RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Падалица Анатолий Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа

    Квантовая электроника, 53:1 (2023),  11–16
  2. Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом

    Квантовая электроника, 52:2 (2022),  179–181
  3. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  46–50
  4. Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом

    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  909–911
  5. Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой

    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  905–908
  6. Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов

    Квантовая электроника, 51:4 (2021),  283–286
  7. Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом

    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  133–136
  8. Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером

    Квантовая электроника, 50:12 (2020),  1123–1125
  9. Тройной интегрированный лазер-тиристор

    Квантовая электроника, 50:11 (2020),  1001–1003
  10. Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP

    Квантовая электроника, 50:9 (2020),  830–833
  11. Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs

    Квантовая электроника, 50:5 (2020),  489–492
  12. Двойной интегрированный лазер-тиристор

    Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1011–1013
  13. Cуперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 770–790 нм на основе полупроводниковых наноструктур с узкими квантовыми ямами

    Квантовая электроника, 49:9 (2019),  810–813
  14. Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером

    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  519–521
  15. THz stimulated emission from simple superlattice in positive differential conductivity region

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  463
  16. Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм

    Квантовая электроника, 48:3 (2018),  197–200
  17. Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62%

    Квантовая электроника, 47:8 (2017),  693–695
  18. Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70%

    Квантовая электроника, 47:4 (2017),  291–293
  19. Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами

    Квантовая электроника, 47:3 (2017),  272–274
  20. Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al0.45Ga0.55As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии

    Квантовая электроника, 46:5 (2016),  447–450
  21. Стимулированные излучения при переходах между лестницами Ванье–Штарка в полупроводниковых сверхрешетках

    Письма в ЖЭТФ, 102:4 (2015),  235–239
  22. Импульсный лазер с накачкой электронным пучком на основе квантово-размерной гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN

    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  601–603
  23. Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890–910 нм

    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  716–718
  24. Решетки лазерных диодов с повышенной мощностью и яркостью импульсного излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур

    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  104–108
  25. Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP

    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  822–823
  26. Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм

    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  819–821
  27. Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 850 – 870 нм на основе гетероструктур с узкими и широкими волноводами

    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  407–409
  28. Температурная зависимость пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 900–920 нм)

    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1417–1421
  29. Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  251–255
  30. Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур

    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  697–699
  31. Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур

    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  682–684
  32. Усиление терагерцевого излучения на переходах между "лестницами" Ванье–Штарка в сверхрешетках со слабыми барьерами

    Квантовая электроника, 40:5 (2010),  400–405
  33. Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм

    Квантовая электроника, 39:8 (2009),  723–726
  34. Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом

    Квантовая электроника, 39:1 (2009),  18–20
  35. Двойные интегрированные наноструктуры для импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 мкм

    Квантовая электроника, 38:11 (2008),  989–992
  36. Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе

    Квантовая электроника, 38:2 (2008),  97–102
  37. Mощные и широкополосные суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1000—1100 нм

    Квантовая электроника, 36:4 (2006),  315–318
  38. Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050–1100 нм

    Квантовая электроника, 35:10 (2005),  909–911
  39. Транспорт в сверхрешетках со слабыми барьерами и проблема терагерцового блоховского генератора

    УФН, 173:7 (2003),  780–783
  40. Низкочастотные флуктуации интенсивности в мощных одномодовых гребнёвых полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs

    Квантовая электроника, 32:9 (2002),  809–814
  41. Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов

    Квантовая электроника, 32:3 (2002),  216–218
  42. Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.89–1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения

    Квантовая электроника, 32:3 (2002),  213–215
  43. Мощные диодные лазеры с длиной волны 1.06 мкм на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs с уменьшенной расходимостью в плоскости, перпендикулярной p — n-переходу

    Квантовая электроника, 27:1 (1999),  1–2
  44. Непрерывные одноваттные инжекционные лазеры в спектральной области около 808 нм с полным КПД до 50%

    Квантовая электроника, 25:4 (1998),  303–304

  45. Поправка к статье: Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов

    Квантовая электроника, 32:6 (2002),  564

© МИАН, 2026