Седова Ирина Владимировна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптическая спектроскопия метаморфных гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs, излучающими в диапазоне $\sim$ 1.55 мкм
   
   Письма в ЖЭТФ, 123:1 (2026),  3–12
2. Зарядовые состояния одиночных квантовых точек в микрорезонаторной $p{-}n{-}p$ гетероструктуре со встроенной кулоновской блокадой
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:5 (2025),  386–392
3. Однофотонное излучение в С-диапазоне в цилиндрическом микрорезонаторе с квантовыми точками InAs/InGaAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025),  189–193
4. Метаморфные гетероструктуры с квантовыми точками InAs/InGaAs для генерации одиночных фотонов в спектральном С-диапазоне
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:1 (2025),  37–43
5. Молекулярно-пучковая эпитаксия метаморфных гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs, излучающими в телекоммуникационном диапазоне длин волн
   
   Письма в ЖЭТФ, 120:9 (2024),  694–700
6. Эволюция состава естественного окисла на поверхности Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As(100) при взаимодействии с водным раствором сульфида натрия
   
   Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  636–643
7. Пассивация поверхностей AlGaAs(100) растворами сульфида аммония
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  302–312
8. Люминесценция в $p$–$i$–$n$-структурах с компенсированными квантовыми ямами
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  663–673
9. Изменение структуры и люминесцентных свойств пленок ZnSe и ZnCdSe при облучении электронным пучком
   
   Физика твердого тела, 64:2 (2022),  228–236
10. Фотопроводимость и поглощение инфракрасного излучения в квантовых ямах $p$-GaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  629–636
11. Исследование встроенных электрических полей на интерфейсе GaSe/GaAs методом спектроскопии фотоотражения
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1011–1017
12. Эффективный полупроводниковый источник одиночных фотонов красного спектрального диапазона
    
    Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  147–151
13. Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1152–1158
14. Эволюция физико-химических свойств поверхности GaSb(100) в растворах сульфида аммония
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  908–916
15. Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой
    
    Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018),  201–205
16. Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  94–102
17. Влияние растворителя сульфида аммония на пассивацию поверхности GaSb(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1138–1145
18. Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  56–62
19. Фотоотражение антимонида индия
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2307–2313
20. Резонансный перенос энергии в плотном массиве II–VI квантовых точек
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2175–2179
21. Изолированные (квантовые) излучатели, сформированные с участием дефектов, в гетероструктуре ZnSe/ZnMgSSe
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016),  108–113
22. Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1726
23. Гетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnTe для излучателей одиночных фотонов, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 42:24 (2016),  64–71
24. Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  40–48
25. Молекулярно-пучковая эпитаксия короткопериодных сверхрешеток ZnSSe/CdSe для применения в многопереходных солнечных элементах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$/A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1024–1030
26. Оптические исследования вертикального транспорта носителей в переменно-напряженной сверхрешетке ZnS$_{0.4}$Se$_{0.6}$/CdSe
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  364–369
27. Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  342–348
28. Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных AlGaAs/ Zn(Mn)Se наноструктур с квантовыми точками InAs/AlGaAs вблизи гетеровалентного интерфейса
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  36–43
29. Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  32–35
30. Химическая пассивация подложек InSb (100) в водных растворах сульфида натрия
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  710–716
31. Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра
    
    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  418–422
32. Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  205–209
33. Магнитооптика гетероструктур (Zn,Cd,Mn)Te/ZnTe с малым разрывом потенциала валентной зоны
    
    Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008),  922–926
34. Evidence for Mn$^{2+}$ fine structure in CdMnSe/ZnSe quantum dots caused by their low dimensionality
    
    Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008),  724–728
35. Распределение плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe с накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1097–1100
36. Низкопороговые полупроводниковые лазеры зеленого диапазона с накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерных гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 34:10 (2004),  909–911