Вихрова Ольга Викторовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией: сравнение разных типов отжига
   
   Физика твердого тела, 66:10 (2024),  1686–1698
2. Гальваномагнитные свойства слоев GaMnAs, полученных ионной имплантацией: роль энергии ионов Mn$^+$
   
   Физика твердого тела, 66:6 (2024),  871–876
3. Ферромагнитные слои GaMnAs, полученные имплантацией ионов марганца с последующим импульсным лазерным отжигом
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2230–2238
4. Создание ферромагнитного полупроводника GaMnAs комбинированным лазерным методом
   
   Физика твердого тела, 65:5 (2023),  754–761
5. Формирование вертикального графена на поверхности арсенид-галлиевых структур
   
   Физика твердого тела, 65:4 (2023),  669–675
6. Получение и исследование свойств слоев GaAs, легированных висмутом
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  399–405
7. Влияние температуры роста на физико-химические свойства слоев низкотемпературного GaAs, созданных методом импульсного лазерного напыления
   
   Письма в ЖТФ, 49:4 (2023),  11–14
8. Формирование скирмионных состояний в ионно-облученных тонких пленках CoPt
   
   Физика твердого тела, 64:9 (2022),  1304–1310
9. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
   
   Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1245–1252
10. Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости
    
    Физика твердого тела, 63:7 (2021),  866–873
11. Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
    
    Физика твердого тела, 63:3 (2021),  346–355
12. Влияние ионного облучения на магнитные свойства пленок CoPt
    
    Физика твердого тела, 63:3 (2021),  324–332
13. Методы переключения поляризации излучения в GaAs лазерных диодах
    
    ЖТФ, 91:9 (2021),  1409–1414
14. Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  637–643
15. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As
    
    Физика твердого тела, 62:3 (2020),  373–380
16. Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур
    
    Оптика и спектроскопия, 128:3 (2020),  399–406
17. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1336–1343
18. Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs:Cr/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1139–1144
19. Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  868–872
20. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  801–806
21. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения
    
    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1694–1699
22. Микромагнитные и магнитооптические свойства пленочных структур вида ферромагнетик/тяжелый металл
    
    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1628–1633
23. Формирование магнитных наноструктур с помощью зонда атомно-силового микроскопа
    
    ЖТФ, 89:11 (2019),  1807–1812
24. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1233–1236
25. Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  351–358
26. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2236–2239
27. Формирование доменной структуры в многослойных пленках CoPt с помощью магнитного зонда атомно-силового микроскопа
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2158–2165
28. Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А$^{3}$В$^{5}$, сильно легированных железом
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2137–2140
29. Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением
    
    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  940–946
30. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1286–1290
31. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)
    
    Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  67–74
32. Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2203–2205
33. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2200–2202
34. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2196–2199
35. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2130–2134
36. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1510–1513
37. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1468–1472
38. Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1443–1446
39. Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1410–1413
40. Влияние “объема” активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  75–78
41. Свойства ферромагнитных слоев CoPt для применения в спиновых светоизлучающих диодах
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2186–2189
42. Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2140–2144
43. Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1615–1619
44. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1561–1564
45. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным $\delta$-легированным Mn слоем GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1490–1496
46. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1455–1458
47. Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  596–599
48. Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  204–207
49. Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с $\delta$-слоем Mn
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  3–8
50. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1649–1653
51. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1478–1483
52. Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  370–375
53. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  112–116
54. Исследование $\delta$-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  102–106
55. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  11–14
56. Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  3–5
57. Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 40:20 (2014),  96–103
58. Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1609–1612
59. Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb–InGaAs)/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1231–1235
60. Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1527–1531
61. Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1402–1407
62. Биения осцилляций Шубникова – де Гааза в двумерной дырочной системе в квантовой яме InGaA 
    
    Письма в ЖЭТФ, 91:6 (2010),  312–317
63. Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1494–1497
64. Электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с ферромагнитными инжекторами вида (A$^{\mathrm{III}}$, Mn)B$^{\mathrm{V}}$ и Ni
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1447–1450
65. Анизотропное магнетосопротивление и планарный эффект Холла в GaAs структуре с дельта-легированным Mn слоем
    
    Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  46–53
66. Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации
    
    Письма в ЖТФ, 36:4 (2010),  81–87
67. Ферромагнитное воздействие $\delta$-$<$Mn$>$-слоя в GaAs барьере на спиновую поляризацию носителей в InGaAs/GaAs квантовой яме
    
    Письма в ЖЭТФ, 90:10 (2009),  730–735
68. Магнитные свойства квантовых ям $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$
    
    Письма в ЖЭТФ, 87:3 (2008),  192–198
69. Аномальный эффект Холла в $\delta$-легированных Mn GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs квантовых ямах c высокой подвижностью дырок
    
    Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007),  32–39