RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Дроздов Михаил Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Диоды Шоттки на основе монокристаллических гетероструктур Al/AlGaN/GaN для микроволнового детектирования с нулевым смещением

    ЖТФ, 95:6 (2025),  1148–1156
  2. CVD-алмазные структуры с $p$–$n$-переходом — диоды и транзисторы

    ЖТФ, 95:3 (2025),  540–548
  3. Исследование фото- и электролюминесценции центров окраски, связанных с азотом, в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде

    Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  48–51
  4. Электролюминесценция центров окраски германий–вакансия в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде

    Письма в ЖТФ, 51:8 (2025),  3–6
  5. Структурные и сверхпроводящие свойства пленок вольфрама и иридия для низкотемпературных микрокалориметров

    Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1075–1080
  6. Невплавные омические контакты с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$- и $n$-типа и их термическая стабильность

    Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  409–414
  7. Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений

    Письма в ЖТФ, 50:10 (2024),  22–25
  8. Нанесение жидкого стекла на подложки оптических элементов и его молекулярный состав

    ЖТФ, 93:7 (2023),  1037–1045
  9. Плазмохимическое осаждение гидрогенизованных пленок DLC с различным содержанием водорода и $sp^3$-гибридного углерода

    Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  309–312
  10. Переход между законами Мотта и Аррениуса в температурных зависимостях сопротивлений сильно легированных бором дельта-слоев в искусственном алмазе

    Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  259–264
  11. Обработка поверхности арсенида галлия после травления в плазме C$_2$F$_5$Cl

    Письма в ЖТФ, 49:19 (2023),  39–42
  12. Investigation of boron-doped delta layers in CVD diamond grown on single-sector HPHT substrates

    Наносистемы: физика, химия, математика, 13:5 (2022),  578–584
  13. Влияние дозы имплантации водорода на релаксацию электрофизических характеристик структур “кремний-на-изоляторе” после воздействия рентгеновского излучения

    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  753–758
  14. Влияние параметров индуктивно-связанной плазмы хлорпентафторэтана на скорость и характеристики травления арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  685–688
  15. Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN

    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  627–629
  16. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As

    Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1245–1252
  17. Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  837–840
  18. Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом

    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  637–643
  19. Влияние размерного эффекта на кластерную ионную эмиссию наноструктур кремния

    Письма в ЖЭТФ, 111:8 (2020),  531–535
  20. Возможности метода ВИМС для анализа профиля имплантированного водорода в кремнии и примесного состава структур “кремний на изоляторе”

    ЖТФ, 90:11 (2020),  1850–1853
  21. Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  868–872
  22. Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  865–867
  23. Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  855–858
  24. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  801–806
  25. Формирование многослойных наноструктур NV-центров в монокристаллическом CVD-алмазе

    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  19–23
  26. Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу

    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  34–38
  27. Анализ углеродсодержащих материалов методом вторично-ионной масс-спектрометрии: содержание атомов углерода в $sp^{2}$- и $sp^{3}$-гибридных состояниях

    Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  38–42
  28. Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа

    ЖТФ, 89:12 (2019),  1923–1932
  29. Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора

    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1386–1390
  30. Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)

    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1354–1359
  31. Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1229–1232
  32. Влияние отжига на свойства слоев Ge : Sb/Si(001) с концентрацией сурьмы выше уровня ее равновесной растворимости в германии

    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  897–902
  33. Новый подход к анализу фазового состава углеродсодержащих материалов методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии

    Письма в ЖТФ, 45:2 (2019),  50–54
  34. Экспериментальное наблюдение эффекта ограничения каскада столкновений при распылении пористого кремния

    Письма в ЖТФ, 45:2 (2019),  39–42
  35. Магнитные скирмионы в пленках с модулированной толщиной

    Письма в ЖЭТФ, 107:6 (2018),  378–382
  36. Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C$_{2}$F$_{5}$Cl

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1362–1365
  37. Новое ограничение разрешения по глубине при послойном элементном анализе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии: влияние зондирующего ионного пучка

    Письма в ЖТФ, 44:8 (2018),  11–19
  38. Новые кластерные вторичные ионы для количественного анализа концентрации атомов бора в алмазе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии

    Письма в ЖТФ, 44:7 (2018),  52–60
  39. Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1611–1615
  40. Низкотемпературное осаждение пленок SiN$_{x}$ в индуктивно-связанной плазме SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ в условиях сильного разбавления силана аргоном

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1503–1506
  41. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1468–1472
  42. Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”

    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1151
  43. Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии

