Антонов Александр Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Эффекты анизотропного рассеяния в тонких пленках YBCO
   
   Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1254–1261
2. Терагерцовый квантовый каскадный лазер в квантующем магнитном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  433–438
3. Перестройка частоты излучения квантово-каскадного лазера среднего ИК диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  13–15
4. Квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона в магнитных полях
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  196–201
5. Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений
   
   Письма в ЖТФ, 50:10 (2024),  22–25
6. Перестройка частоты излучения арочных квантово-каскадных лазеров среднего инфракрасного диапазона
   
   Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  23–27
7. Критерий определения верхних критических полей $H_{c2}$ в тонких пленках YBCO с разной дозой ионного облучения
   
   Физика твердого тела, 65:6 (2023),  907–913
8. Влияние ионного облучения на электронный транспорт в тонких пленках YBCO
   
   Физика твердого тела, 64:9 (2022),  1162–1168
9. Экспериментальное наблюдение $s$-компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO
   
   Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1434–1439
10. Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ во внешних магнитных полях
    
    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1573–1578
11. Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1621–1629
12. Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  932–936
13. Перестройка частоты излучения терагерцового квантового каскадного лазера
    
    Письма в ЖТФ, 42:5 (2016),  15–23
14. Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se и их использование для спектроскопии твердого тела
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1672–1675
15. Сегрегация Sb в Ge эпитаксиальных слоях и ее использование для селективного легирования структур на основе германия
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1453–1457
16. Особенности безызлучательной релаксации ионов Er$^{3+}$ в кремниевых эпитаксиальных структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1626–1631
17. Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si : Er/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1513–1516
18. Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1446–1450
19. Внутризонная фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками, индуцированная межзонной подсветкой
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1444–1447
20. Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1388–1392
21. Экспериментальное исследование умножителей частоты на полупроводниковых сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот
    
    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  125–129
22. Поляризационная зависимость резонансов Фано в примесной фотопроводимости квантовых ям, легированных мелкими донорами
    
    Физика твердого тела, 53:6 (2011),  1188–1197
23. Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010),  837–841
24. Кинетика терагерцовой фотопроводимости в $p$-Ge в условиях примесного пробоя
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1523–1526
25. Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона с высоким спектральным разрешением
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1514–1518
26. Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1511–1513
27. Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1443–1446
28. Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах $p$-InGaAs/GaAsP
    
    Письма в ЖЭТФ, 88:3 (2008),  229–233