RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Аронзон Борис Аронович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Электрические свойства эвтектической композиции $InSb-MnSb$

    ПМ&Ф, 56:1 (2024),  60–65
  2. Влияние ориентации игольчатых включений NiSb на температурную зависимость сопротивления в монокристаллах Cd$_{0.95}$Ni$_{0.05}$Sb

    Физика твердого тела, 65:3 (2023),  397–403
  3. Магнитная анизотропия игольчатых монокристаллических включений MnSb в матрице InSb

    Письма в ЖТФ, 47:10 (2021),  46–49
  4. Сверхпроводимость в тонких пленках дираковского полуметалла Cd$_{3}$As$_{2}$

    Физика твердого тела, 62:3 (2020),  369–372
  5. Влияние температур роста и постростового отжига на магнитные свойства наночастиц Mn$_{1+x}$Sb, внедренных в тонкие пленки GaSb

    Физика твердого тела, 62:2 (2020),  203–207
  6. Влияние термообработки на дисперсию магнитной анизотропии нановключений MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb

    Физика твердого тела, 61:4 (2019),  652–658
  7. Vapor-phase synthesis and magnetoresistance of (Cd$_{1-x}$Zn$_x$)$_3$As$_2$ ($x=0.007$) single crystals

    Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  174–175
  8. Квантовые поправки и магнитотранспорт в пленках 3D дираковского полуметалла Cd$_{3-x}$Mn$_{x}$As$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1479–1484
  9. Прыжковая проводимость в нанокомпозитах поли-$n$-ксилилен-Fe

    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  79–86
  10. Квантовые поправки к проводимости и анизотропия магнетосопротивления тонких пленок Bi$_2$Se$_3$, легированных Eu

    Письма в ЖЭТФ, 106:8 (2017),  506–514
  11. Магнетотранспорт в тонких эпитаксиальных пленках Bi$_{2}$Se$_{3}$

    Письма в ЖЭТФ, 104:9 (2016),  651–657
  12. Аномальный эффект Холла в разбавленном магнитном полупроводнике In$_{1-x}$Mn$_{x}$Sb с кластерами MnSb

    Письма в ЖЭТФ, 101:2 (2015),  136–142
  13. Аномальный эффект Холла в 2D-гетероструктуре: квантовая яма GaAs/InGaAs/GaAs с отдаленным $\delta$-слоем Mn

    Письма в ЖЭТФ, 100:9 (2014),  648–653
  14. Свойства пленок Zn$_{1-x}$Co$_x$O, полученных методом импульсного лазерного осаждения с использованием скоростной сепарации осаждаемых частиц

    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  556–563
  15. Высокотемпературный ферромагнетизм нестехиометрических сплавов Si$_{1-x}$Mn$_x$ ($x\approx0.5$)

    Письма в ЖЭТФ, 96:4 (2012),  272–280
  16. Высокотемпературный ферромагнетизм Si$_{1-x}$Mn$_x$ пленок, полученных лазерным напылением с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости

    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1546–1553
  17. Аномальный эффект Холла в Si пленках, сильно легированных Mn

    Письма в ЖЭТФ, 89:12 (2009),  707–712
  18. Магнитные свойства квантовых ям $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$

    Письма в ЖЭТФ, 87:3 (2008),  192–198
  19. Аномальный эффект Холла в $\delta$-легированных Mn GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs квантовых ямах c высокой подвижностью дырок

    Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007),  32–39
  20. Фазовые соотношения в анализе кривых рентгеновской рефлектометрии от сверхрешеток

    Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007),  21–26
  21. Изучение обменных взаимодействий ионов Mn в матрице CdGeAs$_2$ методом ЭПР

    Письма в ЖЭТФ, 82:8 (2005),  591–597
  22. Управляемая трансформация электрических, магнитных и оптических свойств материалов ионными пучками

    УФН, 171:1 (2001),  105–117
  23. Переход металл$-$диэлектрик в магнитном поле в сильно легированном антимониде индия

    Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1446–1461
  24. Проводимость $n$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te в магнитных полях, превышающих поле перехода металл$-$диэлектрик

    Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  687–691
  25. Локализация электронов и гальваномагнитные свойства компенсированных кристаллов $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te и $n$-InSb в квантующем магнитном поле

    Физика твердого тела, 31:4 (1989),  10–20
  26. Высокочастотная проводимость $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te вблизи перехода металл$-$диэлектрик

    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  471–477
  27. О природе индуцированного магнитным полем перехода металл–диэлектрик в $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  897–901
  28. Двухстадийная релаксация электронной температуры в ограниченном кристалле $n$-InSb в квантующем магнитном поле

    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1807–1812
  29. Электронная теплоемкость в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te вблизи перехода металл–диэлектрик в магнитном поле

    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1112–1117
  30. Неомическая прыжковая проводимость в $n$-InSb

    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  875–879
  31. Гальваномагнитные свойства $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te после перехода металл–диэлектрик

    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1457–1462
  32. Температурная зависимость прыжковой проводимости в $n$-InSb (отклонение от закона $T^{-1/4}$)

    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  90–93
  33. Влияние квантующего магнитного поля на концентрацию электронов в полупроводниках

    Докл. АН СССР, 206:6 (1972),  1329–1332

© МИАН, 2026