Аверкиев Никита Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Обменное рассеяние в полупроводниках: эффективный механизм ориентации спинов электронов и ядер
   
   Письма в ЖЭТФ, 123:1 (2026),  63–67
2. Метод плотности состояний для расчета магнитных свойств квантовой спиновой цепочки
   
   Физика твердого тела, 67:9 (2025),  1776–1783
3. Исследование угловой и температурной зависимости примесной Cr$^{3+}$ люминесценции $\beta$-Ga$_2$O$_3$
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2185–2188
4. Влияние кристаллографической анизотропии на энергию стабилизации и вклад ян-теллеровской подсистемы в модули упругости легированных кристаллов
   
   Письма в ЖЭТФ, 119:1 (2024),  54–58
5. Параметры динамической поляризации ядер As в кремнии при низких температурах и сильных магнитных полях
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  14–20
6. Аномальное поведение туннельного магнетосопротивления в нанокомпозитных пленочных структурах (CoFeB)$_x$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$/Si ниже порога перколяции: проявления со-туннельных и обменных эффектов
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:1 (2023),  46–54
7. Комплексы вакансия галлия – мелкий донор в $n$-$\mathrm{GaAs}$, легированном элементами $\mathrm{VI}$ группы $\mathrm{Te}$ или $\mathrm{S}$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1021–1045
8. Спин-флуктуационный переход в неупорядоченной модели Изинга
   
   Письма в ЖЭТФ, 114:6 (2021),  383–390
9. Туннельные механизмы релаксации системы ян-теллеровских комплексов в кристалле CaF$_2$:Cr$^{2+}$
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:1 (2021),  52–57
10. Каскадная генерация второй гармоники с половинным порядком периодической ориентации
    
    Оптика и спектроскопия, 128:11 (2020),  1717–1722
11. Примесная магнитная восприимчивость полупроводников в случае прямого обменного взаимодействия в модели Изинга
    
    Физика твердого тела, 61:11 (2019),  2036–2039
12. Определение параметров эффекта Яна–Теллера в примесных центрах из ультразвуковых экспериментов: приложение к кристаллу ZnSe : Ni$^{2+}$
    
    Физика твердого тела, 61:2 (2019),  319–324
13. К теории плазмон-экситонов: оценка константы взаимодействия и оптический спектр
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1063–1067
14. Акцепторный центр Mn$_{\operatorname{Ga}}$ в GaAs (Обзор)
    
    Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2275–2305
15. Энергетическая структура одиночного акцептора Mn в GaAs : Mn
    
    Физика твердого тела, 60:8 (2018),  1556–1565
16. Тонкая структура уровней и пьезоспектроскопия A$^{+}$-центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
    
    Физика твердого тела, 60:2 (2018),  333–340
17. Метаматериал для генерации разностной частоты в терагерцовом диапазоне
    
    Оптика и спектроскопия, 125:4 (2018),  560–563
18. Влияние размерного квантования на спиновую поляризацию дырок в структурах с квантовыми ямами разбавленного магнитного полупроводника (Ga,Mn)As/AlAs
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2240–2245
19. Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники
    
    Физика твердого тела, 59:9 (2017),  1680–1683
20. Анизотропные ян-теллеровские акцепторы, создаваемые в GaAs элементами первой группы с заполненной $d$-оболочкой. Обзор
    
    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1299–1324
21. Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  45–50
22. Продольные моды шепчущей галереи в металлических микрорезонаторах
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:9 (2016),  637–639
23. Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1725
24. Влияние кулоновских корреляций на люминесценцию и поглощение в компенсированных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  905–910
25. Метаматериал для эффективной генерации второй гармоники
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  40–48
26. Упругое рассеяние экситонных поляритонов
    
    Физика твердого тела, 57:2 (2015),  277–282
27. Ориентация электронных спинов током в квазиодномерной системе
    
    Письма в ЖЭТФ, 101:8 (2015),  627–630
28. Моды шепчущей галереи в сферическом микрорезонаторе с фотолюминесцентной оболочкой
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1415–1420
29. Особенности намагниченности двумерного разбавленного магнитного полупроводника с сильным спин-орбитальным взаимодействием
    
