RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Бакаров Асхат Климович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Особенности квантования кондактанса многоканальных квантовых точечных контактов

    Письма в ЖЭТФ, 119:5 (2024),  372–380
  2. Сверхрешетки InAs/GaSb для инфракрасных фотоприемников

    Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  33–36
  3. Особенности микроволнового фотокондактанса квантового точечного контакта

    Физика твердого тела, 65:10 (2023),  1842–1847
  4. Сканирование электронных состояний в квантовом точечном контакте с помощью асимметрично смещенных боковых затворов

    Письма в ЖЭТФ, 117:4 (2023),  299–305
  5. Двухподзонный магнетотранспорт в одиночной GaAs-квантовой яме с модулированным сверхрешеточным легированием

    Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  577–583
  6. Влияние подсветки на квантовое время жизни в селективно-легированных одиночных GaAs квантовых ямах с короткопериодными AlAs/GaAs-сверхрешеточными барьерами

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  181–186
  7. Процесс десорбции оксида с поверхности InSb в потоке сурьмы

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  138–144
  8. Осцилляции Шубникова–де Гааза в двумерном электронном газе с анизотропной подвижностью

    Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023),  102–105
  9. Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами

    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  21–28
  10. InSb/GaAs-гетероструктуры для датчиков магнитного поля

    Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  27–30
  11. Магнето-межподзонные осцилляции в условиях перекрывающихся зон Ландау

    Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  621–627
  12. Многоямный потенциал в квантовом точечном контакте траншейного типа

    Письма в ЖЭТФ, 116:6 (2022),  350–357
  13. Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами

    Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  11–14
  14. Подавление магнето-межподзонных осцилляций сопротивления крупномасштабными флуктуациями межподзонного энергетического расщепления

    Письма в ЖЭТФ, 114:7 (2021),  486–492
  15. Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами

    Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  52–54
  16. AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов

    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  37–39
  17. Зависимости транспортного времени рассеяния и квантового времени жизни от концентрации 2D электронного газа в селективно-легированных одиночных GaAs квантовых ямах с короткопериодными AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами

    Письма в ЖЭТФ, 112:7 (2020),  475–481
  18. Нелинейные AC и DC проводимости в двухподзонной структуре $n$-GaAs/AlAs

    Письма в ЖЭТФ, 112:1 (2020),  54–61
  19. Двухканальный электронный транспорт в подвешенных квантовых точечных контактах с боковыми затворами

    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1344–1349
  20. AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 46:4 (2020),  3–6
  21. Модуляция магнето-межподзонных осцилляций в одномерной латеральной сверхрешетке

    Письма в ЖЭТФ, 110:5 (2019),  337–342
  22. AC и DC проводимость в структуре $n$-GaAs/AlAs с широкой квантовой ямой в режиме целочисленного квантового эффекта Холла

    Письма в ЖЭТФ, 110:1 (2019),  62–67
  23. Биения квантовых осцилляций сопротивления в двухподзонных электронных системах в наклонных магнитных полях

    Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019),  401–407
  24. On-chip piezoelectric actuation of nanomechanical resonators containing a two-dimensional electron gas

    Письма в ЖЭТФ, 109:4 (2019),  254–255
  25. Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1280–1285
  26. Kinetics of structural changes on GaSb(001) singular and vicinal surfaces during the UHV annealing

    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  525
  27. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  48–56
  28. Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием

    Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  77–84
  29. Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    ЖТФ, 87:6 (2017),  900–904
  30. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1696
  31. Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs

    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1282–1288
  32. Баллистический магнетотранспорт в подвешенном двумерном электронном газе с периодической решeткой антиточек

    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  12–17
  33. Квантовые точки, сформированные в гетеросистемах InSb/AlAs и AlSb/AlAs

    Письма в ЖЭТФ, 103:11 (2016),  785–791
  34. Неравновесный химический потенциал в двумерном электронном газе в режиме квантового эффекта Холла

    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1070–1074
  35. Идентификация полос фотолюминесценции AlGaAs/InGaAs/GaAs $p$HEMT гетероструктур с донорно-акцепторным легированием барьеров

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  230–235
  36. Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  35–40
  37. Гистерезисные явления в ДЭГ в режиме квантового эффекта Холла, исследованные в транспортном эксперименте

    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1458–1466
  38. Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек

    Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013),  313–318
  39. Индуцированные терагерцовым излучением осцилляции магнитосопротивления двумерного электронного газа с высокой концентрацией и подвижностью

