Басиев Тасолтан Тазретович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Четырехволновая генерация ВКР-компонент излучения в кристаллах BaWO₄ и SrWO₄ при пикосекундном возбуждении
   
   Квантовая электроника, 43:7 (2013),  616–620
2. Безрезонаторная стохастическая лазерная генерация в нанокомпозитной среде
   
   Квантовая электроника, 43:1 (2013),  63–70
3. Синхронизм четырехволновых взаимодействий ВКР-компонент в двулучепреломляющих ВКР-кристаллах
   
   Квантовая электроника, 42:3 (2012),  224–227
4. Кинетика сверхбыстрого миграционно-ускоренного тушения в наночастицах
   
   Письма в ЖЭТФ, 93:12 (2011),  777–781
5. Спонтанное и вынужденное комбинационное рассеяние света в кристаллах ZnWO₄
   
   Квантовая электроника, 41:4 (2011),  370–372
6. Петлевые лазерные резонаторы на самонакачивающихся ОВФ-зеркалах в слабо усиливающих активных средах для сфазированных многоканальных лазерных систем
   
   Квантовая электроника, 41:3 (2011),  207–211
7. Управление фазовой синхронизацией излучения в наборе лазеров с самонакачивающимися ОВФ-зеркалами на решетках усиления при использовании пассивного лазерного затвора
   
   Квантовая электроника, 41:3 (2011),  202–206
8. Монокристаллы пированадата свинца — новый материал для получения ВКР-генерации
   
   Квантовая электроника, 41:2 (2011),  125–127
9. Люминесцентная нанофотоника, фторидная лазерная керамика и кристаллы
   
   УФН, 181:12 (2011),  1334–1340
10. Теоретический анализ статического тушения оптических возбуждений в люминесцирующих наночастицах
    
    Письма в ЖЭТФ, 91:5 (2010),  254–258
11. Эффективное преобразование излучения Nd:YAG-лазера в безопасный для глаз спектральный диапазон при вынужденном комбинационном рассеянии в кристалле BaWO₄
    
    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  710–715
12. Внутрирезонаторная ВКР-генерация в полифункциональном лазерном кристалле SrMoO₄:Nd³⁺ при диодной накачке
    
    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  704–709
13. Качественное улучшение лазерных свойств кристаллов PbGa₂S₄:Dy³⁺ при их соактивации ионами Na⁺
    
    Квантовая электроника, 40:7 (2010),  596–598
14. Параметрическая связь частотных компонент излучения при вынужденном комбинационном рассеянии в твердом теле
    
    УФН, 180:6 (2010),  639–646
15. Измерение оптического поглощения образцов нанокерамики из CaF₂
    
    Квантовая электроника, 39:10 (2009),  943–947
16. Технологии перфорации близкорасположенных микронных отверстий с использованием неодимовых LiF:F₂^--лазеров
    
    Квантовая электроника, 39:4 (2009),  385–387
17. Исследование дифракционно-связанной генерации излучения в наборе лазеров с самонакачивающимися ОВФ-зеркалами на решетках усиления при близкодействующей связи
    
    Квантовая электроника, 39:1 (2009),  31–35
18. Спонтанное излучение в диэлектрических наночастицах
    
    Письма в ЖЭТФ, 88:1 (2008),  14–20
19. Преобразование люминесценции лазерных красителей в вынужденное излучение в опаловой матрице
    
    Квантовая электроника, 38:7 (2008),  665–669
20. Светоуправляемый сдвиг стоп-зоны в синтетических опалах, заполненных оптически нелинейным раствором красителя
    
    Квантовая электроника, 38:1 (2008),  37–40
21. Лазерная генерация наноструктурированной фторидной керамики LiF с F^-₂-центрами окраски при диодной накачке
    
    Квантовая электроника, 37:11 (2007),  989–990
22. Высокоскоростное аблирование сверхглубоких каналов фазово-сопряженным Nd:ИАГ-лазером с динамически регулируемой пассивной модуляцией добротности
    
    Квантовая электроника, 37:10 (2007),  956–960
23. Эффективная генерация монокристаллов твердых растворов CaF₂–SrF₂:Yb³⁺ при диодной лазерной накачке
    
    Квантовая электроника, 37:10 (2007),  934–937
24. Усилитель на неодимовом фосфатном стекле ГЛС-23 с длиной волны 1.047 мкм
    
