RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Харус Герман Иосифович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  16–22
  2. Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1630
  3. The temperature dependence of the conductivity peak values in the single and the double quantum well nanostructures $n$-InGaAs/GaAs after IR-illumination

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  281
  4. Температурный скейлинг в квантовом эффекте Холла в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1593–1597
  5. Влияние нестехиометрического беспорядка на температурную зависимость верхнего критического поля в электронных сверхпроводниках Nd${}_{2-x}$Ce${}_x$CuO${}_{4+\delta}$

    Письма в ЖЭТФ, 88:2 (2008),  132–136
  6. Влияние обменного взаимодействия на $g$-фактор электронов проводимости в HgMnSe

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  990–993
  7. Магнитофононный резонанс в полупроводниках

    УФН, 112:1 (1974),  3–36

  8. Памяти Исаака Михайловича Цидильковского

    УФН, 172:7 (2002),  839–840


© МИАН, 2026