    Письма в ЖЭТФ, 97:1 (2013),  45–48
  40. Одномодовые лазеры с вертикальным резонатором для миниатюрного атомного эталона частоты на основе атомов $^{87}$Rb

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1470–1474
  41. Резонансный пробой кулоновской блокады механическими колебаниями квантовой точки

    Письма в ЖЭТФ, 90:8 (2009),  626–629
  42. Влияние продольного магнитного поля на гистерезис магнетосопротивления двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла

    Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  103–106
  43. Неравновесное состояние двумерного электронного газа в режиме целочисленного квантового эффекта Холла

    Письма в ЖЭТФ, 89:1 (2009),  49–53
  44. Блокада туннелирования в подвешенном одноэлектронном транзисторе

    Письма в ЖЭТФ, 87:3 (2008),  176–180
  45. Микроволновое фотосопротивление в двумерной электронной системе с анизотропной подвижностью

    Письма в ЖЭТФ, 86:12 (2007),  891–895
  46. Абсолютное отрицательное сопротивление в неравновесной двумерной электронной системе в сильном магнитном поле

    Письма в ЖЭТФ, 86:9 (2007),  695–698
  47. Гигантский гистерезис магнетосопротивления в режиме квантового эффекта Холла

    Письма в ЖЭТФ, 86:4 (2007),  294–298
  48. Сосуществование коллективных и одночастичных эффектов в фотоотклике двумерного электронного газа на СВЧ облучение

    Письма в ЖЭТФ, 85:11 (2007),  705–709
  49. Холловский пробой в GaAs/AlAs гетероструктуре с модулированным легированием

    Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007),  69–73
  50. Индуцированные микроволновым излучением гигантские осцилляции магнетосопротивления и состояние с нулевым сопротивлением в двумерной электронной системе со средней величиной подвижности

    Письма в ЖЭТФ, 84:7 (2006),  466–469
  51. Резонансное комбинационное рассеяние света в наноструктурах с квантовыми точками InGaAs/AlAs

    Письма в ЖЭТФ, 83:11 (2006),  596–599
  52. Кулоновская блокада и термоэдс подвешенной квантовой точки

    Письма в ЖЭТФ, 83:3 (2006),  152–156
  53. Магнетофононный резонанс в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при больших факторах заполнения

    Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005),  646–649
  54. Наблюдение соизмеримых осцилляций термоэдс в решетке антиточек

    Письма в ЖЭТФ, 81:9 (2005),  578–582
  55. Отрицательное магнетосопротивление высокоподвижного двумерного электронного газа в нелинейном режиме

    Письма в ЖЭТФ, 81:8 (2005),  498–501
  56. Осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами в микроволновом поле

    Письма в ЖЭТФ, 81:6 (2005),  348–350
  57. Анизотропное положительное магнетосопротивление непланарного двумерного электронного газа в параллельном магнитном поле

    Письма в ЖЭТФ, 79:10 (2004),  608–611
  58. Мезоскопические флуктуации термоэдс в периодической решетке антиточек

    Письма в ЖЭТФ, 79:4 (2004),  201–205
  59. Влияние киральности ферми-системы на температурную зависимость эффекта Ааронова–Бома

    Письма в ЖЭТФ, 79:1 (2004),  34–37
  60. Кулоновские осцилляции кондактанса открытого кольцевого интерферометра в сильном магнитном поле

    Письма в ЖЭТФ, 78:10 (2003),  1137–1141
  61. Кольцевой интерферометр на основе двумерного электронного газа в двойной квантовой яме

    Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003),  1048–1052
  62. Квазиклассическое отрицательное магнетосопротивление двумерного электронного газа при рассеянии на короткодействующем и дальнодействующем потенциалах

    Письма в ЖЭТФ, 78:3 (2003),  165–169
  63. Резонансное обратное рассеяние в субмикронных кольцах

    Письма в ЖЭТФ, 78:1 (2003),  36–39
  64. Соизмеримые осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами

    Письма в ЖЭТФ, 77:12 (2003),  794–797
  65. Миллисекундная кинетика фотолюминесценции в системе прямозонных квантовых точек InAs в матрице AlAs

    Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003),  459–463
  66. Анизотропия магнетотранспорта и самоорганизация корругированных гетерограниц в селективно легированных структурах на (100) GaAs подложках

    Письма в ЖЭТФ, 74:3 (2001),  182–185

© МИАН, 2026