Грешнов Андрей Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Конкуренция между изотропным и сильно анизотропным вкладами в темп ударной ионизации в прямозонных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  620–628
2. Баллистическое течение двумерных электронов в магнитном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  566–577
3. Краевое легирование в графеновых приборах на подложках SiO$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1681–1685
4. Магнетотранспортная спектроскопия интерфейсных, квантово-ямных и гибридных состояний в структурах с многочисленными слоями HgTe толщиной 16 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  947–952
5. О скорости ударной ионизации в прямозонных полупроводниках
   
   Письма в ЖЭТФ, 105:9 (2017),  554–558
6. Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах
   
   ЖТФ, 87:3 (2017),  419–426
7. Квантовый эффект Холла в полупроводниковых системах с квантовыми точками и антиточками
   
   Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  494–502
8. О роли двумерных фононов в возможности наблюдения квантового эффекта Холла в графене при комнатной температуре
   
   Письма в ЖЭТФ, 100:8 (2014),  577–582
9. О влиянии электрон-фононного взаимодействия на температурные зависимости магнетотранспорта в квантово-холловских системах
   
   Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  242–248
10. Проявление полуметаллического состояния в циклотронном резонансе низкосимметричных квантовых ям на основе HgTe
    
    Письма в ЖЭТФ, 97:2 (2013),  108–113
11. Высокочастотная модуляция света при дифракции на брэгговской решетке с бегущей волной показателя преломления
    
    ЖТФ, 82:9 (2012),  39–43
12. Квантовые поправки к проводимости в условиях целочисленного квантового эффекта Холла
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  779–787
13. Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  425–431
14. Генерация чисто спиновых токов при фотоионизации квантовых ям
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010),  40–42
15. Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле
    
    Письма в ЖЭТФ, 76:4 (2002),  258–262