    Квантовая электроника, 37:7 (2007),  597–598
25. Динамика генерации сфазированной трехканальной голографической Nd:YAG лазерной системы
    
    Квантовая электроника, 37:3 (2007),  255–258
26. Исследование фазовой самосинхронизации импульсного трехканального голографического Nd:YAG-лазера на решетках усиления
    
    Квантовая электроника, 37:2 (2007),  143–146
27. Лазерная прошивка сверхглубоких микронных отверстий в различных материалах при программируемом управлении параметрами лазерной генерации
    
    Квантовая электроника, 37:1 (2007),  99–102
28. Сравнение оптических характеристик монокристалла и оптической керамики CaF₂
    
    Квантовая электроника, 37:1 (2007),  27–28
29. Генерационные свойства ВКР-активных кристаллов молибдатов и вольфраматов, активированных ионами Nd³⁺ при селективной оптической накачке
    
    Квантовая электроника, 36:8 (2006),  720–726
30. Прямое усиление пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F₂^-
    
    Квантовая электроника, 36:7 (2006),  609–611
31. Непрерывная генерация с плавной перестройкой длины волны вблизи 2.75 мкм на кристаллах SrF₂:Er³⁺ и CaF₂:Er³⁺
    
    Квантовая электроника, 36:7 (2006),  591–594
32. Новые материалы для ВКР-лазеров
    
    Усп. хим., 75:10 (2006),  939–955
33. Усиление пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F₂^- при синхронной пико- и наносекундной лазерной накачке
    
    Квантовая электроника, 35:4 (2005),  344–346
34. Применение лазера на центрах окраски в кристалле LiF для накачки активной среды YAG:Yb
    
    Квантовая электроника, 34:12 (2004),  1138–1142
35. Вынужденное комбинационное рассеяние в кристаллах в условиях фазомодулированной пикосекундной накачки
    
    Квантовая электроника, 34:10 (2004),  924–926
36. ВКР-преобразование излучения с высокой средней мощностью в кристалле BaWO₄
    
    Квантовая электроника, 34:7 (2004),  649–651
37. Импульсные Cr²⁺:ZnS- и Cr²⁺:ZnSe-лазеры среднего ИК диапазона с накачкой неодимовыми лазерами с модуляцией добротности и сдвигом частоты излучения с помощью ВКР
    
    Квантовая электроника, 34:1 (2004),  8–14
38. Сверхчувствительный электронный переход в примесных Nd–Nd нано-кластерах кристалла CaF$_2$
    
    Письма в ЖЭТФ, 78:5 (2003),  768–771
39. Одно- и двухфотонные спектры кластеров Nd³⁺ в кристаллах CaF₂ и SrF₂
    
    Квантовая электроника, 33:8 (2003),  684–688
40. Фазовая синхронизация оптически связанных лазеров на решетках усиления в активной среде
    
    Квантовая электроника, 33:8 (2003),  659–670
41. Вынужденное комбинационное рассеяние пикосекундных импульсов в кристаллах SrMoO₄ и Ca₃(VO₄)₂
    
    Квантовая электроника, 33:4 (2003),  331–334
42. Генерация молекулярного газового HCl-лазера в области λ = 4 мкм при оптическом возбуждении в третий колебательный обертон перестраиваемым лазером на центрах окраски
    
    Квантовая электроника, 33:3 (2003),  210–214
43. Моделирование и оптимизация HCl-лазера с оптической накачкой
    
    Квантовая электроника, 33:3 (2003),  201–209
44. Агрегатные центры окраски в примесных кристаллах LiF
    
    Квантовая электроника, 32:8 (2002),  659–662
45. Кинетика кооперативного тушения. Теория и моделирование методом Монте-Карло
    
    Письма в ЖЭТФ, 74:11 (2001),  612–615
46. Широкополосный оптический усилитель ИК импульсов на кристалле LiF:F₂⁺
    
    Квантовая электроника, 31:5 (2001),  424–426
47. Широкополосная генерация и нелинейное преобразование излучения лазеров на кристаллах LiF c F₂⁺ и F₂^--центрами окраски
    
    Квантовая электроника, 31:4 (2001),  285–289
48. Вынужденное комбинационное рассеяние в кристаллах щелочноземельных вольфраматов
    
