RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Дворецкий Сергей Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Исследование спектров электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов HgCdTe при латеральной токовой накачке

    Письма в ЖТФ, 52:5 (2026),  9–13
  2. Регистрация с помощью второй гармоники изменений слабых напряжений в слоях HgCdTe при воздействии локального нагрева

    Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1268–1273
  3. Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней

    Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  608–613
  4. Оптические свойства лазерных мезаструктур с квантовыми ямами HgCdTe, сформированных методом ионного травления

    Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  7–10
  5. Критическая толщина и напряжения слоев HgTe на подложках Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te

    Физика твердого тела, 66:2 (2024),  206–212
  6. Вклад осцилляций уровня Ферми в шубниковские и магнито-межподзонные осцилляции в одиночных квантовых ямах HgTe

    Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  359–366
  7. Магнитотранспорт в квантовых ямах HgTe с двумя полевыми электродами

    Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  434–442
  8. Слабая антилокализация в двойных ямах HgTe с массивными фермионами Дирака

    Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024),  263–271
  9. Измерение локальных напряжений в поверхностных слоях многослойных структур нуль-методом с использованием фазового синхронизма

    Письма в ЖТФ, 50:1 (2024),  32–35
  10. Характеризация широкозонных слоев в лазерных структурах на основе CdHgTe

    Физика твердого тела, 65:3 (2023),  411–414
  11. Новые центры рекомбинации в слоях КРТ МЛЭ на подложках (013) GaAs

    Физика твердого тела, 65:1 (2023),  56–62
  12. Магнитосопротивление двойной квантовой ямы HgTe/CdHgTe в параллельном магнитном поле

    Письма в ЖЭТФ, 118:12 (2023),  896–901
  13. Одновременное наблюдение циклотронного резонанса дырок и электронов в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe в условиях эффекта “оптического затвора”

    Письма в ЖЭТФ, 118:11 (2023),  860–868
  14. $PT$-симметричная фотопроводимость, стимулированная микроволновым излучением, в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te

    Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  341–345
  15. Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации

    Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  311–316
  16. Энергетический спектр валентной зоны в квантовых ямах HgTe на пути от 2D к 3D топологическому изолятору

    Письма в ЖЭТФ, 117:12 (2023),  912–918
  17. Природа структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTe

    Письма в ЖЭТФ, 116:8 (2022),  535–543
  18. Особенности магнитотранспорта в двойной квантовой яме $\mathrm{HgTe/CdHgTe}$ с промежуточной степенью инверсии зон

    Письма в ЖЭТФ, 116:6 (2022),  378–386
  19. Краевой и объемный транспорт в двумерном топологическом изоляторе на основе квантовой ямы CdHgTe

    Письма в ЖЭТФ, 115:4 (2022),  230–235
  20. Исследование кристаллического состояния слоев молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs методом генерации второй гармоники

    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  780–787
  21. Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм

    Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  472–478
  22. Квантовые осцилляции магнетосопротивления в гетероструктурах HgCdTe/HgTe/HgCdTe с инвертированным зонным спектром

    Физика твердого тела, 63:12 (2021),  1983–1993
  23. Роли элементов гетероструктуры на основе топологической фазы Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te в эффекте $PT$-симметричной терагерцовой фотопроводимости

    Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021),  548–552
  24. Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe

    Письма в ЖЭТФ, 113:6 (2021),  399–405
  25. Высокочувствительная экспрессная нелинейно-оптическая диагностика кристаллического состояния гетероструктур типа сфалерита

    ЖТФ, 91:11 (2021),  1799–1808
  26. Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  922–926
  27. Получение терагерцового излучения в кристаллах InP : Fe за счет решеточной нелинейности второго порядка

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  813–817
  28. Получение атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных пленок CdTe для последующей эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  748–753
  29. Aдмиттанс МДП-структур на основе $nBn$-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 47:12 (2021),  34–37
  30. Влияние имплантации ионов As$^{+}$ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te

    Письма в ЖТФ, 47:4 (2021),  33–35
  31. Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре

    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  51–54
  32. Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe

    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  158–163
  33. Возможности характеризации кристаллических параметров структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te на подложке из GaAs методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения

    Физика твердого тела, 62:2 (2020),  214–221
  34. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах магнитопоглощения квантовых ям HgTe/CdHgTe с инвертированной зонной структурой

    Письма в ЖЭТФ, 112:8 (2020),  541–546
  35. Радиочастотная фотопроводимость в гетероструктурах на основе Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te

    Письма в ЖЭТФ, 112:4 (2020),  263–267
  36. Измерение магнитной восприимчивости носителей в квантовых ямах HgTe в перпендикулярном поле

