Кудрявцев Константин Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сверхбыстрая кинетика люминесценции и эффекты локализации неравновесных носителей в вырожденных слоях $n$-InGa
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:8 (2025),  688–695
2. Фотоиндуцированная перенормировка запрещенной зоны в вырожденных узкозонных эпитаксиальных пленках $n$-InGaN
   
   Физика и техника полупроводников, 59:9 (2025),  563–570
3. Формирование планарных структур с InGaN-слоями для источников света красного диапазона длин волн
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  406–413
4. Резонансная оже-рекомбинация в квантовых ямах HgTe/CdHgTe для лазеров среднего инфракрасного диапазона
   
   Письма в ЖТФ, 51:16 (2025),  35–38
5. Влияние отношения потоков III и V групп на структурные, излучательные свойства и стимулированное излучение планарных структур с InGaN-слоями в ИК диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  220–225
6. Особенности формирования объемных слоев In$_x$Ga$_{1-x}$N в зоне несмешиваемости твердых растворов ($x\sim$ 0.6) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  444–450
7. Фотолюминесценция растянутых Ge микромостиков при различных температурах: эксперимент и моделирование
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  954–960
8. Формирование методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота гетероструктур с множественными квантовыми ямами InN/InGaN на сапфире
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  848–854
9. Формирование слоев InGaN средних составов методом МПЭ ПА для лазерных источников красного и ИК диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  700–704
10. Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  766–772
11. Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1163–1168
12. Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  878–883
13. Стимулированное излучение на длине волны $2.86$ мкм из метаморфных In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs квантовых ям в условиях оптической накачки
    
    Письма в ЖЭТФ, 110:5 (2019),  297–302
14. Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1159–1163
15. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446
16. Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1384–1389
17. Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1331–1336
18. Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si(111) hybrid substrate
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  509
19. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)
    
    Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  67–74
20. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582
21. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1530–1533
22. Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1679–1684
23. Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  596–599
24. Применение техники годографа к диагностике диодных структур
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1492–1496
25. Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в $p$-Si:B
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  192–195
26. Наблюдение прямозонной электролюминесценции из GaAs-структуры с квантовыми ямами Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  175–178
27. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge
    
    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  72–78
28. Сечение поглощения для перехода $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  913–918
29. Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  900–903
30. Особенности безызлучательной релаксации ионов Er$^{3+}$ в кремниевых эпитаксиальных структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1626–1631
31. Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si : Er/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1513–1516
32. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1486–1488
33. Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1472–1475
34. Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  621–625
35. Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах
    
    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  401–406
36. Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1448–1452
37. Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1414–1418
38. Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si(001)-гетероструктур с самоформирующимися наноостровками
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  230–234
39. Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  132–135
40. Электролюминесценция на длине волны 1.5 мкм в диодных структурах Si : Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1645–1648
41. Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур $p^+/n^+/n$-Si:Er туннельно-пролетного типа
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1533–1538
42. Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP
    
    Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008),  905–907