    Квантовая электроника, 30:1 (2000),  55–59
49. Одномодовый ИАГ:Nd-лазер с самонакачивающимся фазово-сопряженным петлевым резонатором
    
    Квантовая электроника, 27:2 (1999),  145–148
50. Спектроскопия поглощения из возбужденного состояния кристаллов SrF₂:Nd³⁺ в спектральном диапазоне длин волн 1280 — 1320 нм
    
    Квантовая электроника, 26:2 (1999),  117–121
51. Спектроскопия новых ВКР-активных кристаллов и твердотельные ВКР-лазеры
    
    УФН, 169:10 (1999),  1149–1155
52. Технологический ИАГ:Nd-лазер с трехзеркальным резонатором и его применение
    
    Квантовая электроника, 25:6 (1998),  525–528
53. Усилительные свойства кристаллов LiF со стабилизированными $F^+_2$-центрами окраски
    
    Квантовая электроника, 25:2 (1998),  187–189
54. Квазинепрерывная генерация LiF-лазера c $F_2^-$-центрами окраски
    
    Квантовая электроника, 24:9 (1997),  779–780
55. Временные и спектральные характеристики перестраиваемого лазера на кристалле LiF с $F_2^-$ центрами окраски
    
    Квантовая электроника, 24:7 (1997),  591–595
56. Оптические и безызлучательные переходы с участием триплетных состояний лазерных $F_3^+$-ЦО в кристаллах LiF
    
    Квантовая электроника, 24:4 (1997),  313–317
57. Высокоэффективная генерация перестраиваемых пикосекундных импульсов на основе лазерного кристалла LiF:$F_2^-$
    
    Квантовая электроника, 23:12 (1996),  1072–1074
58. Дихроизм кристалла LiF при необратимом пространственно-селективном разрушении $F_2^-$-центров окраски под действием излучения с $\lambda \sim$ 1.06 мкм
    
    Квантовая электроника, 23:3 (1996),  269–272
59. Поляризационные характеристики двухфотонного поглощения в кристалле LiF:$F^-_2$ на длине волны 1.06 мкм
    
    Квантовая электроника, 23:2 (1996),  149–153
60. Исследование уширения линии ВКР-активного колебания в кристалле нитрата бария методом двухфотонной спектроскопии комбинационного усиления
    
    Квантовая электроника, 22:12 (1995),  1241–1244
61. Природа переноса энергии электронного возбуждения от ионов Cr³⁺ к редкоземельным ионам в кристаллах гранатов
    
    Квантовая электроника, 22:8 (1995),  759–764
62. Сенсибилизация люминесценции ионов Er³⁺ и Ho³⁺ ионами Cr⁴⁺ в кристалле Y₂SiO₅
    
    Квантовая электроника, 22:1 (1995),  33–36
63. Пикосекундный лазер с активной синхронизацией мод на основе кальций-литий-ниобий-галлиевого разупорядоченного граната с Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 21:1 (1994),  89–90
64. Модуляция добротности технологического ИАГ:Nd-лазера кристаллами LiF:F₂^– при импульсно-периодической накачке
    
    Квантовая электроника, 20:6 (1993),  594–596
65. Модуляция добротности ИАГ:Nd-лазера с линейным трехзеркальным резонатором кристаллами LiF:$F_2^-$
    
    Квантовая электроника, 19:8 (1992),  772–773
66. Эффективные перестраиваемые лазеры на кристаллах LiF(F₂) с F₂- и F₂⁺-ЦO
    
    Квантовая электроника, 19:2 (1992),  145
67. Трехкаскадный усилитель одномодового излучения ИАГ: Nd-лазера с пассивным затвором на кристалле LiF:F₂^–
    
    Квантовая электроника, 18:7 (1991),  822–824
68. Модуляция добротности технологического ИАГ:Nd-лазера кристаллами LiF:F₂^–
    
    Квантовая электроника, 18:2 (1991),  223–225
69. Особенности концентрационного тушения люминесценции с уровня ⁴S_3/2 иона Er³⁺ в кристалле (Y_1 – xEr_x)₃Al₂O₅
    
    Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1800–1801
70. Непрерывный кольцевой LiF:F₂^–-лазер
    