    Письма в ЖЭТФ, 111:11 (2020),  750–756
  37. Зондирование состояний двухзарядного акцептора в гетероструктурах на основе CdHgTe с помощью оптического затвора

    Письма в ЖЭТФ, 111:10 (2020),  682–688
  38. Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1169–1173
  39. Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1163–1168
  40. Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  906–912
  41. Особенности транспорта в топологической фазе Hg$_{0.87}$Cd$_{0.13}$Te в условиях терагерцового фотовозбуждения

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  873–877
  42. Effective mass and $g$-factor of two-dimensional HgTe $\Gamma_8$-band electrons: Shubnikov–de Haas oscillations

    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  830
  43. Топологические изоляторы на основе HgTe

    УФН, 190:7 (2020),  673–692
  44. Особенности магнето-межподзонных осцилляций в квантовых ямах HgTe

    Письма в ЖЭТФ, 110:4 (2019),  274–278
  45. Осцилляции Шубникова–де Гааза в трехмерном топологическом изоляторе на основе напряженной пленки HgTe в наклонном магнитном поле

    Письма в ЖЭТФ, 109:12 (2019),  835–841
  46. Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне

    Письма в ЖЭТФ, 109:10 (2019),  679–684
  47. Магнитопоглощение в квантовых ямах HgCdTe/CdHgTe в наклонных магнитных полях

    Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  184–190
  48. Определение профиля состава квантовых ям HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом одноволновой эллипсометрии

    Оптика и спектроскопия, 127:2 (2019),  318–324
  49. Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1401–1404
  50. Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1297–1302
  51. Получение второй гармоники излучения субтерагерцовых гиротронов при удвоении частоты в InP : Fe и ее использование для магнитоспектроскопии полупроводниковых структур

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1244–1249
  52. Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1178–1181
  53. Температурная активация электронов проводимости в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe $p$-типа проводимости со слоями HgTe критической толщины

    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  935–939
  54. Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами

    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  24–27
  55. Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdxHg1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм

    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  556–558
  56. Спектры пропускания квантовых ям и пленок на основе HgTe в дальнем ИК-диапазоне

    Физика твердого тела, 60:4 (2018),  774–778
  57. Поляризационно-чувствительная фурье-спектроскопия квантовых ям HgTe/CdHgTe в дальнем ИК диапазоне в магнитном поле

    Письма в ЖЭТФ, 108:5 (2018),  352–358
  58. Терагерцовая циклотронная фотопроводимость в сильно разбалансированной двумерной электронно-дырочной системе

    Письма в ЖЭТФ, 108:4 (2018),  253–258
  59. Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1482–1485
  60. Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1274–1279
  61. Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1263–1267
  62. Zeeman splitting of electron spectrum in HgTe quantum wells near the Dirac point

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  482
  63. Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  464
  64. Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  16–22
  65. Терагерцовая фотопроводимость в Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te вблизи перехода от прямого к инверсному спектру

    Письма в ЖЭТФ, 106:3 (2017),  156–160
  66. Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1630
  67. Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1621–1629
  68. Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1616–1620
  69. Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1588–1593
  70. Емкостная спектроскопия системы бесщелевых дираковских фермионов в HgTe квантовой яме

    Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016),  865–870
  71. Двойная квантовая яма в системе HgTe/CdHgTe со спектром двуслойного графена и проявляющиеся в ней особенности квантового магнитотранспорта

    Письма в ЖЭТФ, 104:6 (2016),  415–423
  72. Слабая антилокализация в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной пленки HgTe

    Письма в ЖЭТФ, 104:5 (2016),  311–317
  73. Зеемановское расщепление зоны проводимости квантовых ям HgTe с полуметаллическим спектром

    Письма в ЖЭТФ, 104:4 (2016),  241–247
  74. Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1690–1696
  75. Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1679–1684
  76. Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1652–1656
  77. Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1554–1560
  78. Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  208–211
  79. Evidence on the macroscopic length scale spin coherence for the edge currents in a narrow HgTe quantum well

    Письма в ЖЭТФ, 101:12 (2015),  913–918
  80. Shot noise of the edge transport in the inverted band HgTe quantum wells

    Письма в ЖЭТФ, 101:10 (2015),  787–792
  81. Проводимость латерального $p{-}n$-перехода в двумерных структурах HgTe с инвертированным спектром: роль краевых состояний

    Письма в ЖЭТФ, 101:7 (2015),  522–526
  82. Поверхностные состояния в HgTe квантовой яме и рассеяние на шероховатостях

    Письма в ЖЭТФ, 101:5 (2015),  360–364
  83. Conductance oscillations at the interface between a superconductor and the helical edge channel in a narrow HgTe quantum well