    Письма в ЖЭТФ, 99:7 (2014),  467–471
30. “Экситонная” фотопроводимость кристаллов GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1311–1316
31. Моды шепчущей галереи в неидеальных дисковых резонаторах
    
    ЖТФ, 83:9 (2013),  150–153
32. Оптическая ориентация электронов в компенсированных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1244–1252
33. Акустоэлектронное взаимодействие в квантовых лазерных гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  137–142
34. Расчет спектра мод шепчущей галереи в цилиндрических резонаторах с возмущенными граничными условиями
    
    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  414–417
35. Диагностика тонкого спектра в квантовой яме лазерных гетероструктур ультразвуковой деформацией
    
    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  410–413
36. Влияние внешней деформации на поляризацию горячей фотолюминесценции акцептор–зона проводимости в кубических полупроводниках
    
    Физика твердого тела, 54:12 (2012),  2326–2330
37. Резонансное и релаксационное поглощение ультразвука анизотропными ян-теллеровскими центрами в GaAs
    
    Физика твердого тела, 54:3 (2012),  442–449
38. Релаксационное и резонансное поглощение ультразвука ян-теллеровскими центрами в кристалле GaAs:Cu
    
    Письма в ЖЭТФ, 96:4 (2012),  252–256
39. Диамагнитный экситон-поляритон в межзонной магнитооптике полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  896–900
40. Энергетическая структура неводородоподобных примесей в квантовых ямах без спин-орбитального взаимодействия
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  805–808
41. Циркулярная поляризация фотолюминесценции двумерной системы $A^+$-центров в магнитном поле
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  794–800
42. Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  833–836
43. Диссипативные потери среднего инфракрасного излучения в диэлектрическом волноводе
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  256–259
44. Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках
    
    УФН, 180:7 (2010),  777–780
45. Интерференция спиновых расщеплений в магнитоосцилляционных явлениях в двумерных системах
    
    Письма в ЖЭТФ, 75:11 (2002),  669–672
46. Симметрия комплекса $V_{\text{Ga}}\text{Te}_{\text{As}}$ в GaAs и его переориентация при низких температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992),  1269–1281
47. Влияние смешивания электронных состояний электронно-колебательным взаимодействием на строение и пьезоспектроскопические свойства ян-теллеровских акцепторов в GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1976–1985
48. Стабилизация ориентации ян-теллеровских искажений акцептора Au$^{0}_{\text{Ga}}$ в GaAs при низких температурах и переориентация центра в процессе рекомбинации
    
    Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1967–1975
49. Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. II. Влияние одноосного давления на фотолюминесценцию центра
    
    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  58–66
50. Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. I. Поляризованная фотолюминесценция
    
    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  50–57
51. Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ с профилированной подложкой
    
    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  12–16
52. Механизм спиновой поляризации заряженных парамагнитных центров в полупроводниках при взаимодействии с носителями тока
    
    Физика твердого тела, 32:12 (1990),  3480–3489
53. Оценка величины статического искажения и нелинейности ян-теллеровского взаимодействия для глубокого центра Cu$_{Ga}$ в GaAs
    
    Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2667–2676
54. Влияние центров Mn$_{\text{Ga}}$ в GaAs на эффект Фарадея вблизи края основной полосы поглощения
    
    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1632–1637
55. Акустоэлектронное взаимодействие в полупроводниках со сложной структурой зон
    
    Физика твердого тела, 31:3 (1989),  241–251
56. Ag$_{\text{Ga}}$ — новый ян-теллеровский акцептор в GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2072–2074
57. Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1193–1198
58. Влияние случайных полей на спектр ЭПР акцепторов Mn$_{\text{Ga}}$ в $p$-GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  73–78
59. Релаксация излучения и неравновесной заселенности в квантово-размерных полупроводниковых лазерах
    
