Рыльков Владимир Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Мемристивные свойства конденсаторных структур Cu/(Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_x$(SiO$_2$)$_{100-x}$/ZrO$_2$(Y)/Cr/Cu/Cr
   
   Физика твердого тела, 67:5 (2025),  817–822
2. Cкейлинг аномального эффекта Холла как метод определения порога перколяции и перехода металл–изолятор в магнитных нанокомпозитах с межгранульным взаимодействием
   
   УФН, 195:6 (2025),  658–668
3. Adapted MLP-Mixer network based on crossbar arrays of fast and multilevel switching $(\mathrm{Co}-\mathrm{Fe}-\mathrm{B})_x(\mathrm{LiNbO}_3)_{100-x}$ nanocomposite memristors
   
   Nanoscale Horiz., 9 (2024),  238–247
4. Структурные и электрофизические свойства композитных мемристоров на основе матрицы LiNbO$_3$ с разными наногранулами: Co–Fe–B и CoFe
   
   Физика твердого тела, 65:9 (2023),  1602–1610
5. Особенности скейлинга аномального эффекта Холла в нанокомпозитных пленках (CoFeB)$_x$(LiNbO$_3)_{100-x}$ ниже порога перколяции: Проявление со-туннельной холловской проводимости?
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:7 (2023),  519–525
6. Аномальное поведение туннельного магнетосопротивления в нанокомпозитных пленочных структурах (CoFeB)$_x$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$/Si ниже порога перколяции: проявления со-туннельных и обменных эффектов
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:1 (2023),  46–54
7. Многоуровневые мемристорные структуры на основе $a$-Si с повышенной устойчивостью резистивного переключения и малыми токами потребления
   
   Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  39–42
8. Влияние эффекта перколяции на резистивные переключения структур на базе нанокомпозита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$
   
   Физика твердого тела, 64:11 (2022),  1690–1694
9. Влияние кислорода и паров воды на структурные превращения в наногранулированных композитах (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$
   
   Физика твердого тела, 63:11 (2021),  1837–1843
10. Влияние кристаллической структуры подложки на магнитную анизотропию плeнок Mn$_{x}$Si$_{1-x}$ ($x\approx0.5$)
    
    Физика твердого тела, 63:10 (2021),  1527–1531
11. Влияние кислорода и паров воды на электрические свойства наногранулированных композитов (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$
    
    ЖТФ, 91:9 (2021),  1393–1402
12. Частотно-кодированное управление проводимостью мемристоров на базе наноразмерных слоев LiNbO$_{3}$ и композита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$ в обучаемых импульсных нейроморфных сетях
    
    Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  3–7
13. Мемристоры на основе наноразмерных слоев LiNbO$_{3}$ и композита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$
    
    Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1562–1565
14. Наномасштабные тепловые эффекты второго порядка в мемристивных структурах на основе поли-$n$-ксилилена
    
    Письма в ЖЭТФ, 112:6 (2020),  379–386
15. Эффект медленной ионной релаксации при ферромагнитном резонансе в металл-диэлектрическом нанокомпозите CoFeB–LiNbO
    
    Письма в ЖЭТФ, 112:2 (2020),  88–92
16. Свойства мемристивных структур на основе нанокомпозита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$, синтезированных на SiO$_{2}$/Si-подложках
    
    ЖТФ, 90:2 (2020),  257–263
17. Квантование проводимости в мемристивных структурах на основе поли-п-ксилилена
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  913–917
18. Мемристоры на основе поли-$n$-ксилилена с внедренными наночастицами серебра
    
    Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  25–28
19. Эффекты монополярного резистивного переключения в тонких слоях алмазоподобного углерода
    
    Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  170–173
20. Мемристоры на основе полипараксилилена на гибких подложках
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  40–43
21. Адаптивные свойства спайковых нейроморфных сетей с синаптическими связями на основе мемристивных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  19–23
22. Влияние плотности энергии лазерного пучка на магнитные свойства тонких пленок Mn$_{x}$Si$_{1-x}$ ($x\approx$ 0.5), приготовленных методом импульсного лазерного осаждения
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2147–2151
23. Модификация ферромагнитных свойств тонких пленок Si$_{1-x}$Mn$_{x}$, синтезируемых методом импульсного лазерного осаждения при изменении давления буферного газа
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1313–1316
24. Прецизионный алгоритм переключения мемристора в состояние с заданным сопротивлением
    
    Письма в ЖТФ, 44:10 (2018),  20–28
25. Эффекты электронного увлечения золота в порах анодного оксида алюминия: обратимое резистивное переключение в цепочке точечных контактов
    
    Письма в ЖЭТФ, 106:6 (2017),  387–391
26. Логарифмическая температурная зависимость электросопротивления нанокомпозитов (Co$_{41}$Fe$_{39}$B$_{20}$)$_{x}$(Al–O)$_{100-x}$
    
    Физика твердого тела, 58:3 (2016),  433–435
27. Аномальный эффект Холла в поликристаллических пленках Si$_{1-x}$Mn$_{x}$ ($x\approx0.5$) с самоорганизованным распределением кристаллитов по форме и размерам
    
    Письма в ЖЭТФ, 103:7 (2016),  539–546
28. Свойства пленок Zn$_{1-x}$Co$_x$O, полученных методом импульсного лазерного осаждения с использованием скоростной сепарации осаждаемых частиц
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  556–563
29. Синтез пространственно упорядоченного ансамбля наноцилиндров Co в матрице пористого оксида алюминия на поверхности GaAs-структур
    
    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  17–24
30. Высокотемпературный ферромагнетизм нестехиометрических сплавов Si$_{1-x}$Mn$_x$ ($x\approx0.5$)
    
    Письма в ЖЭТФ, 96:4 (2012),  272–280
31. Высокотемпературный ферромагнетизм Si$_{1-x}$Mn$_x$ пленок, полученных лазерным напылением с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1546–1553
32. Аномальный эффект Холла в Si пленках, сильно легированных Mn
    
    Письма в ЖЭТФ, 89:12 (2009),  707–712
33. Магнитные свойства квантовых ям $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$
    
    Письма в ЖЭТФ, 87:3 (2008),  192–198
34. Аномальный эффект Холла в $\delta$-легированных Mn GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs квантовых ямах c высокой подвижностью дырок
    
    Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007),  32–39
35. Динамические вольт-амперные характеристики фоточувствительных слоистых структур на основе сильно легированного Si$\langle\text{As}\rangle$ с блокированной проводимостью по примесной зоне
    
    Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992),  2024–2030
36. Определение сечения фотоионизации легирующих примесей в полупроводниках из измерений эффекта Холла
    
    Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1096–1099