадного лазера в области оптических фононов GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 50:15 (2024),  3–5
2. Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  311–316
3. Активная копланарная линия передач на основе двухбарьерных GaAs/AlAs резонансно-туннельных диодов
   
   Письма в ЖТФ, 49:2 (2023),  14–16
4. Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1401–1404
5. Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1482–1485
6. Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1274–1279
7. Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала
   
   Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1621–1629
8. Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  40–44
9. Обменное усиление $g$-фактора электронов в двумерном полуметалле в квантовых ямах HgTe
   
   Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1676–1682
10. Циклотронный резонанс в квантовых ямах InAs/AlSb в магнитных полях до 45 Тл
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1665–1671
11. Обменное усиление $g$-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  196–203
12. Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1497–1503
13. Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1446–1450
14. Циклотронный резонанс в узкозонных гетероструктурах на основе HgTe/CdTe(013) в квантующих магнитных полях
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012),  452–456
15. Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1424–1429
16. Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010),  837–841
17. Спиновое расщепление в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с квантовыми ямами
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010),  65–68
18. Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1539–1542
19. Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  642–648