RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Алешкин Владимир Яковлевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Магнитосопротивление двойной квантовой ямы HgTe/CdHgTe в параллельном магнитном поле

    Письма в ЖЭТФ, 118:12 (2023),  896–901
  2. Одновременное наблюдение циклотронного резонанса дырок и электронов в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe в условиях эффекта “оптического затвора”

    Письма в ЖЭТФ, 118:11 (2023),  860–868
  3. Энергетический спектр валентной зоны в квантовых ямах HgTe на пути от 2D к 3D топологическому изолятору

    Письма в ЖЭТФ, 117:12 (2023),  912–918
  4. Температурное гашение терагерцовой фотолюминесценции мелких акцепторов в твердом растворе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  432–437
  5. Оптимизация параметров гетероструктуры CdHgTe/HgTe с одиночной квантовой ямой для генерации плазмон-фононов

    Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  237–242
  6. Рекомбинация в бесщелевой квантовой яме в гетероструктуре HgTe/CdHgTe

    Физика твердого тела, 64:2 (2022),  173–178
  7. Особенности магнитотранспорта в двойной квантовой яме $\mathrm{HgTe/CdHgTe}$ с промежуточной степенью инверсии зон

    Письма в ЖЭТФ, 116:6 (2022),  378–386
  8. Влияние оптических фононов на гашение фотолюминесценции вакансий ртути в узкозонных твердых растворах HgСdTe при повышении температуры

    Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1060–1065
  9. Фотолюминесценция растянутых Ge микромостиков при различных температурах: эксперимент и моделирование

    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  954–960
  10. Влияние параметров квантовой ямы на спектр двумерных плазмонов в гетероструктурах HgTe/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  973–977
  11. Модель терагерцового квантово-каскадного лазера на основе двумерного плазмона

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  869–871
  12. Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре

    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  51–54
  13. Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe

    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  158–163
  14. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах магнитопоглощения квантовых ям HgTe/CdHgTe с инвертированной зонной структурой

    Письма в ЖЭТФ, 112:8 (2020),  541–546
  15. Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1169–1173
  16. Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1163–1168
  17. Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  929–932
  18. Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  878–883
  19. Магнитопоглощение в квантовых ямах HgCdTe/CdHgTe в наклонных магнитных полях

    Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  184–190
  20. Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1178–1181
  21. Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1159–1163
  22. Генерация терагерцевого излучения на разностной частоте в лазере на основе HgCdTe

    Квантовая электроника, 49:7 (2019),  689–692
  23. Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdxHg1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм

    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  556–558
  24. Поляризационно-чувствительная фурье-спектроскопия квантовых ям HgTe/CdHgTe в дальнем ИК диапазоне в магнитном поле

    Письма в ЖЭТФ, 108:5 (2018),  352–358
  25. Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1460–1463
  26. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446
  27. Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1384–1389
  28. Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1274–1279
  29. Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1263–1267
  30. Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe

    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1100–1103
  31. Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  464
  32. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)

    Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  67–74
  33. Мощностные характеристики лазеров с волноводом на основе квантовых ям и блокирующими слоями

    Квантовая электроника, 48:4 (2018),  390–394
  34. Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1621–1629
  35. Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1588–1593
  36. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582
  37. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1530–1533
  38. Каскадный захват электронов на заряженные диполи в слабо компенсированных полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1498–1502
  39. Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb

    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1410–1413
  40. Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)

    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  695–698
  41. Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1720–1724
  42. Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1554–1560
  43. Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1509–1512
  44. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1455–1458
  45. Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  596–599
  46. Перестройка частоты излучения терагерцового квантового каскадного лазера

    Письма в ЖТФ, 42:5 (2016),  15–23
  47. Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1619–1622
  48. Полупроводниковый лазер с туннельным $p$–$n$-переходом и выходом излучения через подложку

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1489–1491
  49. Каскадный захват электронов на доноры в квантовых ямах GaAs

    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1233–1237
  50. Наблюдение прямозонной электролюминесценции из GaAs-структуры с квантовыми ямами Ge

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  175–178
  51. Наблюдение динамики примесной фотопроводимости в $n$-GaAs, обусловленной остыванием электронов

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  117–121
  52. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge

    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  72–78
  53. Излучательные характеристики лазерных диодов на основе соединений А3В5, выращенных на германиевой подложке

    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  105–110
  54. Нелинейное смешение гармоник в InGaAs/InGaP/GaAs-лазере на германиевой подложке

    Квантовая электроника, 45:3 (2015),  204–206
  55. Временна́я динамика примесной фотопроводимости в $n$-GaAs и $n$-InP