    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  499–500
71. Преобразование перестраиваемого излучения лазера на кристалле LiF с F₂^–-ЦО путем генерации ВКР в кристаллах Ba(NO₃)₂ и KGd(WO₄)₂
    
    Квантовая электроника, 14:12 (1987),  2452–2454
72. Прямое измерение скорости безызлучательной релаксации и спектры люминесценции с уровней ⁴G_7/2, ⁴G_5/2+²G_7/2 и ⁴F_9/2 ионов Nd³⁺ в лазерных кристаллах LaF₃, SrF₂ и YAlO₃
    
    Квантовая электроника, 14:10 (1987),  2021–2023
73. Генерирование и регистрация мощного плавноперестраиваемого излучения субпикосекундной длительности в лазере на кристалле фтористого лития с F₂^–-центрами окраски
    
    Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2262–2266
74. Профилирование лазерного импульса с помощью насыщающихся фильтров
    
    Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1718–1720
75. Перестраиваемый лазер на кристаллах LiF(F₂) с повышенным ресурсом работы
    
    Квантовая электроника, 13:2 (1986),  422–425
76. Двухпроходовый малогабаритный лазерный усилитель на кристалле ГСГГ:Cr³⁺, Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 13:2 (1986),  412–414
77. Лазер на центрах окраски в кристалле LiF с выходной энергией 100 Дж
    
    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1125–1126
78. Об оптимизации параметров активных элементов в миниатюрных лазерах на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле
    
    Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1671–1674
79. Генерационные характеристики лазеров на кристаллах LiF:$F_2^-$ при мощном возбуждении
    
    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1919–1922
80. Импульсный АИГ : Nd³⁺-лазер с пассивным модулятором добротности на кристалле LiF с F₂^–-центрами
    
    Квантовая электроника, 10:3 (1983),  619–621
81. Эффективные перестраиваемые лазеры на основе кристаллов LiF:$F_2^-$
    
    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1741–1743
82. Лазер на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле с пассивной модуляцией добротности
    
    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1536–1542
83. Эффективные пассивные затворы неодимовых лазеров на основе кристаллов LiF:F₂^–
    
    Квантовая электроника, 9:4 (1982),  837–839
84. Перестраиваемый лазер на LiF : $F_2^+$-центpax окраски с голографическим селектором
    
    Квантовая электроника, 8:2 (1981),  419–421
85. Исследование тонкой структуры неоднородно-уширенных полос поглощения иона $Nd^{3+}$ в стекле методом селективного возбуждения
    
    Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2477–2480
86. Безызлучательные потери на переходе ⁴I_11/2–⁴I_13/2 иона Er³⁺ в кристаллах Y₃Al₅O₁₂, Gd₃Sc₂Al₃O₁₂, Y₃Ga₅O₁₂, Gd₃Ga₅O₁₂, CaF₂
    
    Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1028–1033
87. Излучательные и безызлучательные переходы Er³⁺ в смешанных иттрий-эрбий-алюминиевых гранатах
    
    Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1471–1477
88. Миграция энергии по ионам Yb³⁺ в кристаллах гранатов
    
    Квантовая электроника, 2:10 (1975),  2172–2182
89. Исследование механизма безызлучательной релаксации метастабильного состояния Nd^{3+ 4}F_3/2 в силикатном стекле
    
    Квантовая электроника, 2:6 (1975),  1269–1277
90. О квантовом выходе люминесценции с метастабильного состояния $\mathrm{Nd}^{3+}$ в силикатных стеклах и кристаллах $\mathrm{Y}_3\mathrm{Al}_5\mathrm{O}_{12}$
    
    Докл. АН СССР, 216:2 (1974),  297–299


91. Александр Александрович Каплянский (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 181:1 (2011),  115–116
92. К 80-летию А. А. Маненкова
    
    Квантовая электроника, 40:2 (2010),  188
93. Памяти Сергея Ивановича Яковленко
    
    Квантовая электроника, 37:2 (2007),  204
94. Поправка к статье: Модуляция добротности ИАГ:Nd-лазера с линейным трехзеркальным резонатором кристаллами LiF:$F_2^-$
    
    Квантовая электроника, 19:12 (1992),  1248
95. Вячеслав Васильевич Осико (К шестидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 162:4 (1992),  165–167
96. Вячеслав Васильевич Осико (к пятидесятилетию со дня рождения)
    
    Квантовая электроника, 9:5 (1982),  1072