RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Гавриленко Владимир Изяславович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Коллимирующая оптическая система из полиметилпентена для квантово-каскадного лазера терагерцевого диапазона

    Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  44–47
  2. Исследование спектров электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов HgCdTe при латеральной токовой накачке

    Письма в ЖТФ, 52:5 (2026),  9–13
  3. Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней

    Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  608–613
  4. Терагерцовый квантовый каскадный лазер в квантующем магнитном поле

    Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  433–438
  5. Перестройка частоты излучения квантово-каскадного лазера среднего ИК диапазона

    Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  13–15
  6. Оптические свойства лазерных мезаструктур с квантовыми ямами HgCdTe, сформированных методом ионного травления

    Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  7–10
  7. Квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона в магнитных полях

    Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  196–201
  8. Перестройка частоты излучения арочных квантово-каскадных лазеров среднего инфракрасного диапазона

    Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  23–27
  9. Одновременное наблюдение циклотронного резонанса дырок и электронов в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe в условиях эффекта “оптического затвора”

    Письма в ЖЭТФ, 118:11 (2023),  860–868
  10. Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации

    Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  311–316
  11. Температурное гашение терагерцовой фотолюминесценции мелких акцепторов в твердом растворе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  432–437
  12. Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  421–425
  13. Рекомбинация в бесщелевой квантовой яме в гетероструктуре HgTe/CdHgTe

    Физика твердого тела, 64:2 (2022),  173–178
  14. Природа структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTe

    Письма в ЖЭТФ, 116:8 (2022),  535–543
  15. Влияние оптических фононов на гашение фотолюминесценции вакансий ртути в узкозонных твердых растворах HgСdTe при повышении температуры

    Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1060–1065
  16. Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц

    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  705–710
  17. Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм

    Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  472–478
  18. Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  16–19
  19. Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe

    Письма в ЖЭТФ, 113:6 (2021),  399–405
  20. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  989–994
  21. Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  922–926
  22. Расчет эффективности удвоения частоты излучения субтерагерцового гиротрона за счет решеточной нелинейности в монокристаллической пластине InP

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  855–860
  23. Получение терагерцового излучения в кристаллах InP : Fe за счет решеточной нелинейности второго порядка

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  813–817
  24. Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре

    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  51–54
  25. Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe

    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  158–163
  26. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах магнитопоглощения квантовых ям HgTe/CdHgTe с инвертированной зонной структурой

    Письма в ЖЭТФ, 112:8 (2020),  541–546
  27. Зондирование состояний двухзарядного акцептора в гетероструктурах на основе CdHgTe с помощью оптического затвора

    Письма в ЖЭТФ, 111:10 (2020),  682–688
  28. Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1169–1173
  29. Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1163–1168
  30. Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  929–932
  31. Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  906–912
  32. Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  902–905
  33. Расчет волновых функций резонансных состояний акцепторов в узкозонных соединениях CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  695–699
  34. Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне

    Письма в ЖЭТФ, 109:10 (2019),  679–684
  35. Магнитопоглощение в квантовых ямах HgCdTe/CdHgTe в наклонных магнитных полях

    Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  184–190
  36. Терагерцовая спектроскопия “двумерного полуметалла” в трехслойных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs

    Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019),  91–97
  37. Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1401–1404
  38. Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1297–1302
  39. Получение второй гармоники излучения субтерагерцовых гиротронов при удвоении частоты в InP : Fe и ее использование для магнитоспектроскопии полупроводниковых структур

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1244–1249
  40. Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1178–1181
  41. Моделирование квантово-каскадных лазеров терагерцевого диапазона частот методом балансных уравнений на основе базиса волновых функций с уменьшенными дипольными моментами туннельно-связанных состояний

    Квантовая электроника, 49:10 (2019),  913–918
  42. Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdxHg1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм

    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  556–558
  43. Поляризационно-чувствительная фурье-спектроскопия квантовых ям HgTe/CdHgTe в дальнем ИК диапазоне в магнитном поле

    Письма в ЖЭТФ, 108:5 (2018),  352–358
  44. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1486–1490
  45. Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1482–1485
  46. Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1274–1279
  47. Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1268–1273
  48. Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1263–1267
  49. Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1257–1262
  50. Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  464
  51. Спектры модовых потерь в ТГц квантово-каскадных лазерах с двойным металлическим волноводом на основе Au и Ag

    Квантовая электроника, 48:11 (2018),  1005–1008
  52. Магнитопоглощение дираковских фермионов в бесщелевых “трехслойных” квантовых ямах InAs/GaSb/InAs

    Письма в ЖЭТФ, 106:11 (2017),  696–701
  53. Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1621–1629
  54. Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1616–1620
  55. Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1588–1593
  56. Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs

    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  40–44
  57. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах

    Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  86–94
  58. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1697–1700
  59. Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1690–1696
  60. Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1679–1684
  61. Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1554–1560
  62. Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон

    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  932–936
  63. Перестройка частоты излучения терагерцового квантового каскадного лазера

    Письма в ЖТФ, 42:5 (2016),  15–23
  64. Обменное усиление $g$-фактора электронов в двумерном полуметалле в квантовых ямах HgTe

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1676–1682
  65. Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se и их использование для спектроскопии твердого тела

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1672–1675
  66. Циклотронный резонанс в квантовых ямах InAs/AlSb в магнитных полях до 45 Тл

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1665–1671
  67. Исследование магнитопоглощения при различных температурах в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1660–1664
  68. Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1654–1659
  69. Обменное усиление $g$-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  196–203
  70. Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в $p$-Si:B

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  192–195
  71. Антипересечение уровней Ландау в квантовых ямах HgTe/CdHgTe (013) с инвертированной зонной структурой

    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  895–899
  72. Магнитопоглощение в узкозонных эпитаксиальных слоях HgCdTe в терагерцовом диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1569–1574
  73. Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1497–1503
  74. Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1472–1475
  75. Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1446–1450
  76. Циклотронный резонанс в узкозонных гетероструктурах на основе HgTe/CdTe(013) в квантующих магнитных полях

    Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012),  452–456
  77. Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем инфракрасном диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1440–1443
  78. Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1424–1429
  79. Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1414–1418
  80. Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1402–1407
  81. Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1388–1392
  82. Спиновое расщепление Рашбы и обменное усиление $g$-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом

    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1186–1193
  83. Экспериментальное исследование умножителей частоты на полупроводниковых сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот

    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  125–129
  84. Электрон-электронное и спин-орбитальное взаимодействие в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом

    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  111–119
  85. Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe

    Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010),  837–841
  86. Спиновое расщепление в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с квантовыми ямами

    Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010),  65–68
  87. Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1539–1542
  88. Кинетика терагерцовой фотопроводимости в $p$-Ge в условиях примесного пробоя

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1523–1526
  89. Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона с высоким спектральным разрешением

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1514–1518
  90. Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1443–1446
  91. Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  642–648
  92. Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм

    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  422–429
  93. Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади

    Письма в ЖТФ, 36:8 (2010),  39–47
  94. Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах $p$-InGaAs/GaAsP

    Письма в ЖЭТФ, 88:3 (2008),  229–233
  95. Теоретическое и экспериментальное исследование ВАХ и ГАХ горячих дырок кремния

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1315–1323
  96. Индуцированное циклотронное излучение тяжелых дырок в одноосно деформированном германии

    Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  718–722
  97. Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при ${H}\not\parallel[001]$

    Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  825–828
  98. Вольт-амперная характеристика и тепловая неустойчивость резистивного состояния сверхпроводящих пленок YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{y}$

    Письма в ЖТФ, 15:13 (1989),  83–86
  99. Электроотражение аморфного гидрогенизированного углерода

    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1302–1303
  100. Циклотронный резонанс горячих дырок германия

    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1233–1238
  101. Межподзонные оптические переходы горячих дырок в одноосно деформированном германии

    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  479–484
  102. Особенности электронной структуры углеродных конденсатов

    Физика твердого тела, 29:11 (1987),  3449–3451
  103. Магнитные ловушки горячих дырок в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  484–488
  104. Спектральный состав излучения мазера на циклотронном резонансе тяжелых дырок в $Ge$

    Письма в ЖТФ, 13:10 (1987),  634–637
  105. Люминесценция горячих дырок германия в субмиллиметровом диапазоне длин волн

    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  369–377
  106. Оптические свойства и структура пленок $a$-Si, свободных от подложки

    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2138–2141
  107. Электроотражение кристаллов ZnP$_{2}$ моноклинной сингонии

    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1712–1714
  108. Электроотражение карбида кремния в видимой и ближней инфракрасной областях спектра

    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1269–1271
  109. Влияние аморфизации на энергетические состояния валентных электронов в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1642–1647
  110. Наблюдение инверсии дырок в $\mathrm{G}$ в скрещенных $E$- и $H$-полях по спонтанному длинноволновому ИК излучению

    Докл. АН СССР, 267:2 (1982),  339–343
  111. Магнетоплазменный резонанс в электронно-дырочных каплях в германии на субмиллиметровых волнах круговой поляризации

    Докл. АН СССР, 232:4 (1977),  802–805

  112. Захарий Фишелевич Красильник (к 70-летию со дня рождения)

    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  285–286
  113. Захарий Фишелевич Красильник (к 70-летию со дня рождения)

    УФН, 188:1 (2018),  119–120

© МИАН, 2026