|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Проявления поверхностных состояний в продольном магнитосопротивлении массива Bi-нанопроволок
Письма в ЖЭТФ, 107:3 (2018), 193–197
-
Орбитальное квантование в системе краевых дираковских фермионов в
наноперфорированном графене
Письма в ЖЭТФ, 98:4 (2013), 242–246
-
Квантовые когерентные эффекты в слоистых наноструктурах
Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 517–526
-
Charge density wave transport in NbSe$_3$ at low temperatures under high magnetic field
Письма в ЖЭТФ, 93:2 (2011), 101–104
-
Эффект Ааронова-Бома на многостенных углеродных нанотрубках в режиме, близком к сильной локализации носителей
Письма в ЖЭТФ, 90:9 (2009), 672–675
-
Периодические по полю осцилляции магнетосопротивления тонких монокристаллов графита с колоннообразными дефектами
Письма в ЖЭТФ, 90:6 (2009), 526–530
-
Probing the mechanism of interaction of Josephson vortices and pancake vortex lines in Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+x}$ with columnar defects
Письма в ЖЭТФ, 89:7 (2009), 402–404
-
Collective responses of Bi-2212 stacked junction to 100 GHz microwave radiation under magnetic field oriented along the c-axis
Письма в ЖЭТФ, 89:5 (2009), 291–294
-
Индуцирование энергетической щели волны зарядовой плотности в $\mathrm{NbSe}_3$ сильным магнитным полем выше температуры пайерлсовского перехода
Письма в ЖЭТФ, 87:8 (2008), 502–506
-
Аномальная асимметрия магнитосопротивления монокристаллов $\mathrm{NbSe_3}$
Письма в ЖЭТФ, 84:5 (2006), 329–333
-
Interaction of both charge density waves in $\mathrm{NbSe_3}$ from interlayer tunneling experiments
Письма в ЖЭТФ, 84:2 (2006), 95–98
-
Josephson vortex lattice melting in Bi-2212 probed by commensurate oscillations of Josephson flux-flow
Письма в ЖЭТФ, 82:4 (2005), 251–254
-
Особенности магнитосопротивления квазиодномерного проводника с волной зарядовой плотности NbSe$_3$ при различной ориентации магнитного поля
Письма в ЖЭТФ, 81:3 (2005), 162–165
-
Мезоскопические свойства квазиодномерных проводников с волной зарядовой плотности
Письма в ЖЭТФ, 75:11 (2002), 714–1
-
Когерентное туннелирование между элементарными проводящими слоями в проводнике с волной зарядовой плотности NbSe$\mathbf{_3}$
Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002), 103–108
-
Квантовая интерференция движущейся волны зарядовой плотности на колоннообразных дефектах, содержащих магнитный поток
УФН, 169:8 (1999), 924–926
-
Анизотропия проводимости и эфект Холла в TaSe$_{3}$
Физика твердого тела, 26:11 (1984), 3472–3474
-
Отклик квазиодномерных кристаллов TaS$_{3}$ на действие СВЧ
излучения
ЖТФ, 54:9 (1984), 1857–1859
© , 2026