RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Кукушкин Владимир Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Плазмон-поляритоны на границе сверхпроводящего и несверхпроводящего искусственного алмаза

    ЖТФ, 96:2 (2026),  266–273
  2. Исследование фото- и электролюминесценции центров окраски, связанных с азотом, в алмазном $p$$i$$n$-диоде

    Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  48–51
  3. Электролюминесценция центров окраски германий–вакансия в алмазном $p$$i$$n$-диоде

    Письма в ЖТФ, 51:8 (2025),  3–6
  4. Способ увеличения используемой доли излучения центров окраски в алмазе

    Оптика и спектроскопия, 132:6 (2024),  637–642
  5. Потенциальное быстродействие алмазного полевого транзистора на приповерхностном двумерном дырочном газе

    Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  283–287
  6. Переход между законами Мотта и Аррениуса в температурных зависимостях сопротивлений сильно легированных бором дельта-слоев в искусственном алмазе

    Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  259–264
  7. Investigation of boron-doped delta layers in CVD diamond grown on single-sector HPHT substrates

    Наносистемы: физика, химия, математика, 13:5 (2022),  578–584
  8. Высокая подвижность дырок в дельта-легированных бором слоях алмаза: почему она до сих пор не достигнута и как ее можно достичь

    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  966–972
  9. Зависимость спектра генерации и синхронизации мод от ширины запрещенной фотонной зоны в гетеролазерах класса С с распределенной обратной связью волн в резонаторе Фабри-Перо

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  758–765
  10. Моделирование детектора видимого и ближнего инфракрасного электромагнитного излучения на искусственном алмазе

    ЖТФ, 89:2 (2019),  258–263
  11. Резкое уменьшение подвижности дырок при снижении внешним напряжением их двумерной концентрации в дельта-допированных бором слоях алмаза

    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1437–1443
  12. Асимметричная генерация в сверхизлучающем лазере с симметричным низкодобротным резонатором

    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1321–1328
  13. Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов

    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  345–350
  14. Фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы алмаза

    Письма в ЖТФ, 43:24 (2017),  65–71
  15. Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1576–1582
  16. Диагностика эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов квантовыми точками с помощью поляризационных измерений выходного излучения

    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  804–809
  17. Увеличение радиационного времени жизни экситонов Ванье–Мотта в полупроводниковых нанокластерах

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  76–81
  18. Моделирование генерации импульсов ультрафиолетового и мягкого рентгеновского излучения в результате кооперативной рекомбинации экситонов в нанокристаллах алмаза, внедренных в полимерную пленку

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1451–1456
  19. Безынверсное усиление излучения в полупроводниковых наноструктурах: путь к созданию частотно-перестраиваемого лазера дальнего инфракрасного и терагерцового излучения

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1483–1488
  20. Эффективная конверсия инфракрасных импульсов в терагерцовые в волноведущих полупроводниковых гетероструктурах

    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  109–113
  21. Частотноперестраиваемый безынверсный лазер дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на наногетероструктурах с квантовыми ямами

    Письма в ЖТФ, 36:3 (2010),  7–14
  22. Перестраиваемый безинверсный лазер дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на квантовых точках

    Письма в ЖЭТФ, 89:9 (2009),  524–527
  23. Слабополевая нелинейная динамическая проводимость в квантовой яме с поперечным магнитным полем

    Письма в ЖЭТФ, 88:2 (2008),  111–114
  24. Усиление импульсов среднего и дальнего ИК диапазонов в низкоразмерных гетероструктурах с синхронной накачкой

    Квантовая электроника, 38:10 (2008),  909–916


© МИАН, 2026