|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Широкоапертурный жидкокристаллический электрооптический модулятор излучения лазера на окиси углерода
Квантовая электроника, 54:9 (2024), 583–592
-
Определение константы скорости релаксации первого колебательного уровня молекулы СО на парах воды по динамике люминесценции в послесвечении импульсного электроионизационного разряда
Квантовая электроника, 54:4 (2024), 224–230
-
Щелевые лазеры на основных и обертонных переходах молекулы окиси углерода с накачкой емкостным высокочастотным разрядом и криогенным охлаждением электродов
Квантовая электроника, 53:6 (2023), 444–451
-
He – Ar-смесь высокого давления, возбуждаемая электронным пучком, как потенциальная активная среда лазера с оптической накачкой
Квантовая электроника, 48:12 (2018), 1174–1178
-
Влияние добавок молекулярного кислорода на коэффициент усиления и генерационные характеристики криогенного щелевого обертонного CO-лазера с накачкой ВЧ разрядом
Квантовая электроника, 48:7 (2018), 596–602
-
Постфиламентационное распространение мощных лазерных импульсов в воздухе в режиме узконаправленных световых каналов
Квантовая электроника, 46:11 (2016), 1009–1014
-
Нелинейная эволюция рельефа поверхности алюминия под действием
множественных фемтосекундных лазерных импульсов
Письма в ЖЭТФ, 101:5 (2015), 382–389
-
Электронная эмиссия и сверхбыстрое низкопороговое
плазмообразование при одноимпульсной фемтосекундной лазерной
абляции поверхности материалов
Письма в ЖЭТФ, 101:5 (2015), 336–341
-
Сравнительный анализ постфокальной филаментации сфокусированных лазерных импульсов УФ и ИК излучения в воздухе
Квантовая электроника, 45:4 (2015), 321–329
-
Структурные и электрические свойства сверхлегированного
поверхностного слоя кремния с глубокими донорными состояниями серы
Письма в ЖЭТФ, 100:1 (2014), 59–63
-
Плазменные каналы при филаментации в воздухе фемтосекундного лазерного излучения с астигматизмом волнового фронта
Квантовая электроника, 44:12 (2014), 1085–1090
-
Лазерная гибридная Ti : сапфир – KrF-система, генерирующая цуг субтераваттных УФ импульсов субпикосекундной длительности
Квантовая электроника, 44:5 (2014), 431–439
-
Фокусировка интенсивных поверхностных электромагнитных волн
фемтосекундной длительности
Письма в ЖЭТФ, 97:10 (2013), 687–692
-
Нелинейный режим возбуждения поверхностной
электромагнитной волны на поверхности кремния
интенсивным фемтосекундным лазерным импульсом
Письма в ЖЭТФ, 97:3 (2013), 139–144
-
Создание протяженных плазменных каналов в атмосферном воздухе амплитудно-модулированным УФ излучением Ti : сапфир – KrF-лазера ГАРПУН-МТВ. Ч. 2. Накопление электронов в плазме и управление электрическими разрядами
Квантовая электроника, 43:4 (2013), 339–346
-
Создание протяженных плазменных каналов в атмосферном воздухе амплитудно-модулированным УФ излучением Ti : сапфир – KrF-лазера ГАРПУН-МТВ. Ч. 1. Регенеративное усиление субпикосекундных импульсов в широкоапертурном KrF-усилителе с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 43:4 (2013), 332–338
-
Усиление локального электромагнитного поля металлическими поверхностными периодическими структурами, сформированными при помощи фемтосекундных лазерных импульсов
Квантовая электроника, 43:4 (2013), 304–307
-
Филаментация фемтосекундных ИК и УФ импульсов при фокусировке в воздухе
Квантовая электроника, 43:1 (2013), 29–36
-
Сверхбыстрая электронная динамика поверхности кремния,
возбужденной интенсивным фемтосекундным лазерным импульсом
Письма в ЖЭТФ, 96:6 (2012), 413–418
-
Нелинейное распространение мощного фокусируемого фемтосекундного лазерного импульса в воздухе при атмосферном и пониженном давлении
Квантовая электроника, 42:4 (2012), 319–326
-
Динамика откольной абляции поверхности GaAs под действием
фемтосекундных лазерных импульсов
Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011), 816–822
-
Наномасштабная кавитационная неустойчивость поверхности
расплава вдоль штрихов одномерных решеток нанорельефа на
поверхности алюминия
Письма в ЖЭТФ, 94:4 (2011), 289–292
-
Генерация и регистрация сверхмощных ударных волн
при абляции поверхности алюминия под действием высокоинтенсивных
фемтосекундных лазерных импульсов
Письма в ЖЭТФ, 94:1 (2011), 35–39
-
Формирование квазипериодических нано- и микроструктур на поверхности кремния под действием ИК и УФ фемтосекундных лазерных импульсов