    Письма в ЖТФ, 43:10 (2017),  50–59
  44. Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1595–1598
  45. Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1532–1536
  46. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным $\delta$-легированным Mn слоем GaAs

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1490–1496
  47. Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1459–1462
  48. Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  596–599
  49. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства

    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  350–353
  50. Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых ($>$ 100 $\mu$m) слоев GaAs в составе мощных PIN-диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии

    Письма в ЖТФ, 42:15 (2016),  27–35
  51. Нелинейные калибровочные зависимости в методе вторично-ионной масс-спектрометрии для количественного анализа гетероструктур GeSi с нанокластерами

    Письма в ЖТФ, 42:5 (2016),  40–48
  52. Слои Si$_3$N$_4$ для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1469–1472
  53. Сегрегация Sb в Ge эпитаксиальных слоях и ее использование для селективного легирования структур на основе германия

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1453–1457
  54. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках “напряженный кремний-на-изоляторе” с тонким слоем окисла

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1129–1135
  55. Характеристики диодных структур на основе фуллерена на полимерных и стеклянных подложках

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  138–141
  56. Исследование пластической релаксации в слоях GeSi на подложках Si (001) и (115)

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  21–24
  57. Монокристаллические слои GaN/AlN на CVD-алмазе

    Письма в ЖТФ, 41:19 (2015),  73–80
  58. Рост с высокими скоростями пленок InN на подложках фианита и сапфира методом металлоорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота

    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  17–25
  59. Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-дюймовых подложках Si

    Письма в ЖТФ, 41:1 (2015),  71–78
  60. Использование связанных параметров в рентгенодифракционном анализе многослойных структур с учетом времени роста слоев

    ЖТФ, 84:3 (2014),  94–98
  61. Количественная калибровка и послойный анализ концентрации германия в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии

    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1138–1146
  62. Аномальное распределение германия, имплантированного в диэлектрический слой структуры КНИ, после отжига радиационных дефектов

    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  631–635
  63. Новый подход к диагностике наноостровков в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии

    Письма в ЖТФ, 40:14 (2014),  36–46
  64. Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1580–1585
  65. Сегрегация сурьмы в напряженных SiGe-гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1493–1496
  66. Влияние быстрого термического отжига на параметры арсенидгаллиевого низкобарьерного диода с приповерхностным $\delta$-легированием

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1481–1485
  67. Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  621–625
  68. Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода

    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  410–413
  69. Послойный молекулярный анализ фуллерен-содержащих структур методом время-пролетной вторично-ионной масс-спектрометрии

    Письма в ЖТФ, 39:24 (2013),  45–54
  70. Изменения элементного состава и микроструктуры мишени YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ при магнетронном распылении

    Письма в ЖТФ, 39:19 (2013),  41–50
  71. Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особенности роста, оптические и транспортные характеристики

    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1593–1596
  72. Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью

    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1527–1531
  73. Способ учета параметра сдвига при восстановлении распределения состава полупроводниковых структур по глубине в методе масс-спектрометрии вторичных ионов

    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1515–1520
  74. Внутризонная фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками, индуцированная межзонной подсветкой

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1444–1447
  75. Анализ состава твердых растворов (Al, Ga)As методами вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1419–1423
  76. Рост пленок InN методом металлоорганической газофазной эпитаксии при активации азота в плазме, создаваемой гиротронным излучением

    Письма в ЖТФ, 38:24 (2012),  86–94
  77. Новая альтернатива вторичным ионам CsM+ для послойного анализа многослойных металличеcких структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии

    Письма в ЖТФ, 38:24 (2012),  75–85
  78. Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  132–135
  79. Метод селективного легирования кремния сегрегирующими примесями

    Письма в ЖТФ, 37:17 (2011),  75–81
  80. Исследование электрофизических и структурных параметров YBCO-пленок, выращенных за несколько ростовых циклов

    Письма в ЖТФ, 37:14 (2011),  54–59
  81. Легирование бором гетероструктур Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si в процессе сублимации кремния в среде германа

    Письма в ЖТФ, 37:13 (2011),  24–30
  82. Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1511–1513
  83. Использование кластерных вторичных ионов Ge$_2^-$, Ge$_3^-$ для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС

    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  418–421
  84. Получение слоев нанокристаллического кремния методом стимулированного плазмой осаждения (PECVD) из газовой фазы тетрафторида кремния

    Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  80–83
  85. Транспорт в сверхрешетках со слабыми барьерами и проблема терагерцового блоховского генератора

    УФН, 173:7 (2003),  780–783

© МИАН, 2026