Козлов Дмитрий Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Многофононный захват электронов на состояния вакансий ртути в “широкозонных” слоях HgCdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  458–465
2. Температурное гашение терагерцовой фотолюминесценции мелких акцепторов в твердом растворе HgCdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  432–437
3. Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  421–425
4. Влияние оптических фононов на гашение фотолюминесценции вакансий ртути в узкозонных твердых растворах HgСdTe при повышении температуры
   
   Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1060–1065
5. Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  472–478
6. Температурная зависимость уровня Ферми в узкозонных объемных пленках HgCdTe при различной концентрации вакансий ртути
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  465–471
7. Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:6 (2021),  399–405
8. Зондирование состояний двухзарядного акцептора в гетероструктурах на основе CdHgTe с помощью оптического затвора
   
   Письма в ЖЭТФ, 111:10 (2020),  682–688
9. Микроструктурные особенности композиционного материала «алюминий - многостенные углеродные нанотрубки» после искро-плазменного спекания
   
   Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2019, № 3,  120–130
10. Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне
    
    Письма в ЖЭТФ, 109:10 (2019),  679–684
11. Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1297–1302
12. Спектр двойных акцепторов в слоях барьеров и квантовых ям гетероструктур HgTe/СdHgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1224–1228
13. Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1257–1262
14. Композиционный материал на основе алюминия с добавлением многостенных углеродных нанотрубок: получение, структура, свойства
    
    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2016, № 2,  134–146
15. Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1690–1696
16. Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1479–1483
17. Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1654–1659
18. Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в $p$-Si:B
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  192–195
19. Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  30–34
20. Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1472–1475
21. Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1414–1418
22. Моделирование процессов первичной радиационной повреждаемости сплава Fe-1.8ат.%Ni методом молекулярной динамики
    
    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2010, № 3,  143–155
23. Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1539–1542
24. Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах $p$-InGaAs/GaAsP
    
    Письма в ЖЭТФ, 88:3 (2008),  229–233
25. Оптические переходы между состояниями акцепторов в одноосно сжатом германии
    
    Письма в ЖЭТФ, 85:4 (2007),  247–250