Якимов Андрей Иннокентьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Повышение эффективности фотоприемных структур на основе квантовых точек Ge/Si модами фотонного кристалла в среднем инфракрасном диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  235–241
2. Усиление фототока в кремниевых фотодиодах с квантовыми точками Ge гибридными плазмонными и диэлектрическими модами планарного волновода
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  386–392
3. Обнаружение “медленного” света в спектрах фототока в слоях квантовых точек Ge/Si, сопряженных с фотонным кристаллом
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:4 (2023),  240–244
4. Усиление фототока в слоях квантовых точек Ge/Si модами двумерного фотонного кристалла
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021),  501–506
5. Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  596–601
6. Плазмонное усиление поля металлическими субволновыми решетками на кремнии в ближнем ИК-диапазоне
   
   Письма в ЖЭТФ, 110:6 (2019),  393–399
7. Плазмонное усиление поля в фотоприемниках среднего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si с различной толщиной активной зоны
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  206–210
8. Локализация поверхностных плазмонных волн в гибридных фотодетекторах с металлическими субволновыми решетками
   
   Письма в ЖЭТФ, 108:6 (2018),  399–403
9. Селективное усиление фототока дырок поверхностными плазмон-поляритонами в слоях квантовых точек Ge/Si
   
   Письма в ЖЭТФ, 105:7 (2017),  419–423
10. Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  342–347
11. Усиление фототока дырок в слоях квантовых точек $\mathrm{Ge/Si}$ с резкой гетерограницей
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:7 (2016),  507–511
12. Suppression of hole relaxation in small-sized Ge/Si quantum dots
    
    Письма в ЖЭТФ, 102:9 (2015),  678–682
13. Деформационно-стимулированная локализация электронов в слоях квантовых точек Ge/Si 2-го типа
    
    Письма в ЖЭТФ, 101:11 (2015),  846–850
14. Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:2 (2014),  99–103
15. Процесс захвата дырок в гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1065–1069
16. Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовых ямах SiGe
    
    Письма в ЖЭТФ, 97:3 (2013),  180–184
17. Электронная структура двойных квантовых точек Ge в Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 96:1 (2012),  77–86
18. Фотоиндуцированное и равновесное поглощение света в квантовых точках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1566–1570
19. Антисвязывающее основное состояние дырок в двойных вертикально связанных квантовых точках Ge/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011),  806–810
20. Double-occupancy probability and entanglement of two holes in double Ge/Si quantum dots
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010),  43–46
21. Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 90:8 (2009),  621–625
22. Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007),  549–552
23. Дырочные состояния в искусственных молекулах, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 85:9 (2007),  527–532
24. Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа
    
    Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006),  189–194
25. Правило Мейера – Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004),  367–371
26. Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003),  1077–1081
27. Многоэлектронные кулоновские корреляции в прыжковом транспорте вдоль слоев квантовых точек
    
    Письма в ЖЭТФ, 78:4 (2003),  276–280
28. Бесфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003),  445–449
29. Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек
    
    Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002),  113–117
30. Пространственное разделение электронов в гетероструктурах Ge/Si(001) с квантовыми точками
    
    Письма в ЖЭТФ, 73:10 (2001),  598–600
31. Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками
    
    УФН, 171:12 (2001),  1371–1373
32. Прыжковая проводимость в промежуточно легированных полупроводниках
    
    Физика твердого тела, 30:2 (1988),  401–406