Щеглов Дмитрий Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение
   
   Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025),  102–108
2. Регистрация импульсного терагерцового излучения неохлаждаемыми матричными микроболометрическими приемниками
   
   ЖТФ, 94:8 (2024),  1372–1381
3. Взаимодействие атомов In с поверхностью Bi$_2$Se$_3$(0001) в процессе низкотемпературной адсорбции
   
   Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  606–611
4. Фазовый переход $\beta\Longleftrightarrow\beta'$ с температурным гистерезисом в пленках In$_2$Se$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  370–375
5. Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений
   
   Письма в ЖТФ, 50:10 (2024),  22–25
6. Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе
   
   Физика твердого тела, 60:4 (2018),  696–700
7. Квантовые точки AlInAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 105:2 (2017),  93–99
8. Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  443–445
9. Индиевые нанопроволоки на поверхности кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  918–920
10. Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  35–40
11. Комбинационное рассеяние света в пленках PbTe и PbSnTe: фазовые трансформации in situ в процессе измерений
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  185–189
12. Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек
    
    Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013),  313–318
13. Изучение морфологии и оптических свойств анодных оксидных слоев на InAs(111)A
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  532–537
14. Свертка ветвей акустических фононов в направлении, перпендикулярном нанофасеткам, в сверхрешетках GaAs/AlAs (311)А
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:2 (2012),  76–79
15. Модификация нанокластеров Ge в пленках GeO$_x$ при изохронных печных и импульсных отжигах
    
    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  102–110
16. Воздействие электронного пучка на эпитаксиальные слои CaF$_2$ и BaF$_2$ на Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 88:6 (2008),  421–425
17. Кондактанс коротких квантовых проволок с резкими границами
    
    Письма в ЖЭТФ, 86:10 (2007),  752–756
18. Температурная зависимость осцилляций Ааронова–Бома в малых квазибаллистических интерферометрах
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:12 (2005),  762–765
19. Амплитуда осцилляций Ааронова–Бома в малых баллистических интерферометрах
    
    Письма в ЖЭТФ, 79:3 (2004),  168–172
20. Соизмеримые осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:12 (2003),  794–797