RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Баранов Павел Георгиевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Кросс-релаксация центров, связанных с азотом, в алмазе

    Физика твердого тела, 67:11 (2025),  2158–2164
  2. NV$^-$-центры в алмазе и карбиде кремния как основа мазеров, работающих при комнатной температуре

    Физика твердого тела, 67:9 (2025),  1647–1653
  3. Метод полностью оптической векторной магнитометрии по спектроскопии антипересечений уровней спиновых центров в 4H-SiC

    Письма в ЖЭТФ, 122:5 (2025),  306–313
  4. Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки

    Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  367–373
  5. Полностью оптическая сканирующая спектроскопия антипересечения электронных и ядерных спиновых уровней в кристалле 4H-SiC

    Письма в ЖЭТФ, 119:2 (2024),  82–88
  6. Микроволново-оптическая спектроскопия поливалентных зарядовых состояний ионов переходных элементов в карбиде кремния

    Физика твердого тела, 65:10 (2023),  1802–1814
  7. Идентификация оптически активных квартетных спиновых центров на основе вакансии кремния в SiC, перспективных для квантовых технологий

    Письма в ЖЭТФ, 118:9 (2023),  639–648
  8. Обнаружение спектров ЭПР оптически индуцированных носителей со свойствами эффективной массы в дихалькогениде переходного металла WS$_2$

    Письма в ЖЭТФ, 117:9 (2023),  697–703
  9. ODMR active bright sintered detonation nanodiamonds obtained without irradiation

    Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023),  113
  10. Особенности зарядовых состояний железа в полуизолирующем $\beta$-Ga$_2$O$_3$:Fe, идентифицированные методом высокочастотного электронного парамагнитного резонанса

    Письма в ЖТФ, 49:21 (2023),  15–17
  11. Методы диагностики локальных напряжений/деформаций в алмазе при комнатной температуре на основе оптического детектирования магнитного резонанса N$V$-дефектов

    Письма в ЖТФ, 49:1 (2023),  43–46
  12. Наночастицы 6H-SiC, интегрированные с атомно-силовым микроскопом для сканирующих квантовых сенсоров

    Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022),  810–815
  13. Релаксационные процессы и когерентные спиновые манипуляции для триплетных Si-C дивакансий в карбиде кремния, десятикратно обогащенном изотопом $^{13}$C

    Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022),  763–769
  14. Проявления электронно-ядерных взаимодействий в спектрах высокочастотного ДЭЯР/ОДМР для триплетных Si-C дивакансий в SiC, обогащенном изотопом $^{13}$C

    Письма в ЖЭТФ, 116:7 (2022),  481–489
  15. The effect of liquid Silicon on the AlN crystal growth

    Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  527
  16. Высокочастотная ЭПР-спектроскопия парамагнитных центров марганца в кристаллах GaAs : Mn

    Физика твердого тела, 63:11 (2021),  1906–1914
  17. Полностью оптическая регистрация сверхтонких электронно-ядерных взаимодействий в спиновых центрах в кристаллах 6H-SiC с модифицированным изотопным составом $^{13}$C

    Письма в ЖЭТФ, 114:8 (2021),  533–540
  18. Влияние механических напряжений на расщепление спиновых подуровней в 4H-SiC

    Письма в ЖЭТФ, 114:5 (2021),  323–327
  19. Спектроскопия комбинационного рассеяния, инфракрасного поглощения и люминесценции нитрида алюминия, легированного бериллием

    Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  251–255
  20. Влияние антисайт-дефектов в иттрий-алюминиевом гранате на парамагнитные центры Ce$^{3+}$ и Tb$^{3+}$

    Физика твердого тела, 62:11 (2020),  1875–1881
  21. Особенности высокочастотной ЭПР/ЭСЭ/ОДМР спектроскопии NV-дефектов в алмазе

    Физика твердого тела, 62:11 (2020),  1807–1815
  22. Высокотемпературные спиновые манипуляции на центрах окраски в ромбическом политипе карбида кремния 21R-SiC

    Письма в ЖЭТФ, 112:12 (2020),  813–819
  23. Применение высокочастотной ЭПР спектроскопии для идентификации и разделения позиций азота и ванадия в кристаллах и гетероструктурах карбида кремния

    Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  103–110
  24. Особенности высокочастотного спектрометра электронного парамагнитного резонанса с модуляцией частоты

    Письма в ЖТФ, 46:9 (2020),  47–50
  25. Применение высокочастотного ЭПР/ЭСЭ для идентификации примесного состава и электронной структуры керамик на основе гранатов

    Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1864–1872
  26. Сканирующий оптический квантовый магнитометр, основанный на явлении выжигания провалов

    Письма в ЖТФ, 45:10 (2019),  22–26
  27. Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)

    УФН, 189:8 (2019),  849–880
  28. Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)

    УФН, 189:8 (2019),  803–848
  29. Акцепторы III группы с мелкими и глубокими уровнями в карбиде кремния: исследования методами ЭПР и ДЭЯР

    Физика твердого тела, 60:4 (2018),  641–659
  30. Физические основы применения сканирующего зонда со спиновыми центрами в SiC для субмикронного квантового зондирования магнитных полей и температур

    Письма в ЖЭТФ, 108:9 (2018),  643–649
  31. Оптический квантовый термометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении кросс-релаксации спиновых уровней

    Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  34–41
  32. Линейка высокочастотных спектрометров электронного парамагнитного резонанса с микроволновым и оптическим каналами регистрации

    Письма в ЖТФ, 43:8 (2017),  63–70
  33. Оптический квантовый термометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней

    Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  70–77
  34. Электронная структура и пространственное распределение спиновой плотности мелких доноров азота в кристаллической решетке SiC

    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2319–2335
  35. Spin centres in SiC for all-optical nanoscale quantum sensing under ambient conditions

    Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016),  83
  36. Оптический квантовый магнитометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней

    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  22–29
  37. Радиоспектроскопия оптически выстроенных спиновых состояний центров окраски в карбиде кремния

    УФН, 186:6 (2016),  678–684
  38. Точечные дефекты в карбиде кремния как перспективная основа для спектроскопии одиночных дефектов с контролируемыми квантовыми состояниями при комнатной температуре

    Физика твердого тела, 57:5 (2015),  877–885
  39. Проявления спин-зависимой рекомбинации в послесвечении кристаллов оксида цинка

    Физика твердого тела, 57:2 (2015),  267–271
  40. ODMR evidence of electronic cascade in multiple asymmetrical (CdMn)Te quantum wells

    Письма в ЖЭТФ, 102:4 (2015),  257–261
  41. Методы диагностики ориентации NV дефектной структуры в алмазе на основе оптического детектирования магнитного резонанса с модуляцией магнитного поля

    Письма в ЖТФ, 41:12 (2015),  40–47
  42. Семейство парамагнитных центров ионов Ce$^{3+}$ в иттрий-алюминиевом гранате

    Физика твердого тела, 56:6 (2014),  1106–1111
  43. ЭПР-диагностика лазерных материалов на основе кристаллов ZnSe, активированных переходными элементами

    Физика твердого тела, 55:2 (2013),  234–242
  44. ODMR of Mn-related excitations in (Cd,Mn)Te quantum wells

    Письма в ЖЭТФ, 96:4 (2012),  247–251
  45. Эффект пространственного ограничения и воздействие избыточного заряда на градиент электрического поля в ZnO

    Письма в ЖЭТФ, 95:9 (2012),  534–539
  46. Temperature-scanned magnetic resonance and the evidence of two-way transfer of a nitrogen nuclear spin hyperfine interaction in coupled NV–N pairs in diamond

    Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012),  477–480
  47. Безрезонаторная схема оптической регистрации высокочастотного магнитного и циклотронного резонансов в полупроводниках и наноструктурах

    Письма в ЖТФ, 38:19 (2012),  37–43
  48. Идентификация вакансии азота в монокристалле AlN: исследования методами ЭПР и термолюминесценции

    Физика твердого тела, 53:6 (2011),  1121–1125
  49. Обнаружение и идентификация азотных центров в наноалмазах методами электронного парамагнитного резонанса

    Письма в ЖЭТФ, 89:8 (2009),  473–477
  50. Evidence for Mn$^{2+}$ fine structure in CdMnSe/ZnSe quantum dots caused by their low dimensionality

    Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008),  724–728
  51. Индуцированная оптическим и радиочастотным резонансным излучением спиновая поляризация вакансии Si в SiC: перспективном объекте для спектроскопии одиночных дефектов

    Письма в ЖЭТФ, 86:3 (2007),  231–235
  52. Гигантское изменение интенсивности туннельного послесвечения в возбужденных квантовых точках ZnO, индуцированное переориентацией спинов электронно-дырочных пар в статическом и микроволновом магнитных полях

    Письма в ЖЭТФ, 84:7 (2006),  475–479
  53. Обнаружение направленного переноса энергии электронно-дырочной рекомбинации от ионной кристаллической матрицы к самоорганизованным нанокристаллам

    Письма в ЖЭТФ, 82:11 (2005),  822–826
  54. Идентификация триплетного основного состояния и фотоиндуцированной инверсной населенности для дивакансии Si-C в карбиде кремния методом ЭПР

    Письма в ЖЭТФ, 82:7 (2005),  494–497
  55. Обнаружение сигналов магнитного резонанса с аномальной дисперсией и двух типов изолированных центров марганца в кристалле халькопирита (Zn,Mn)GeP$_2$

    Письма в ЖЭТФ, 77:10 (2003),  686–690
  56. Конфайнмент электронно-дырочной рекомбинации в самоорганизованных нанокристаллах AgBr в кристаллической матрице KBr

    Письма в ЖЭТФ, 76:7 (2002),  542–546
  57. ЭПР термически заселенных возбужденных состояний Er$^{3+}$ в гранатах

    Физика твердого тела, 33:3 (1991),  976–979
  58. Оптическое детектирование кросс-релаксационных резонансов в условиях оптической накачки $F$-центров

    Физика твердого тела, 31:11 (1989),  106–111
  59. ОДМР центров серебра в кристалле KCl

    Физика твердого тела, 30:2 (1988),  427–432
  60. Исследование инфракрасной люминесценции кристаллов GaP методом ОДМР

    Письма в ЖТФ, 14:6 (1988),  506–510
  61. Микроволновая спектроскопия высокотемпературных сверхпроводников

    Физика твердого тела, 29:12 (1987),  3710–3713
  62. ЭПР центров эрбия в иттрий-алюминиевом гранате

    Физика твердого тела, 29:4 (1987),  1261–1264
  63. Локальные фазовые переходы в ионных кристаллах с примесями в $S$-состоянии

    Физика твердого тела, 29:2 (1987),  472–479
  64. ОДМР в карбиде кремния, содержащем радиационные дефекты и термодефекты

    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  157–159
  65. ОДМР акцепторов в гексагональном карбиде кремния

    Физика твердого тела, 27:11 (1985),  3459–3461
  66. Оптически детектируемый магнитный резонанс триплетных возбужденных состояний ионов Ge$^{2+}$ в щелочно-галоидных кристаллах

    Физика твердого тела, 27:9 (1985),  2749–2751
  67. ЭПР и оптические исследования ионов Ge$^{+}$ в щелочно-галоидных кристаллах

    Физика твердого тела, 27:7 (1985),  1984–1988
  68. ОДМР в $\alpha-Si\,C$, легированном бором

    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1168–1172
  69. Оптически детектируемый ЭПР на кратных частотах в кристаллах ZnS : Al, ZnS : Se, ZnS : Mn

    Физика твердого тела, 26:12 (1984),  3685–3687
  70. Оптически детектируемый ЭПР в кристаллах GaSe

    Физика твердого тела, 25:11 (1983),  3299–3303
  71. Оптическое детектирование ЭПР по послесвечению облученных кристаллов флюорита

    Физика твердого тела, 25:5 (1983),  1364–1371
  72. Суперсверхтонкие взаимодействия $A_{F}$-центров в щелочно-галоидных кристаллах

    Физика твердого тела, 25:3 (1983),  884–887

  73. Обнаружение методом электронного парамагнитного резонанса гигантской концентрации азотно-вакансионных дефектов в детонационных наноалмазах, подвергнутых спеканию

    Письма в ЖЭТФ, 92:2 (2010),  106–110

© МИАН, 2026