Савинов Сергей Валентинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Many-particle interaction in tunneling spectroscopy of Ge adatoms on Ge(111) surface
   
   Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  919–922
2. Ab initio study of surface electronic structure of phosphorus donor imputiry on Ge(111)-(2$\times$1) surface
   
   Письма в ЖЭТФ, 97:7 (2013),  458–464
3. Ab initio electronic structure of Ge(111)-(2$\times$1) surface in the presence of surface vacancy. Apllication to STM data analysis
   
   Письма в ЖЭТФ, 96:1 (2012),  33–36
4. STM/STS study of C$_{60}$F$_{36}$ molecules adsorption on $7\times 7$–Si(111) surface
   
   Письма в ЖЭТФ, 95:12 (2012),  748–750
5. Metallic glass electronic structure peculiarities revealed by UHV STM/STS
   
   Письма в ЖЭТФ, 94:1 (2011),  58–62
6. Electronic structure of Ge(111)-(2$\times$1) surface in the presence of doping atoms. Ab initio analysis of STM data
   
   Письма в ЖЭТФ, 93:9 (2011),  579–583
7. Формирование пространственных спиралевидных световых структур полимерным наноцилиндром
   
   Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008),  654–658
8. Bias voltage dependent shift of the atomic-scale structure of the Ge(111)-(2$\times$1) reconstructed surface measured by low temperature scanning tunneling microscopy
   
   Письма в ЖЭТФ, 85:6 (2007),  334–339
9. The influence of different impurity atoms on $1/f^\alpha$ tunneling current noise characteristics on InAs(110) surface
   
   Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007),  46–51
10. Ag-induced atomic structures on the Si(110) surface
    
    Письма в ЖЭТФ, 84:6 (2006),  381–384
11. Identifying the electronic properties of the Ge(111)-(2$\times$1) surface by low temperature scanning tunneling microscopy
    
    Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005),  312–316
12. Many particle interaction in tunneling spectroscopy of impurity states on the InAs(110) surface
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:4 (2003),  202–207
13. Coulomb singularity effects in tunnelling spectroscopy of individual impurities
    
    Письма в ЖЭТФ, 76:5 (2002),  345–348
14. Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников
    
    УФН, 170:5 (2000),  575–578
15. Влияние локализованных состояний и межчастичных взаимодействий на диагностику наноструктур методами СТМ/СТС и АСM
    
    УФН, 165:2 (1995),  236–238
16. Влияние локального трения на АСМ-изображение структуры поверхности
    
    Письма в ЖТФ, 17:10 (1991),  24–28
17. Сканирующая туннельная микроскопия в воздушной среде
    
    Докл. АН СССР, 297:6 (1987),  1351–1354
18. Экранирование экситонов в полупроводнике GaSe
    
    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1035–1042