Зегря Георгий Георгиевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Увеличение жесткости фибробластов вследствие фармакологической активации механочувствительных ионных каналов Piezo1
   
   Письма в ЖТФ, 52:2 (2026),  42–46
2. Механизмы оже-рекомбинации в полупроводниковых наногетероструктурах. Часть 2. Квантовые нити и квантовые точки (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  573–600
3. Механизмы оже-рекомбинации в полупроводниковых наногетероструктурах. Часть 1. Квантовые ямы (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 59:9 (2025),  540–561
4. Скорость горения и время срабатывания воспламенительных составов на основе пористого кремния
   
   Письма в ЖТФ, 51:7 (2025),  43–45
5. Особенности инициирования сильноточным электронным пучком энергокомпозитов на основе пористого кремния с добавками борида и графена
   
   ЖТФ, 94:1 (2024),  119–124
6. Конкуренция между изотропным и сильно анизотропным вкладами в темп ударной ионизации в прямозонных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  620–628
7. Предельная толщина стенок пор, формирующихся в процессах анодного травления сильнолегированных полупроводников
   
   ЖТФ, 93:2 (2023),  281–285
8. Оптическое и электронно-пучковое инициирование пленок пористого кремния с различным содержанием окислителя и графена
   
   ЖТФ, 92:11 (2022),  1699–1704
9. Сравнительный анализ эффективности электролюминесценции в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных соединений А$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  479–485
10. Скорость горения порошкообразного пористого кремния в условиях ограниченного пространства
    
    Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  7–10
11. Пьезоэлектрические свойства пористого кремния
    
    Письма в ЖЭТФ, 114:10 (2021),  680–684
12. Лазерный эффект при взрыве пористого кремния
    
    Письма в ЖЭТФ, 114:4 (2021),  263–268
13. Erratum to: Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions
    
    ЖТФ, 91:2 (2021),  367
14. Энергетический спектр электронов глубоких примесных центров в широкозонных полупроводниках мезоскопических размеров
    
    Письма в ЖЭТФ, 112:12 (2020),  807–812
15. Лазерное инициирование энергонасыщенных композитов на основе нанопористого кремния
    
    ЖТФ, 90:10 (2020),  1708–1714
16. Чувствительность к механическим воздействиям бинарных смесей на основе нанопористого кремния
    
    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  48–51
17. Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb
    
    ЖТФ, 89:10 (2019),  1592–1597
18. Влияние типа проводимости и уровня легирования кристаллов кремния на размеры каналов пор, формирующихся в них при анодном травлении в растворах плавиковой кислоты
    
    ЖТФ, 89:10 (2019),  1575–1584
19. Возможности энергонасыщенных композитов на основе нанопористого кремния (обзор и новые результаты)
    
    ЖТФ, 89:3 (2019),  397–403
20. Механизм генерации синглетного кислорода на поверхности возбужденного нанопористого кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1485–1496
21. Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления
    
    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  450–455
22. Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  273–276
23. Влияние уровня легирования исходных монокристаллов кремния на параметры структуры пористого кремния, полученного методом электрохимического травления
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  3–6
24. Влияние добавок шунгита на электрический пробой перхлората аммония
    
    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  44–46
25. Внутризонное поглощение излучения свободными дырками в квантовых ямах GaAs/InGaAs с учетом несферичности $kP$-гамильтониана
    
    Письма в ЖТФ, 45:10 (2019),  9–12
26. Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  207–220
27. Механизм генерации синглетного кислорода в присутствии возбужденного нанопористого кремния
    
    Письма в ЖТФ, 44:11 (2018),  53–62
28. О скорости ударной ионизации в прямозонных полупроводниках
    
    Письма в ЖЭТФ, 105:9 (2017),  554–558
29. Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1196–1201
30. Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  501–506
31. Возбуждение взрывчатых превращений в энергонасыщенных соединениях на основе нанопористого кремния с помощью полупроводниковых быстродействующих ключей и энерговыделяющих элементов
    
    Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  57–63
32. Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  794–800
33. Роль акустоэлектронного взаимодействия в формировании нанометровой периодической структуры адатомов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  318–323
34. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te: учет излучательной рекомбинации
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1206–1211
35. Влияние непараболичности энергетического спектра электронов и легких дырок на оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs$_{0.86}$Sb$_{0.14}$/AlSb
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  617–627
36. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te : учет оже-процессов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  444–448
37. Оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs$_{0.84}$Sb$_{0.16}$/AlSb
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1217–1227
38. Влияние непараболичности энергетического спектра носителей заряда на оптические характеристики гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs$_{0.84}$Sb$_{0.16}$/AlSb
    
    Письма в ЖТФ, 40:20 (2014),  1–8
39. Роль обменного взаимодействия в безызлучательном переносе энергии между полупроводниковыми квантовыми точками
    
    Письма в ЖТФ, 40:8 (2014),  64–69
40. Роль электрон-электронного взаимодействия в процессе захвата носителей заряда в гетероструктурах с глубокими квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1347–1355
41. Время жизни носителей заряда в квантовых точках при низких температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  24–29
42. Квантовый каскадный лазер в поперечном магнитном поле. Модель открытой трехбарьерной активной зоны
    
    Письма в ЖТФ, 39:11 (2013),  52–62
43. Резонансный кулоновский захват электронов в глубокую квантовую яму
    
    Письма в ЖТФ, 39:5 (2013),  54–60
44. Безызлучательный резонансный перенос энергии между двумя полупроводниковыми квантовыми точками
    
    Письма в ЖТФ, 39:1 (2013),  39–46
45. Векторная модель Гейзенберга–Дирака–ван-Флека для одномерной антиферромагнитной цепочки локализованных $S$ = 1 спинов
    
    ЖТФ, 82:2 (2012),  10–16
46. Оптические переходы в квантовых ямах на основе Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te и их анализ с учетом особенностей зонной структуры
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  792–797
47. Излучательная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  32–37
48. Генерация чисто спиновых токов при фотоионизации квантовых ям
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010),  40–42
49. Расчет потенциала и электронной плотности для напряженной полупроводниковой квантовой точки
    
    Письма в ЖТФ, 36:24 (2010),  1–8
50. Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле
    
    Письма в ЖЭТФ, 76:4 (2002),  258–262
51. Новый механизм охлаждения квантовых систем током
    
    Письма в ЖЭТФ, 74:6 (2001),  346–351
52. Длинноволновый сдвиг края усиления в полупроводниковых гетеролазерах
    
    Физика твердого тела, 34:4 (1992),  1224–1230
53. Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsSbP/InAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  246–256
54. Термомагнитная генерация переменного тока при конвективной неустойчивости с обратной связью
    
    Физика твердого тела, 26:10 (1984),  2980–2984


55. Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  476
56. Квазистационарные состояния электрона в многослойной структуре в продольном электрическом и поперечном магнитном полях
    
    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2067–2073
57. Памяти Льва Эммануиловича Гуревича
    
    УФН, 161:6 (1991),  207–209