Красильник Захарий Фишелевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сверхбыстрая кинетика люминесценции и эффекты локализации неравновесных носителей в вырожденных слоях $n$-InGa
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:8 (2025),  688–695
2. Фотоиндуцированная перенормировка запрещенной зоны в вырожденных узкозонных эпитаксиальных пленках $n$-InGaN
   
   Физика и техника полупроводников, 59:9 (2025),  563–570
3. Формирование планарных структур с InGaN-слоями для источников света красного диапазона длин волн
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  406–413
4. Влияние отношения потоков III и V групп на структурные, излучательные свойства и стимулированное излучение планарных структур с InGaN-слоями в ИК диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  220–225
5. Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений
   
   Письма в ЖТФ, 50:10 (2024),  22–25
6. Особенности формирования объемных слоев In$_x$Ga$_{1-x}$N в зоне несмешиваемости твердых растворов ($x\sim$ 0.6) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  444–450
7. Формирование методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота гетероструктур с множественными квантовыми ямами InN/InGaN на сапфире
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  848–854
8. Формирование слоев InGaN средних составов методом МПЭ ПА для лазерных источников красного и ИК диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  700–704
9. Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  766–772
10. Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1150–1157
11. Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  822–829
12. Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1395–1400
13. Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1354–1359
14. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446
15. Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1384–1389
16. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)
    
    Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  67–74
17. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582
18. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1530–1533
19. Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  695–698
20. Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1720–1724
21. Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1685–1689
22. Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1497–1500
23. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1455–1458
24. Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1270–1275
25. Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования
    
    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1133–1137
26. Многофункциональная установка для измерения резонансных оптических откликов полупроводниковых структур в видимом и ближнем ИК-диапазонах с субпикосекундным временным разрешением
    
    ЖТФ, 85:3 (2015),  124–128
27. Применение техники годографа к диагностике диодных структур
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1492–1496
28. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках “напряженный кремний-на-изоляторе” с тонким слоем окисла
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1129–1135
29. Излучательные характеристики лазерных диодов на основе соединений А3В5, выращенных на германиевой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  105–110
30. Сечение поглощения для перехода $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  913–918
31. Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  900–903
32. Особенности безызлучательной релаксации ионов Er$^{3+}$ в кремниевых эпитаксиальных структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1626–1631
33. Гетероструктуры Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  417–420
34. Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si : Er/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1513–1516
35. Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  410–413
36. Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  404–409
37. Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1448–1452
38. Механизм подзонного возбуждения фотолюминесценции ионов эрбия в кремнии в условиях интенсивной оптической накачки
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1435–1439
39. Определение сечения возбуждения фотолюминесценции иона Er в кремнии в случае однородного и неоднородного оптического возбуждения
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1398–1401
40. Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  940–943
41. Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных наноостровков SiGe, выращенных на напряженных буферных слоях Si$_{1-x}$Ge$_x$
    
    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  665–672
42. Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого $p$–$n$-перехода
    
    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  134–139
43. Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре с квантовыми ямами
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011),  890–894
44. Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:7 (2011),  437–441
45. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда $p$–$n$-переходов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1486–1488
46. Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si(001)-гетероструктур с самоформирующимися наноостровками
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  230–234
47. Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженными Si-слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  202–206
48. Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  132–135
49. Электролюминесценция на длине волны 1.5 мкм в диодных структурах Si : Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1645–1648
50. Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур $p^+/n^+/n$-Si:Er туннельно-пролетного типа
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1533–1538
51. Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si$_{1-x}$Ge$_x$:Er/Si с релаксированным гетерослоем
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1527–1532
52. Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1519–1522
53. Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии структур на основе кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  413–417
54. Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 K
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  402–408
55. Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур SiGe/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  346–351
56. Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP
    
    Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008),  905–907
57. Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005),  614–617
58. Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками
    
    Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002),  425–429
59. Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si_1–xGe_x и Si_1–x–yGe_xC_y
    
    УФН, 170:3 (2000),  338–341
60. Теоретическое и экспериментальное исследование ВАХ и ГАХ горячих дырок кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1315–1323
61. Индуцированное циклотронное излучение тяжелых дырок в одноосно деформированном германии
    
    Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  718–722
62. Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при ${H}\not\parallel[001]$
    
    Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  825–828
63. Моделирование явлений переноса горячих дырок кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  585–591
64. Циклотронный резонанс горячих дырок германия
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1233–1238
65. Межподзонные оптические переходы горячих дырок в одноосно деформированном германии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  479–484
66. Отрицательные массы и отрицательная проводимость на циклотронном резонансе в полупроводниках $p$-типа группы A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  101–104
67. Магнитные ловушки горячих дырок в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  484–488
68. Спектральный состав излучения мазера на циклотронном резонансе тяжелых дырок в $Ge$
    
    Письма в ЖТФ, 13:10 (1987),  634–637
69. Люминесценция горячих дырок германия в субмиллиметровом диапазоне длин волн
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  369–377
70. Нелинейный циклотронный резонанс тяжелых дырок германия при стриминге в полях $\mathbf{ E}\parallel\mathbf{H}$
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  944–946


71. Владимир Владиленович Кочаровский (к 70-летию со дня рождения)
    
    УФН, 195:11 (2025),  1247–1248
72. Памяти Роберта Арнольдовича Суриса
    
    УФН, 194:6 (2024),  677–678
73. Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения
    
    ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894
74. К 80-летию со дня рождения Владимира Алексеевича Сабликова
    
    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  481
75. Памяти Николая Николаевича Сибельдина
    
    УФН, 191:3 (2021),  333–334