Квантовая электроника, 41:9 (2011), 829–834
-
Фемтосекундное лазерное наноструктурирование поверхности Ni/Cu-фольг
Квантовая электроника, 41:4 (2011), 387–392
-
Множественная филаментация мощных фемтосекундных лазерных импульсов в воздухе
Письма в ЖЭТФ, 90:6 (2009), 467–472
-
Туннельная ионизация воздуха в сильном поле фемтосекундных лазерных импульсов
Письма в ЖЭТФ, 90:3 (2009), 199–203
-
Фемтосекундная лазерная запись субволновых одномерных квазипериодических наноструктур на поверхности титана
Письма в ЖЭТФ, 90:2 (2009), 116–120
-
Криогенный щелевой лазер на окиси углерода
Квантовая электроника, 39:3 (2009), 229–234
-
Нелинейное поглощение ультрафиолетовых фемтосекундных лазерных импульсов в аргоне
Письма в ЖЭТФ, 88:1 (2008), 10–13
-
Многочастотное лазерное зондирование содержащих CO газовых сред, возбужденных в импульсном разряде
Квантовая электроника, 37:3 (2007), 231–236
-
Динамика коэффициента усиления в импульсном лазерном усилителе на газовых смесях CO – He, CO – N2 и CO – O2
Квантовая электроника, 37:2 (2007), 111–117
-
Импульсный обертонный СО-лазер с КПД 16%
Квантовая электроника, 36:12 (2006), 1153–1154
-
Мощный сверхзвуковой СО-лазер на основных и обертонных переходах
Квантовая электроника, 35:12 (2005), 1126–1130
-
Динамика коэффициента усиления в активной среде импульсного электроионизационного CO-лазера: теория и эксперимент
Квантовая электроника, 35:12 (2005), 1107–1112
-
Импульсный электроионизационный разряд в кислородсодержащих газовых смесях: электрические характеристики, спектроскопия и выход синглетного кислорода
Квантовая электроника, 34:9 (2004), 865–870
-
Импульсный лазер на первом колебательном обертоне молекулы СО, действующий в спектральном диапазоне 2.5–4.2 мкм. 3. Коэффициент усиления и кинетические процессы на высоких колебательных уровнях
Квантовая электроника, 32:5 (2002), 404–410
-
Многоквантовый колебательный обмен высоковозбужденных молекул окиси углерода
Квантовая электроника, 30:7 (2000), 573–579
-
Селективная по частоте поверхностная обработка полимерных материалов излучением импульсного СО-лазера
Квантовая электроника, 24:8 (1997), 763–767
-
Импульсный частотно-селективный перестраиваемый электроионизационный СО-лазер с модуляцией добротности резонатора
Квантовая электроника, 24:3 (1997), 195–200
-
Активная среда молекулярных CO2- и CO-лазеров в качестве нелинейного элемента ОВФ-зеркала
Квантовая электроника, 21:6 (1994), 557–560
-
Коэффициент усиления и спектр излучения импульсного N2О-ЭИЛ
Квантовая электроника, 18:10 (1991), 1161–1164
-
Импульсно-периодический ЭИЛ на окиси углерода
Квантовая электроника, 17:5 (1990), 561–562
-
Импульсный N2O-ЭИЛ с энергией генерации 100 Дж
Квантовая электроника, 16:8 (1989), 1609–1611
-
Импульсные электроионизационные лазерные усилители на окиси углерода. 2. Усиление импульсов излучения СО-ЭИЛ с управляемыми спектральными и временными характеристиками
Квантовая электроника, 16:1 (1989), 18–27
-
Импульсные электроионизационные лазерные усилители на окиси углерода. 1. Усиление излучения СО-лазера, работающего в режиме свободной генерации
Квантовая электроника, 16:1 (1989), 9–17
-
Нелинейное поглощение и преобразование спектра лазерного излучения молекулами окиси углерода, возбужденными в электроионизационном разряде
Квантовая электроника, 14:10 (1987), 2018–2020
-
Импульсный электроионизационный лазер на смесях изотопозамещенных молекул CO2
Квантовая электроника, 13:12 (1986), 2386–2390
-
Импульсные электроионизационные лазеры с криогенным охлаждением
активной среды
ЖТФ, 55:2 (1985), 326–334
-
Увеличение эффективности электроионизационного СО-лазера с модулированной добротностью с помощью генерации серии импульсов
Квантовая электроника, 12:8 (1985), 1666–1670
-
Усиление многочастотного импульса излучения в активной среде электроионизационного лазерного усилителя на окиси углерода
Квантовая электроника, 12:8 (1985), 1660–1665
-
Электроионизационный СО-лазер, генерирующий субмикросекундные импульсы
Квантовая электроника, 10:6 (1983), 1261–1264
-
Поправка к статье: Импульсный лазер на первом колебательном обертоне молекулы СО, действующий в спектральном диапазоне 2.5 – 4.2 мкм. 3. Коэффициент усиления и кинетические процессы на высоких колебательных уровнях
Квантовая электроника, 32:8 (2002), 750
© , 2026