Яблонский Артем Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Моделирование транспортных и излучательных характеристик светоизлучающего латерального кремниевого $p^+$–$i$–$n^+$-транзистора с самоформирующимися Ge(Si)-наноостровками
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  242–249
2. Ретрансляция возбуждения люминесценции при каскадных переходах в гибридных наноструктурах на основе ННК InP/InAsP/InP И КТ CdSe/ZnS-TOPO
   
   Оптика и спектроскопия, 131:10 (2023),  1403–1411
3. Влияние условий оптического возбуждения на спектральные и временны́е характеристики излучения двумерных фотонных кристаллов с Ge(Si)-наноостровками
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  251–258
4. Планарные (латеральные) светоизлучающие диоды с Ge(Si)-наноостровками, встроенными в фотонный кристалл
   
   Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  12–15
5. Люминесцентный отклик фотонных кристаллов со встроенными Ge наноостровками с различной глубиной травления отверстий
   
   Письма в ЖТФ, 49:10 (2023),  29–32
6. Фотолюминесценция растянутых Ge микромостиков при различных температурах: эксперимент и моделирование
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  954–960
7. Излучательные свойства ап-конверсионных покрытий, формируемых на основе ксерогелей титаната бария, легированных эрбием
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  713–718
8. Формирование и исследование оптических свойств локально растянутых Ge микроструктур, встроенных в резонаторы
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  420–426
9. Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1150–1157
10. Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  822–829
11. Влияние условий роста и уровня легирования на кинетику люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  685–690
12. Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  129–137
13. Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1395–1400
14. Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1366–1371
15. Локально деформированные структуры Ge/SOI с улучшенным теплоотводом как активная среда для кремниевой оптоэлектроники
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1360–1365
16. Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1354–1359
17. Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1331–1336
18. Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1028–1033
19. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582
20. Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  695–698
21. Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1629–1633
22. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1455–1458
23. Спектры возбуждения и кинетика фотолюминесценции в структурах с самоформирующимися Ge(Si) наноостровками
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1458–1462
24. Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  15–20
25. Кинетика фотолюминесценции самоформирующихся Ge(Si) островков в многослойных структурах SiGe/Si и SiGe/SOI
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1509–1512
26. Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  621–625
27. Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах
    
    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  401–406
28. Механизм подзонного возбуждения фотолюминесценции ионов эрбия в кремнии в условиях интенсивной оптической накачки
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1435–1439
29. Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1402–1407
30. Определение сечения возбуждения фотолюминесценции иона Er в кремнии в случае однородного и неоднородного оптического возбуждения
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1398–1401
31. Метод спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, модифицированный для исследования структур с самоформирующимися Ge(Si)/Si(001) наноостровками
    
    Письма в ЖТФ, 38:18 (2012),  7–15
32. Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженными Si-слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  202–206
33. Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si$_{1-x}$Ge$_x$:Er/Si с релаксированным гетерослоем
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1527–1532
34. Кинетика терагерцовой фотопроводимости в $p$-Ge в условиях примесного пробоя
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1523–1526
35. Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1519–1522
36. Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1511–1513
37. Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  422–429
38. Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур SiGe/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  346–351
39. Переключение длины волны стимулированного излучения в лазерных гетероструктурах InGaAs/AlGaInAs при оптической накачке
    
    Квантовая электроника, 39:3 (2009),  247–250
40. Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP
    
    Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008),  905–907
41. Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками
    
    Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002),  425–429