Супрун Сергей Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фоточувствительность полевого транзистора металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленки PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон
   
   Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  22–25
2. МДП транзистор на основе пленки PbSnTe : In с подзатворным диэлектриком Al$_2$O$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  243–249
3. Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1122–1128
4. Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  796–800
5. Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоев PbSnTe$\langle$In$\rangle$ с составом вблизи инверсии зон
   
   ЖТФ, 89:11 (2019),  1795–1799
6. Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1207–1211
7. Влияние поверхности на транспортные явления в пленках PbSnTe : In/BaF$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1569–1573
8. Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1713–1719
9. Формирование гетерограницы GaAs-Ge в присутствии окисла
   
   Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  94–97
10. Воздействие электронного пучка на эпитаксиальные слои CaF$_2$ и BaF$_2$ на Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 88:6 (2008),  421–425
11. Накопление заряда в квантовых точках Ge в транзисторной структуре GaAs/ZnSe/KT–Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором
    
    Письма в ЖЭТФ, 78:12 (2003),  1289–1292
12. Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Ge
    
    Письма в ЖЭТФ, 78:3 (2003),  184–187
13. Рамановский $E_1$, $E_1+\Delta _1$ резонанс в ненапряженных квантовых точках германия
    
    Письма в ЖЭТФ, 73:6 (2001),  336–340