RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Звонков Борис Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Формирование вертикального графена на поверхности арсенид-галлиевых структур

    Физика твердого тела, 65:4 (2023),  669–675
  2. InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17–1.29 мкм с дискретным метаморфным буферным слоем

    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  495–500
  3. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As

    Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1245–1252
  4. Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости

    Физика твердого тела, 63:7 (2021),  866–873
  5. Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем

    Физика твердого тела, 63:3 (2021),  346–355
  6. Методы переключения поляризации излучения в GaAs лазерных диодах

    ЖТФ, 91:9 (2021),  1409–1414
  7. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As

    Физика твердого тела, 62:3 (2020),  373–380
  8. Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур

    Оптика и спектроскопия, 128:3 (2020),  399–406
  9. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs

    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1336–1343
  10. Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  868–872
  11. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  801–806
  12. О фазовом разделении в слоях (Ga,Mn)As, полученных ионной имплантацией и последующим лазерным отжигом

    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  465–471
  13. Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1718–1720
  14. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1233–1236
  15. Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения

    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  351–358
  16. Повышение степени циркулярной поляризации спиновых светоизлучающих диодов путем обработки в парах селена

    Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  52–55
  17. Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением

    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  940–946
  18. Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1460–1463
  19. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1286–1290
  20. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями

    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  873–880
  21. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)

    Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  67–74
  22. Мощностные характеристики лазеров с волноводом на основе квантовых ям и блокирующими слоями

    Квантовая электроника, 48:4 (2018),  390–394
  23. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs

    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2196–2199
  24. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом

    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2130–2134
  25. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1510–1513
  26. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1468–1472
  27. Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1443–1446
  28. Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb

    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1410–1413
  29. Влияние “объема” активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку

    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  75–78
  30. Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1576–1582
  31. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1561–1564
  32. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным $\delta$-легированным Mn слоем GaAs

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1490–1496
  33. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1463–1468
  34. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1455–1458
  35. Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  596–599
  36. Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1619–1622
  37. Полупроводниковый лазер с туннельным $p$–$n$-переходом и выходом излучения через подложку

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1489–1491
  38. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1478–1483
  39. Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами

    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  370–375
  40. Обменное усиление $g$-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  196–203
  41. Наблюдение прямозонной электролюминесценции из GaAs-структуры с квантовыми ямами Ge

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  175–178
  42. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  112–116
  43. Исследование $\delta$-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  102–106
  44. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  11–14
  45. Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  3–5
  46. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge

    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  72–78
  47. Излучательные характеристики лазерных диодов на основе соединений А3В5, выращенных на германиевой подложке

    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  105–110
  48. Нелинейное смешение гармоник в InGaAs/InGaP/GaAs-лазере на германиевой подложке

    Квантовая электроника, 45:3 (2015),  204–206
  49. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией

    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  2062–2065
  50. Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом

    ЖТФ, 84:12 (2014),  102–106
  51. Дальнее инфракрасное излучение из гетероструктур $n$-InGaAs/GaAs c квантовыми ямами в сильных латеральных электрических полях в условиях инжекции

    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  643–647
  52. Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs

    Письма в ЖТФ, 40:20 (2014),  96–103
  53. Экспериментальное определение оптимального количества квантовых ям в многоямных гетеролазерах с вытеканием излучения через подложку

    Письма в ЖТФ, 40:10 (2014),  52–57
  54. Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью

    Квантовая электроника, 44:4 (2014),  286–288
  55. Исследование гетероструктур с комбинированным слоем квантовых точек/квантовой ямы In(Ga)As/GaAs и $\delta$-слоем Mn

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1617–1620
  56. Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1609–1612
  57. Cпектрокинетические свойства гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0–1.2 мкм

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1517–1520
  58. Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1497–1503
  59. Эффекты туннелирования в наклонных магнитных полях в структурах $n$-InGaAs/GaAs c двойными сильно-связанными квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1457–1461
  60. Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb–InGaAs)/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1231–1235
  61. Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  621–625
  62. Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах

    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  401–406
  63. Долговременная релаксация фотопроводимости в гетероструктурах $n$-InGaAs/GaAs со связанными квантовыми ямами при межзонном возбуждении

    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1609–1612
  64. Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью

    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1527–1531
  65. Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр

    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1510–1514
  66. Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1402–1407
  67. Транспортные свойства гетероструктур InGaAs/GaAs с $\delta$-легированными квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  649–654
  68. Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку

    Квантовая электроника, 42:10 (2012),  931–933
  69. Одновременная генерация мод TE$_1$ и TE$_2$ с разными длинами волн в полупроводниковом лазере с туннельным переходом

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  652–656
  70. Биения осцилляций Шубникова – де Гааза в двумерной дырочной системе в квантовой яме InGaA 

    Письма в ЖЭТФ, 91:6 (2010),  312–317
  71. Латеральный транспорт и дальнее инфракрасное излучение электронов в гетероструктурах In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами в сильном электрическом поле

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1543–1546
  72. Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1494–1497
  73. Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации

    Письма в ЖТФ, 36:4 (2010),  81–87
  74. Полупроводниковый лазер с выводом излучения через подложку с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности

    Квантовая электроника, 40:10 (2010),  855–857
  75. Ферромагнитное воздействие $\delta$-$<$Mn$>$-слоя в GaAs барьере на спиновую поляризацию носителей в InGaAs/GaAs квантовой яме

    Письма в ЖЭТФ, 90:10 (2009),  730–735
  76. Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах $p$-InGaAs/GaAsP

    Письма в ЖЭТФ, 88:3 (2008),  229–233
  77. Магнитные свойства квантовых ям $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$

    Письма в ЖЭТФ, 87:3 (2008),  192–198
  78. Аномальный эффект Холла в $\delta$-легированных Mn GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs квантовых ямах c высокой подвижностью дырок

    Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007),  32–39
  79. Перестраиваемый широкоапертурный полупроводниковый лазер с внешним волноводно-решеточным зеркалом

    Квантовая электроника, 31:1 (2001),  35–38
  80. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нмс широкими туннельно-связанными волноводами

    Квантовая электроника, 26:3 (1999),  217–218
  81. Полупроводниковые лазеры на длину волны 0.98 мкмс выходом излучения через подложку

    Квантовая электроника, 25:7 (1998),  622–624
  82. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с туннельно-связанными волноводами

    Квантовая электроника, 24:2 (1997),  123–126
  83. Лазеры с длиной волны излучения 0.98 мкм на основе гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии

    Квантовая электроника, 21:10 (1994),  921–924
  84. Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой

    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1886–1893
  85. Фотолюминесценция в $\delta$-легированных углеродом сверхрешетках в арсениде галлия

    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1848–1849
  86. Межподзонное поглощение ИК излучения в напряженных структурах In$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  516–521

© МИАН, 2026