Блошкин Алексей Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Повышение эффективности фотоприемных структур на основе квантовых точек Ge/Si модами фотонного кристалла в среднем инфракрасном диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  235–241
2. Фотоэлектрические свойства структур с множественными квантовыми ямами GeSiSn|Ge и релаксированными слоями GeSiSn
   
   Физика твердого тела, 66:11 (2024),  1871–1878
3. Усиление фототока в кремниевых фотодиодах с квантовыми точками Ge гибридными плазмонными и диэлектрическими модами планарного волновода
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  386–392
4. Усиление фототока в слоях квантовых точек Ge/Si модами двумерного фотонного кристалла
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021),  501–506
5. Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  596–601
6. Плазмонное усиление поля металлическими субволновыми решетками на кремнии в ближнем ИК-диапазоне
   
   Письма в ЖЭТФ, 110:6 (2019),  393–399
7. Плазмонное усиление поля в фотоприемниках среднего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si с различной толщиной активной зоны
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  206–210
8. Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  342–347
9. Suppression of hole relaxation in small-sized Ge/Si quantum dots
   
   Письма в ЖЭТФ, 102:9 (2015),  678–682
10. Деформационно-стимулированная локализация электронов в слоях квантовых точек Ge/Si 2-го типа
    
    Письма в ЖЭТФ, 101:11 (2015),  846–850
11. Процесс захвата дырок в гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1065–1069
12. Double-occupancy probability and entanglement of two holes in double Ge/Si quantum dots
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010),  43–46
13. Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 90:8 (2009),  621–625
14. Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа
    
    Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006),  189–194
15. Бесфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003),  445–449