|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Проявление эффекта экранирования электрического поля в процессе генерации терагерцевого излучения в $p$–$n$-гетероструктурах $a$-Si:H/$a$-SiC:H/$c$-Si при фотовозбуждении ультракороткими лазерными импульсами
Письма в ЖТФ, 51:10 (2025), 22–26
-
Генерация терагерцевого излучения в полупроводниках (Обзор)
Физика твердого тела, 65:10 (2023), 1633–1671
-
Возбуждение терагерцевого излучения в $p$–$n$-гетероструктурах на основе $a$-Si:H/$c$-Si
Физика твердого тела, 65:5 (2023), 848–852
-
Генерация терагерцового излучения при фемтосекундном лазерном возбуждении многослойной структуры на основе a-Si:H/a-SiC:H/c-Si
Письма в ЖЭТФ, 116:12 (2022), 825–829
-
Анизотропия терагерцового электромагнитного отклика нитевидных микроструктур композита на основе полипропилена с углеродными нановолокнами
Письма в ЖЭТФ, 115:1 (2022), 10–14
-
Терагерцевые характеристики пленок композита на основе металлоорганического перовскита и оксида графена
Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 7–10
-
Терагерцевое поглощение в композитных пленках на основе металлоорганического перовскита и смешанного эфира целлюлозы
Письма в ЖТФ, 46:10 (2020), 51–54
-
Стимулированное терагерцовое излучение в системе экситонов фотовозбужденного кремния
Письма в ЖЭТФ, 109:12 (2019), 821–825
-
Терагерцовые колебательные моды в пленках перовскитов CH$_3$NH$_3$PbI$_3$ и CsPbI$_3$
Письма в ЖЭТФ, 109:1 (2019), 30–35
-
Внутриэкситонное и внутрицентровое терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении легированного кремния
Письма в ЖЭТФ, 107:9 (2018), 564–568
-
Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых $p$–$n$-структур
Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 632–636
-
Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 932–936
-
Модификация терагерцового электромагнитного отклика полупроводникового полимера полифлуорена частицами оксида графена
Письма в ЖТФ, 42:22 (2016), 56–63
-
Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)
Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 18–23
-
Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении полупроводников IV группы при комнатной температуре
Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 314–318
-
Терагерцовая генерация, обусловленная новыми эффектами в естественной сверхрешетке 6H-SiC
Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 249–253
-
Терагерцовая внутрицентровая фотолюминесценция
кремния с литием при межзонном возбуждении
Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 876–880
-
Генерация когерентного терагерцового излучения поляризованными электронно-дырочными парами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1441–1445
-
Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении слоев GaN
Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1158–1162
-
Терагерцовое излучение, вызванное ванье-штарковской локализацией электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния
Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011), 393–396
-
Взаимодействие терагерцового электромагнитного излучения с системой зонд-объект в терагерцовом безапертурном ближнепольном микроскопе
Письма в ЖЭТФ, 93:3 (2011), 134–138
-
Стабилизация частоты излучения первичного источника субтерагерцового диапазона частотной гребенкой фемтосекундного лазера
Письма в ЖЭТФ, 91:5 (2010), 240–243
-
Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников
Письма в ЖЭТФ, 91:2 (2010), 102–105
-
Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний
Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1443–1446
-
Эффекты запаздывания и нестационарности при генерации терагерцового излучения $e$-$h$ плазмой в полупроводнике
Письма в ЖЭТФ, 88:10 (2008), 748–751
-
Увеличение контраста и разрешения в конфокальной терагерцовой видео-системе
Письма в ЖЭТФ, 88:8 (2008), 567–571
-
Генерация плавно перестраиваемых в широком частотном диапазоне оптических солитонных импульсов в кварцевых световодах с переменной дисперсией
Письма в ЖЭТФ, 85:8 (2007), 446–451
-
Линейно поляризованное терагерцовое излучение в одноосно деформированном Ge(Ga) при пробое примеси электрическим полем
Письма в ЖЭТФ, 83:8 (2006), 410–413
-
Терагерцовая электролюминесценция в условиях пробоя мелкого акцептора в германии
Письма в ЖЭТФ, 79:8 (2004), 448–451
-
Терагерцовая инжекционная электролюминесценция в многопериодных квантово-каскадных структурах AlGaAs/GaAs
Письма в ЖЭТФ, 74:2 (2001), 105–107
© , 2026