    Письма в ЖЭТФ, 101:1 (2015),  44–49
  84. Обменное усиление $g$-фактора электронов в двумерном полуметалле в квантовых ямах HgTe

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1676–1682
  85. Исследование магнитопоглощения при различных температурах в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1660–1664
  86. Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1654–1659
  87. Температурный скейлинг в квантовом эффекте Холла в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1593–1597
  88. Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией

    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  379–384
  89. Энергетический спектр и транспорт в узких квантовых ямах HgTe

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  41–46
  90. Антипересечение уровней Ландау в квантовых ямах HgTe/CdHgTe (013) с инвертированной зонной структурой

    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  895–899
  91. Квантовый эффект Холла в системе бесщелевых дираковских фермионов в HgTe квантовых ямах

    Письма в ЖЭТФ, 100:11 (2014),  824–830
  92. Терагерцовый электронный транспорт двумерного топологического изолятора в HgTe квантовой яме

    Письма в ЖЭТФ, 99:5 (2014),  333–338
  93. Фотолюминесценция твeрдых растворов CdHgTe, подвергнутых обработке низкоэнергетическими ионами

    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  207–211
  94. Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных $p^+$–$n$-фотодиодных структур

    Письма в ЖТФ, 40:16 (2014),  65–72
  95. Metal-insulator transition in a HgTe quantum well under hydrostatic pressure

    Письма в ЖЭТФ, 98:12 (2013),  947–951
  96. Двухчастотное стимулированное излучение из двухслойной структуры Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te на длинах волн 2 и 3 мкм

    Письма в ЖЭТФ, 97:6 (2013),  404–408
  97. Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией

    ЖТФ, 83:10 (2013),  147–150
  98. Двумерный полуметалл в широких квантовых ямах HgTe: энергетический спектр носителей и магнитотранспорт

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1586–1590
  99. Магнитопоглощение в узкозонных эпитаксиальных слоях HgCdTe в терагерцовом диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1569–1574
  100. Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1446–1450
  101. Слабая локализация дираковских фермионов в HgTe квантовых ямах

    Письма в ЖЭТФ, 96:11 (2012),  815–820
  102. Индуцированный продольным магнитным полем переход двумерный полуметалл–диэлектрик в квантовых ямах на основе HgTe

    Письма в ЖЭТФ, 96:4 (2012),  268–271
  103. Циклотронный резонанс в узкозонных гетероструктурах на основе HgTe/CdTe(013) в квантующих магнитных полях

    Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012),  452–456
  104. Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1388–1392
  105. Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1363–1367
  106. Релаксация радиационно-нарушенного слоя, формирующегося при ионно-плазменном травлении твердых растворов CdHgTe

    Письма в ЖТФ, 38:24 (2012),  10–17
  107. Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах на основе HgTe

    Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011),  895–899
  108. Квантовый эффект Холла в квазитрехмерной пленке HgTe

    Письма в ЖЭТФ, 93:9 (2011),  584–587
  109. Циклотронный резонанс в двумерном полуметалле на основе HgTe квантовой ямы

    Письма в ЖЭТФ, 93:3 (2011),  186–189
  110. Фотолюминесценция гетероструктур на основе Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  900–907
  111. Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона

    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  396–402
  112. Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры HgCdTe/Si(310)

    Письма в ЖТФ, 37:4 (2011),  1–7
  113. Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe

    Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010),  837–841
  114. Спиновое расщепление в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с квантовыми ямами

    Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010),  65–68
  115. Слабая антилокализация в квантовых ямах на основе HgTe вблизи топологического перехода

    Письма в ЖЭТФ, 91:7 (2010),  375–378
  116. Фотолюминесценция наногетероструктур на основе CdHgTe

    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  70–77
  117. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках Si

    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  39–46
  118. Процессы рассеяния в двумерном полуметалле

    Письма в ЖЭТФ, 89:6 (2009),  338–342
  119. Двумерная электронно-дырочная система в квантовой яме на основе HgTe

    Письма в ЖЭТФ, 87:9 (2008),  588–591
  120. Quantum Hall liquid-insulator and plateau-to-plateau transitions in a high mobility 2DEG in a HgTe quantum well

    Письма в ЖЭТФ, 84:10 (2006),  661–665
  121. Фотолюминесценция пленок (111) CdTe, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией на (100) GaAs

    Физика твердого тела, 33:4 (1991),  1155–1160
  122. Двойникование в пленках $\mathrm{CdTe(111)}$ на подложках $\mathrm{GaAs(100)}$

    Докл. АН СССР, 304:3 (1989),  604–606

© МИАН, 2026