Терехов Александр Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Атомные перестройки и фотоэмиссионные процессы на интерфейсе р-GaN(Cs)-вакуум
   
   Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018),  180–184
2. Испускание фотоэлектронами каскада оптических фононов на интерфейсе p-GaN (Cs,O)-вакуум
   
   Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016),  128–132
3. Нелокальный и локальный механизмы цезий-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности $p$-GaAs(Cs,O)
   
   Письма в ЖЭТФ, 101:6 (2015),  414–418
4. Энергетический порог Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности GaAs(Cs, O)
   
   Письма в ЖЭТФ, 88:8 (2008),  597–600
5. Спин-зависимая фотоэмиссия, обусловленная скачком $g$-фактора электронов на интерфейсе $p$-GaAs(Cs,O)-вакуум
   
   Письма в ЖЭТФ, 83:10 (2006),  525–529
6. Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством
   
   Письма в ЖЭТФ, 79:10 (2004),  592–596
7. Уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100)-(2$\times$4)/c(2$\times$8) под влиянием адсорбированного цезия
   
   Письма в ЖЭТФ, 79:3 (2004),  163–167
8. Преломление термализованных электронов, баллистически эмиттированных в вакуум из $\mathbf{p}^+$-GaAs-(Cs,O)
   
   Письма в ЖЭТФ, 77:4 (2003),  197–201
9. Релаксация импульса фотоэлектронов на поверхности GaAs в эффекте магнитоиндуцированной поляризационно-зависимой фотопроводимости
   
   Физика твердого тела, 32:7 (1990),  2152–2154
10. Захват фотоэлектронов на дефекты поверхности при фотоэмиссии из арсенида галлия в вакуум
    
    Физика твердого тела, 32:4 (1990),  1194–1200
11. Поляризационная зависимость экситонной фотоэдс на границе арсенид галлия$-$металл
    
    Физика твердого тела, 32:3 (1990),  950–952
12. Баллистический фотогальванический эффект на межзонных переходах в арсениде галлия
    
    Физика твердого тела, 30:10 (1988),  3111–3117
13. Механизмы поляризационной зависимости фотопроводимости изотропизованных электронов в кубических полупроводниках
    
    Физика твердого тела, 30:2 (1988),  342–347
14. Термализация фотоэлектронов на границе раздела арсенид галлия–металл. Проявление в спектрах фотоэдс
    
    Физика твердого тела, 26:12 (1984),  3532–3536
15. Определение состава гетероэпитаксиальных структур методом электромодулированной фотолюминесценции
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  551–553
16. Механизмы влияния магнитного поля на баллистические фототоки
    
    Физика твердого тела, 25:9 (1983),  2780–2782