    Физика твердого тела, 56:5 (2014),  883–887
  56. Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке

    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  900–903
  57. Влияние ближнего поля на спектр поглощения примесей в кристаллах

    Письма в ЖЭТФ, 99:12 (2014),  824–826
  58. Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1499–1502
  59. Эффективность вертикального вывода излучения из волновода полупроводниковых лазеров с дифракционной решеткой

    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  94–99
  60. Экспериментальное определение оптимального количества квантовых ям в многоямных гетеролазерах с вытеканием излучения через подложку

    Письма в ЖТФ, 40:10 (2014),  52–57
  61. Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью

    Квантовая электроника, 44:4 (2014),  286–288
  62. Cпектрокинетические свойства гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0–1.2 мкм

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1517–1520
  63. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1486–1488
  64. Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  621–625
  65. Резонансное кулоновское рассеяние на мелких донорах в квантовых ямах AlGaAs/$n$-GaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  466–472
  66. Эффективность генерации квантоворазмерных GaInAs/GaAs-лазеров при неоднородном возбуждении квантовых ям

    Квантовая электроника, 43:11 (2013),  999–1002
  67. Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах

    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  401–406
  68. Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1388–1392
  69. Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  940–943
  70. Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку

    Квантовая электроника, 42:10 (2012),  931–933
  71. Поляризационная зависимость резонансов Фано в примесной фотопроводимости квантовых ям, легированных мелкими донорами

    Физика твердого тела, 53:6 (2011),  1188–1197
  72. Теория резонанса Фано в спектрах примесного возбуждения $p$-GaAs

    Физика твердого тела, 53:6 (2011),  1112–1120
  73. Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре с квантовыми ямами

    Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011),  890–894
  74. Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами

    Письма в ЖЭТФ, 93:7 (2011),  437–441
  75. Аномальные характеристики лазеров с большим числом квантовых ям

    ЖТФ, 81:7 (2011),  149–151
  76. Одновременная генерация мод TE$_1$ и TE$_2$ с разными длинами волн в полупроводниковом лазере с туннельным переходом

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  652–656
  77. Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe

    Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010),  837–841
  78. Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1443–1446
  79. Полупроводниковый лазер с выводом излучения через подложку с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности

    Квантовая электроника, 40:10 (2010),  855–857
  80. Terahertz laser based on optically pumped graphene: model and feasibility of realization

    Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  70–74
  81. Внутрирезонаторная генерация разностной частоты терагерцевого диапазона в двухчастотном InGaAsP/InP-лазере с квантовыми ямами InGaAs

    Квантовая электроника, 39:8 (2009),  727–730
  82. Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP

    Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008),  905–907
  83. Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах $p$-InGaAs/GaAsP

    Письма в ЖЭТФ, 88:3 (2008),  229–233
  84. Генерация излучения на разностной частоте в дальнем и среднем ИК диапазонах в двухчиповом лазере на основе арсенида галлия с германиевой подложкой

    Квантовая электроника, 38:9 (2008),  855–858
  85. Генерация излучения на разностной частоте в среднем и дальнем ИК диапазонах с использованием субпико- и пикосекундных полупроводниковых лазеров

    Квантовая электроника, 38:2 (2008),  149–153
  86. Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой

    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1886–1893
  87. Фотолюминесценция в $\delta$-легированных углеродом сверхрешетках в арсениде галлия

    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1848–1849
  88. Межподзонное поглощение ИК излучения в напряженных структурах In$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  516–521
  89. Температурная зависимость энергии связи экситонов Ваннье$-$Мотта в квантовых ямах

    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  318–323
  90. Исследование квантовых ям $C{-}V$-методом

    Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1047–1052
  91. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой

    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2172–2176
  92. Фотолюминесценция квантовых слоев In$_{x}$Ga$_{1-x}$As, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  892–896
  93. Инверсные распределения электронов в полупроводниковых гетероструктурах с одной квантовой ямой

    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  131–135
  94. Структура распределения горячих дырок германия в условиях стриминга

    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  1910–1914
  95. Влияние анизотропии рассеяния на распределение дырок в Ge и Se в условиях стриминга

    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1733–1736
  96. Инверсия населенностей зон в тонких полупроводниковых слоях, создаваемая переменным электрическим полем

    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1582–1587
  97. Динамика дырок в полупроводниках со структурой алмаза в постоянном электрическом поле

    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  281–286
  98. Туннельная проводимость тонких полупроводниковых пленок

    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2182–2186
  99. Нелинейная электропроводность монополярных полупроводниковых пленок с анизотропной подвижностью

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  197–199

© МИАН, 2026