    Письма в ЖТФ, 15:3 (1989),  79–83
60. Поверхностные экситоны и акцепторы в МПД структурах
    
    Физика твердого тела, 30:11 (1988),  3276–3285
61. Динамика выстраивания ян-теллеровских центров Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs при давлении вдоль оси [001]
    
    Физика твердого тела, 30:5 (1988),  1459–1465
62. Влияние обменного взаимодействия дырки с $3d$-электронами на свойства глубокого акцептора Mn в арсениде галлия
    
    Физика твердого тела, 30:3 (1988),  765–774
63. Электронный ангармонизм в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны
    
    Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1450–1455
64. Роль обменного взаимодействия в пьезоспектроскопических эффектах, связанных с центром Mn в GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1847–1853
65. Поверхностный экситон в МДП структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1493–1495
66. Флуктуационные уровни для неосновных носителей в вырожденных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  504–513
67. Константы деформационного потенциала и зарядовое состояние ян-теллеровского центра Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  421–426
68. Адиабатические потенциалы и примесная фотолюминесценция связывающего две дырки глубокого ян-теллеровского центра при одноосном давлении
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  415–420
69. Поляризация излучения в квантово-размерном лазере на одном гетеропереходе
    
    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  332–337
70. Размягчение кристалла $p{-}$GaAs, обусловленное глубокими Ян-Теллеровскими центрами Cu
    
    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  2959–2963
71. Нейтральное состояние глубокого акцептора Cu$_{\text{Ga}}$ в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1617–1622
72. Исследование полосы фотолюминесценции с максимумом около 1.3 эВ в GaAs : Те : Сu пьезоспектроскопическим методом
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  893–898
73. Потенциалы ионизации многозарядных глубоких примесей в кубических полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  96–100
74. Фотолюминесценция сильно легированных кристаллов антимонида индия $n$-типа
    
    Письма в ЖТФ, 11:21 (1985),  1326–1330
75. Взаимодействие звука с дырками в $p$-Si
    
    Физика твердого тела, 26:7 (1984),  2005–2012
76. Поляризация люминесценции эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1795–1798
77. Влияние одноосной деформации на связанную с Mn полосу примесной фотолюминесценции в GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1629–1633
78. К вопросу о температурной зависимости индуцированной током оптической активности в теллуре
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  724–727
79. Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре II.  Эксперимент
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  648–654
80. Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре I.  Теория
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  639–647
81. О природе линий излучения сильно легированного арсенида галлия $p$-типа в присутствии одноосной деформации
    
    Физика твердого тела, 25:2 (1983),  343–345
82. Особенности поляризации люминесценции и константы деформационного потенциала в InP $n$- и $p$-типа проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  997–1002
83. Ток, обусловленный неоднородностью спиновой ориентации электронов в полупроводнике
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  629–632
84. Примесная фотолюминесценция GaAs$\langle$Cu$\rangle$ около 1.36 эВ в условиях одноосного сжатия по направлению [111]
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  97–102


85. Международная конференция ФизикА.СПб/2025
    
    Оптика и спектроскопия, 133:10 (2025),  1013
86. Международная конференция ФизикА.СПб/2025
    
    Письма в ЖТФ, 51:24 (2025),  3
87. Международная конференция ФизикА.СПб/2025
    
    Письма в ЖТФ, 51:23 (2025),  3
88. Международная конференция ФизикА.СПб/2025
    
    Письма в ЖТФ, 51:18 (2025),  3
89. Международная конференция ФизикА.СПб/2024
    
    Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2073
90. Международная конференция ФизикА.СПб/2024
    
    Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1107
91. Международная конференция ФизикА.СПб/2024
    
    Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  463
92. Международная конференция ФизикА.СПб/2024
    
    Письма в ЖТФ, 50:23 (2024),  3
93. Международная конференция ФизикА.СПб/2023
    
    Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2047
94. Международная конференция ФизикА.СПб/2023
    
    Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1444
95. Международная конференция ФизикА.СПб/2023
    
    Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  517
96. Международная конференция ФизикА.СПб/2023
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  3