RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Панов Владимир Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Особенности фторирования поверхности золота Au(111) с использованием молекул фторфуллеренов

    Письма в ЖЭТФ, 119:3 (2024),  212–218
  2. Дефторирование молекул C$_{60}$F$_{48}$, адсорбированных на поверхности Cu(001)

    Письма в ЖЭТФ, 111:6 (2020),  396–402
  3. Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах

    УФН, 187:11 (2017),  1147–1168
  4. Many-particle interaction in tunneling spectroscopy of Ge adatoms on Ge(111) surface

    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  919–922
  5. STM/STS study of C$_{60}$F$_{36}$ molecules adsorption on $7\times 7$–Si(111) surface

    Письма в ЖЭТФ, 95:12 (2012),  748–750
  6. Metallic glass electronic structure peculiarities revealed by UHV STM/STS

    Письма в ЖЭТФ, 94:1 (2011),  58–62
  7. Ближнепольная оптическая поляриметрия плазмонных нанорешеток

    Письма в ЖЭТФ, 93:12 (2011),  801–806
  8. Фотоиндуцированная трансляционная подвижность молекул в твердых наноструктурированных пленках из азокрасителя

    Квантовая электроника, 41:11 (2011),  1003–1009
  9. Изменение наноструктуры тонкой твердой пленки азокрасителя AD-1 под действием немодулированного светового излучения

    Квантовая электроника, 40:4 (2010),  286–287
  10. Формирование пространственных спиралевидных световых структур полимерным наноцилиндром

    Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008),  654–658
  11. Bias voltage dependent shift of the atomic-scale structure of the Ge(111)-(2$\times$1) reconstructed surface measured by low temperature scanning tunneling microscopy

    Письма в ЖЭТФ, 85:6 (2007),  334–339
  12. The influence of different impurity atoms on $1/f^\alpha$ tunneling current noise characteristics on InAs(110) surface

    Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007),  46–51
  13. Ag-induced atomic structures on the Si(110) surface

    Письма в ЖЭТФ, 84:6 (2006),  381–384
  14. Surface-plasmon vortices in nanostructured metallic films

    Письма в ЖЭТФ, 82:9 (2005),  678–681
  15. Identifying the electronic properties of the Ge(111)-(2$\times$1) surface by low temperature scanning tunneling microscopy

    Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005),  312–316
  16. Tunneling conductivity features of the new reconstructed phases on the GaN (0001) surface

    Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003),  1068–1072
  17. Many particle interaction in tunneling spectroscopy of impurity states on the InAs(110) surface

    Письма в ЖЭТФ, 77:4 (2003),  202–207
  18. Coulomb singularity effects in tunnelling spectroscopy of individual impurities

    Письма в ЖЭТФ, 76:5 (2002),  345–348
  19. Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников

    УФН, 170:5 (2000),  575–578
  20. Влияние локализованных состояний и межчастичных взаимодействий на диагностику наноструктур методами СТМ/СТС и АСM

    УФН, 165:2 (1995),  236–238
  21. Исследование межкристаллитных границ сверхпроводящей керамики методом атомно-силовой микроскопии

    Письма в ЖТФ, 18:18 (1992),  30–36
  22. Влияние локального трения на АСМ-изображение структуры поверхности

    Письма в ЖТФ, 17:10 (1991),  24–28
  23. Диагностика граничных фаз ВТСП керамик методом атомно-силовой микроскопии

    Письма в ЖТФ, 17:8 (1991),  87–90
  24. Сканирующая туннельная микроскопия монослоев октадекановой кислоты на поверхности графита

    Докл. АН СССР, 315:1 (1990),  91–94
  25. Экспериментальное и теоретическое исследование сил и пространственного разрешения в атомном силовом микроскопе

    ЖТФ, 60:1 (1990),  141–148
  26. Исследование асимметрии атомного изображения поверхностной решетки графита методом СТМ

    Докл. АН СССР, 307:5 (1989),  1104–1108
  27. Ограничение на параметры дальнодействия юкавского типа из атомно-силовой микроскопии

    Докл. АН СССР, 304:5 (1989),  1127–1130
  28. Параметры распределения дивакансий в нейтронно-облученном кремнии

    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1519–1520
  29. Особенности отжига дивакансии в кремнии, содержащем разупорядоченные области

    Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1076–1079
  30. Поведение примеси золота в кремнии при радиационно-термических воздействиях

    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  253–256
  31. Спектроскопия межатомных взаимодействий методом атомно-силовой микроскопии

    Письма в ЖТФ, 15:20 (1989),  5–10
  32. Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций

    УФН, 157:1 (1989),  185–195
  33. Сканирующая туннельная микроскопия фотосинтетических реакционных центров

    Докл. АН СССР, 303:2 (1988),  341–344
  34. Применение емкостной методики DLTS к исследованию полупроводников с неоднородным распределением примесей (дефектов)

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  998–1003
  35. Влияние интенсивности облучения быстрыми нейтронами на процессы дефектообразования в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  692–696
  36. Сканирующая микроскопия поверхности, использующая силы межатомного взаимодействия

    Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  727–731
  37. Нелинейно-оптический метод исследования шероховатости и сканирующая туннельная микроскопия поверхности

    Письма в ЖТФ, 14:4 (1988),  334–338
  38. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия поверхности

    УФН, 155:1 (1988),  155–158
  39. Сканирующая туннельная микроскопия в воздушной среде

    Докл. АН СССР, 297:6 (1987),  1351–1354
  40. Исследование методом емкостной спектроскопии кремния $n$-типа, легированного магнием

    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  684–687
  41. Зависимость скоростей введения дефектных комплексов в кремнии $n$-типа от температуры облучения электронами

    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  573–575
  42. Сканирующий туннельный микроскоп для исследования структурно неоднородных поверхностей

    Письма в ЖТФ, 13:15 (1987),  937–941
  43. Аномально малая диссипация электромагнитных волн в совершенных монокристаллах-диэлектриках

    УФН, 145:1 (1985),  151–153
  44. Перестройка дефектов при больших дозах облучения Si электронами

    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  546–548
  45. Экспериментальное исследование сверхтекучести гелия-II вблизи $\lambda$-точки

    УФН, 140:2 (1983),  335–337
  46. Аномально малая диссипация электромагнитных волн в ионном кристалле

    Докл. АН СССР, 267:1 (1982),  74–75
  47. О предельной стабильности частоты автогенераторов

    Докл. АН СССР, 247:3 (1979),  583–585
  48. О регистрации импульсов тормозного гравитационного излучения от скоплений сверхплотных звезд

    Докл. АН СССР, 221:3 (1975),  573–576
  49. Эквивалентность инертной и гравитационной масс

    УФН, 105:4 (1971),  779–780

© МИАН, 2026