Шашкин Владимир Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Микроволновая вольт-импедансная спектроскопия полупроводников
   
   ЖТФ, 90:11 (2020),  1944–1950
2. Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  865–867
3. Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  855–858
4. Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу
   
   Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  34–38
5. Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа
   
   ЖТФ, 89:12 (2019),  1923–1932
6. Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1386–1390
7. Вертикальный полевой транзистор с управляющим $p$–$n$-переходом на основе GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1311–1314
8. Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1229–1232
9. Детекторы на основе низкобарьерных диодов Мотта и их характеристики в диапазоне 150–250 GHz
   
   Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  56–58
10. Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C$_{2}$F$_{5}$Cl
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1362–1365
11. Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1321–1325
12. Влияние высоты барьера затвор–канал на характеристики детектирования полевого транзистора в сверхвысокочастотном и терагерцовом диапазонах
    
    ЖТФ, 87:5 (2017),  746–753
13. Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1538–1542
14. Низкотемпературное осаждение пленок SiN$_{x}$ в индуктивно-связанной плазме SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ в условиях сильного разбавления силана аргоном
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1503–1506
15. Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1151
16. Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1595–1598
17. Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1459–1462
18. Радиационная стойкость планарных диодов Ганна с $\delta$-легированными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1507–1515
19. Слои Si$_3$N$_4$ для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1469–1472
20. Монокристаллические слои GaN/AlN на CVD-алмазе
    
    Письма в ЖТФ, 41:19 (2015),  73–80
21. Рост с высокими скоростями пленок InN на подложках фианита и сапфира методом металлоорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  17–25
22. Применение низкобарьерных структур металл–полупроводник–металл для детектирования микроволновых сигналов
    
    ЖТФ, 84:7 (2014),  91–95
23. Асферический однолинзовый объектив для систем радиовидения миллиметрового диапазона длин волн
    
    ЖТФ, 84:4 (2014),  120–125
24. Влияние быстрого термического отжига на параметры арсенидгаллиевого низкобарьерного диода с приповерхностным $\delta$-легированием
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1481–1485
25. Экспериментальное исследование матрицы детекторов системы радиовидения 3-mm диапазона длин волн
    
    Письма в ЖТФ, 39:12 (2013),  44–49
26. Внутризонная фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками, индуцированная межзонной подсветкой
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1444–1447
27. Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и 2D-слоев
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1384–1387
28. Рост пленок InN методом металлоорганической газофазной эпитаксии при активации азота в плазме, создаваемой гиротронным излучением
    
    Письма в ЖТФ, 38:24 (2012),  86–94
29. Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1511–1513
30. Получение слоев нанокристаллического кремния методом стимулированного плазмой осаждения (PECVD) из газовой фазы тетрафторида кремния
    
    Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  80–83
31. Транспорт в сверхрешетках со слабыми барьерами и проблема терагерцового блоховского генератора
    
    УФН, 173:7 (2003),  780–783
32. Коэффициент диффузии разогретых носителей, спектр волн пространственного заряда и характерные частоты неустойчивости в полупроводниковых сверхрешетках
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  721–724


33. Захарий Фишелевич Красильник (к 70-летию со дня рождения)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  285–286